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Pièces du récepteur EPI
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Pièces du récepteur EPI

Dans le processus central de croissance épitaxiale du carbure de silicium, Veteksemicon comprend que les performances du suscepteur déterminent directement la qualité et l'efficacité de production de la couche épitaxiale. Nos suscepteurs EPI de haute pureté, conçus spécifiquement pour le domaine du SiC, utilisent un substrat en graphite spécial et un revêtement SiC CVD dense. Grâce à leur stabilité thermique supérieure, leur excellente résistance à la corrosion et leur taux de génération de particules extrêmement faible, ils garantissent aux clients une épaisseur et une uniformité de dopage inégalées, même dans des environnements de processus difficiles à haute température. Choisir Veteksemicon, c'est choisir la pierre angulaire de la fiabilité et des performances pour vos processus avancés de fabrication de semi-conducteurs.

Informations générales sur le produit


Lieu d'origine :
Chine
Nom de la marque :
Mon rival
Numéro de modèle :
Récepteur EPI Partie-01
Attestation :
ISO9001


Conditions commerciales du produit


Quantité minimale de commande :
Sous réserve de négociation
Prix:
Contact pour un devis personnalisé
Détails de l'emballage :
Forfait d'exportation standard
Délai de livraison:
Délai de livraison : 30 à 45 jours après la confirmation de la commande
Conditions de paiement :
T/T
Capacité d'approvisionnement :
100 unités/mois


Application: Dans la recherche de performances et de rendements ultimes dans les processus épitaxiaux SiC, le suscepteur Veteksemicon EPI offre une excellente stabilité et uniformité thermique, devenant ainsi un support clé pour améliorer les performances des dispositifs de puissance et RF et réduire les coûts globaux.

Services pouvant être fournis: analyse de scénarios d'application client, mise en adéquation des matériaux, résolution de problèmes techniques. 

Profil de l'entreprise:Veteksemicon dispose de 2 laboratoires, d'une équipe d'experts avec 20 ans d'expérience dans les matériaux, avec des capacités de R&D et de production, de test et de vérification.


Paramètres techniques

projet
paramètre
Matériau de base
Graphite isostatique de haute pureté
Matériau de revêtement
SiC CVD de haute pureté
Épaisseur du revêtement
La personnalisation est disponible pour répondre aux exigences du processus client (valeur typique : 100 ± 20 μm).
Pureté
> 99,9995 % (revêtement SiC)
Température de fonctionnement maximale
> 1650°C
Coefficient de dilatation thermique
Bonne correspondance avec les plaquettes SiC
Rugosité de la surface
Ra < 1,0 μm (réglable sur demande)


Avantages principaux de la pièce pour entrepreneur Veteksemicon EPI


1. Assurer une uniformité ultime

Dans les procédés d'épitaxie au carbure de silicium, même les fluctuations d'épaisseur au niveau du micron et les inhomogénéités de dopage ont un impact direct sur les performances et le rendement du dispositif final. Le suscepteur Veteksemicon EPI permet d'obtenir une répartition optimale du champ thermique dans la chambre de réaction grâce à une simulation thermodynamique et une conception structurelle précises. Notre sélection d'un substrat à haute conductivité thermique, combinée à un processus de traitement de surface unique, garantit que les différences de température en tout point de la surface de la plaquette sont contrôlées dans une plage extrêmement réduite, même dans des environnements de rotation à grande vitesse et à haute température. La valeur directe que cela apporte est une couche épitaxiale de lot à lot hautement reproductible avec une excellente uniformité, établissant une base solide pour la fabrication de puces de puissance hautes performances et hautement cohérentes.


2. Résister au défi des températures élevées

Les procédés d'épitaxie SiC nécessitent généralement un fonctionnement prolongé à des températures supérieures à 1 500 °C, ce qui représente un défi de taille pour tout matériau. Veteksemicon Susceptor utilise du graphite pressé isostatique spécialement traité, dont la résistance à la flexion à haute température et la résistance au fluage dépassent de loin celles du graphite ordinaire. Même après des centaines d'heures de cycles thermiques continus à haute température, notre produit conserve sa géométrie initiale et sa résistance mécanique, empêchant efficacement le gauchissement des plaquettes, le glissement ou les risques de contamination des cavités de processus causés par la déformation du plateau, garantissant fondamentalement la continuité et la sécurité des activités de production.


3. Maximiser la stabilité du processus

Les interruptions de production et la maintenance imprévue sont des facteurs de réduction majeurs des coûts dans la fabrication de plaquettes. Veteksemicon considère la stabilité des processus comme une mesure essentielle pour Susceptor. Notre revêtement CVD SiC breveté est dense, non poreux et présente une surface lisse semblable à un miroir. Cela réduit non seulement considérablement la perte de particules sous un flux d'air à haute température, mais ralentit également considérablement l'adhésion des sous-produits de réaction (tels que le SiC polycristallin) à la surface du plateau. Cela signifie que votre chambre de réaction peut rester propre pendant de plus longues périodes, prolongeant ainsi les intervalles entre le nettoyage et la maintenance réguliers, améliorant ainsi l'utilisation et le débit global de l'équipement.


4. Prolonger la durée de vie

En tant que composant consommable, la fréquence de remplacement des suscepteurs impacte directement les coûts d’exploitation de la production. Veteksemicon prolonge la durée de vie des produits grâce à une double approche technologique : « optimisation du substrat » et « amélioration du revêtement ». Un substrat en graphite haute densité et faible porosité ralentit efficacement la pénétration et la corrosion du substrat par les gaz de traitement ; simultanément, notre revêtement SiC épais et uniforme agit comme une barrière robuste, supprimant considérablement la sublimation à haute température. Les tests en conditions réelles montrent que, dans les mêmes conditions de traitement, les suscepteurs Veteksemicon présentent un taux de dégradation des performances plus lent et une durée de vie efficace plus longue, ce qui se traduit par des coûts d'exploitation par tranche inférieurs.



5. Avenant de vérification de la chaîne écologique

La vérification de la chaîne écologique de Veteksemicon EPI Susceptor Part couvre les matières premières jusqu'à la production, a passé la certification des normes internationales et dispose d'un certain nombre de technologies brevetées pour garantir sa fiabilité et sa durabilité dans les domaines des semi-conducteurs et des nouvelles énergies.


Pour des spécifications techniques détaillées, des livres blancs ou des modalités de test d'échantillons, veuillez contacter notre équipe d'assistance technique pour découvrir comment Veteksemicon peut améliorer l'efficacité de votre processus.


Principaux domaines d'application


Sens de candidature
Scénario typique
Électronique de puissance
Dispositifs de puissance tels que les MOSFET SiC et les diodes Schottky utilisés dans la fabrication de véhicules électriques et de moteurs industriels.
Communication par radiofréquence
Couches épitaxiales pour la croissance de dispositifs d'amplificateur de puissance radiofréquence GaN-on-SiC (RF HEMT) pour les stations de base et les radars 5G.
Recherche et développement de pointe
Il sert au développement de processus et à la vérification de matériaux semi-conducteurs à large bande interdite et de structures de dispositifs de nouvelle génération.


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