Des produits

Revêtement en carbure de silicium

VeTek Semiconductor se spécialise dans la production de produits de revêtement en carbure de silicium ultra purs, ces revêtements sont conçus pour être appliqués sur des composants en graphite purifié, en céramique et en métal réfractaire.


Nos revêtements de haute pureté sont principalement destinés à être utilisés dans les industries des semi-conducteurs et de l'électronique. Ils servent de couche protectrice pour les supports de tranches, les suscepteurs et les éléments chauffants, les protégeant des environnements corrosifs et réactifs rencontrés dans des processus tels que MOCVD et EPI. Ces processus font partie intégrante du traitement des plaquettes et de la fabrication des dispositifs. De plus, nos revêtements sont bien adaptés aux applications dans les fours à vide et le chauffage d'échantillons, où l'on rencontre des environnements sous vide poussé, réactifs et oxygénés.


Chez VeTek Semiconductor, nous proposons une solution complète grâce à nos capacités avancées d'atelier d'usinage. Cela nous permet de fabriquer les composants de base en graphite, en céramique ou en métaux réfractaires et d'appliquer les revêtements céramiques SiC ou TaC en interne. Nous fournissons également des services de revêtement pour les pièces fournies par le client, garantissant ainsi la flexibilité nécessaire pour répondre à divers besoins.


Nos produits de revêtement en carbure de silicium sont largement utilisés dans l'épitaxie Si, l'épitaxie SiC, le système MOCVD, le processus RTP/RTA, le processus de gravure, le processus de gravure ICP/PSS, le processus de divers types de LED, y compris les LED bleues et vertes, les LED UV et les UV profonds. LED etc., adaptée aux équipements de LPE, Aixtron, Veeco, Nuflare, TEL, ASM, Annealsys, TSI, etc.


Pièces de réacteur que nous pouvons réaliser :


Aixtron G5 MOCVD Susceptors


Revêtement en carbure de silicium plusieurs avantages uniques :

Silicon Carbide Coating several unique advantages



Paramètre de revêtement en carbure de silicium VeTek Semiconductor

Propriétés physiques de base du revêtement CVD SiC
Propriété Valeur typique
Structure cristalline Phase β FCC polycristalline, principalement orientée (111)
Revêtement SiC Densité 3,21 g/cm³
Revêtement SiCDureté Dureté Vickers 2500 (charge de 500 g)
Taille des grains 2~10μm
Pureté chimique 99,99995%
Capacité thermique 640 J·kg-1·K-1
Température de sublimation 2700 ℃
Résistance à la flexion 415 MPa RT 4 points
Module de Young Courbure 430 Gpa 4pt, 1300℃
Conductivité thermique 300W·m-1·K-1
Expansion thermique (CTE) 4,5 × 10-6K-1

STRUCTURE CRISTALLINE DU FILM CVD SIC

CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE



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Chambre de réacteur épitaxial revêtue de SiC

Chambre de réacteur épitaxial revêtue de SiC

La chambre du réacteur épitaxial à revêtement SiC Veteksemicon est un composant central conçu pour les processus exigeants de croissance épitaxiale de semi-conducteurs. Utilisant un dépôt chimique en phase vapeur (CVD) avancé, ce produit forme un revêtement SiC dense et de haute pureté sur un substrat en graphite à haute résistance, ce qui se traduit par une stabilité supérieure à haute température et une résistance à la corrosion. Il résiste efficacement aux effets corrosifs des gaz réactifs dans les environnements de processus à haute température, supprime considérablement la contamination particulaire, garantit une qualité constante des matériaux épitaxiaux et un rendement élevé, et prolonge considérablement le cycle de maintenance et la durée de vie de la chambre de réaction. Il s’agit d’un choix clé pour améliorer l’efficacité de fabrication et la fiabilité des semi-conducteurs à large bande interdite tels que le SiC et le GaN.
Pièces du récepteur EPI

Pièces du récepteur EPI

Dans le processus central de croissance épitaxiale du carbure de silicium, Veteksemicon comprend que les performances du suscepteur déterminent directement la qualité et l'efficacité de production de la couche épitaxiale. Nos suscepteurs EPI de haute pureté, conçus spécifiquement pour le domaine du SiC, utilisent un substrat en graphite spécial et un revêtement SiC CVD dense. Grâce à leur stabilité thermique supérieure, leur excellente résistance à la corrosion et leur taux de génération de particules extrêmement faible, ils garantissent aux clients une épaisseur et une uniformité de dopage inégalées, même dans des environnements de processus difficiles à haute température. Choisir Veteksemicon, c'est choisir la pierre angulaire de la fiabilité et des performances pour vos processus avancés de fabrication de semi-conducteurs.
Suscepteur en graphite revêtu de SiC pour ASM

Suscepteur en graphite revêtu de SiC pour ASM

Le suscepteur en graphite à revêtement Veteksemicon SiC pour ASM est un composant porteur essentiel dans les processus d'épitaxie des semi-conducteurs. Ce produit utilise notre technologie exclusive de revêtement pyrolytique en carbure de silicium et nos processus d'usinage de précision pour garantir des performances supérieures et une durée de vie ultra longue dans des environnements de processus corrosifs et à haute température. Nous comprenons parfaitement les exigences strictes des processus épitaxiaux en matière de pureté du substrat, de stabilité thermique et de cohérence, et nous nous engageons à fournir à nos clients des solutions stables et fiables qui améliorent les performances globales de l'équipement.
Bague de mise au point en carbure de silicium

Bague de mise au point en carbure de silicium

La bague de mise au point Veteksemicon est conçue spécifiquement pour les équipements de gravure de semi-conducteurs exigeants, en particulier les applications de gravure SiC. Monté autour du mandrin électrostatique (ESC), à proximité immédiate de la tranche, sa fonction principale est d'optimiser la répartition du champ électromagnétique dans la chambre de réaction, garantissant une action plasma uniforme et ciblée sur toute la surface de la tranche. Une bague de mise au point haute performance améliore considérablement l'uniformité du taux de gravure et réduit les effets de bord, augmentant ainsi directement le rendement du produit et l'efficacité de la production.
Plaque de support en carbure de silicium pour gravure LED

Plaque de support en carbure de silicium pour gravure LED

La plaque support en carbure de silicium Veteksemicon pour la gravure LED, spécialement conçue pour la fabrication de puces LED, est un consommable essentiel dans le processus de gravure. Fabriqué à partir de carbure de silicium de haute pureté fritté avec précision, il offre une résistance chimique exceptionnelle et une stabilité dimensionnelle à haute température, résistant efficacement à la corrosion causée par les acides forts, les bases et le plasma. Ses propriétés de faible contamination garantissent des rendements élevés pour les plaquettes épitaxiales LED, tandis que sa durabilité, bien supérieure à celle des matériaux traditionnels, aide les clients à réduire les coûts d'exploitation globaux, ce qui en fait un choix fiable pour améliorer l'efficacité et la cohérence du processus de gravure.
Bague de mise au point en SiC massif

Bague de mise au point en SiC massif

La bague de mise au point en SiC solide Veteksemi améliore considérablement l'uniformité de la gravure et la stabilité du processus en contrôlant avec précision le champ électrique et le flux d'air au bord de la tranche. Il est largement utilisé dans les processus de gravure de précision pour le silicium, les diélectriques et les matériaux semi-conducteurs composés, et constitue un élément clé pour garantir le rendement de la production de masse et le fonctionnement fiable des équipements à long terme.
En tant que fabricant et fournisseur professionnel Revêtement en carbure de silicium en Chine, nous avons notre propre usine. Que vous ayez besoin de services personnalisés pour répondre aux besoins spécifiques de votre région ou que vous souhaitiez acheter avancé et durable Revêtement en carbure de silicium en Chine, vous pouvez nous laisser un message.
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