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Suscepteur en graphite revêtu de SiC pour ASM
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Suscepteur en graphite revêtu de SiC pour ASM

Le suscepteur en graphite à revêtement Veteksemicon SiC pour ASM est un composant porteur essentiel dans les processus d'épitaxie des semi-conducteurs. Ce produit utilise notre technologie exclusive de revêtement pyrolytique en carbure de silicium et nos processus d'usinage de précision pour garantir des performances supérieures et une durée de vie ultra longue dans des environnements de processus corrosifs et à haute température. Nous comprenons parfaitement les exigences strictes des processus épitaxiaux en matière de pureté du substrat, de stabilité thermique et de cohérence, et nous nous engageons à fournir à nos clients des solutions stables et fiables qui améliorent les performances globales de l'équipement.

Informations générales sur le produit


Lieu d'origine :
Chine
Nom de la marque :
Mon rival
Numéro de modèle :
Suscepteur en graphite revêtu de SiC pour ASM-01
Attestation :
ISO9001


Conditions commerciales du produit


Quantité minimale de commande :
Sous réserve de négociation
Prix:
Contact pour un devis personnalisé
Détails de l'emballage :
Forfait d'exportation standard
Délai de livraison:
Délai de livraison : 30 à 45 jours après la confirmation de la commande
Conditions de paiement :
T/T
Capacité d'approvisionnement :
100 unités/mois


✔ Candidature: Le substrat en graphite revêtu de Veteksemicon SiC est un consommable clé pour l'équipement épitaxial de la série ASM. Il supporte directement la tranche et fournit un champ thermique uniforme et stable lors de l'épitaxie à haute température, ce qui en fait un composant essentiel pour garantir la croissance de haute qualité de matériaux semi-conducteurs avancés tels que GaN et SiC.

✔ Services pouvant être fournis: analyse de scénarios d'application client, mise en adéquation des matériaux, résolution de problèmes techniques. 

✔ Profil de l'entreprise:Veteksemicon dispose de 2 laboratoires, d'une équipe d'experts avec 20 ans d'expérience dans les matériaux, avec des capacités de R&D et de production, de test et de vérification.


Paramètres techniques


projet
paramètre
Modèles applicables
Équipement épitaxial série ASM
Matériau de base
Graphite isostatique de haute pureté et haute densité
Matériau de revêtement
Carbure de silicium pyrolytique de haute pureté
Épaisseur du revêtement
L'épaisseur standard est de 80 à 150 μm (personnalisable selon les exigences du processus client)
Rugosité de la surface
La surface du revêtement Ra ≤ 0,5 μm (le polissage peut être effectué selon les exigences du processus)
Garantie de cohérence
Chaque produit est soumis à des tests rigoureux d'apparence, de dimensions et de courants de Foucault avant de quitter l'usine pour garantir une qualité stable et fiable.


Suscepteur en graphite à revêtement Veteksemicon SiC pour les avantages du noyau ASM


1. Pureté extrême et faible taux de défauts

En utilisant un substrat en graphite spécial de haute pureté à fines particules, combiné à notre processus de revêtement par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) strictement contrôlé, nous garantissons que le revêtement est dense, exempt de trous d'épingle et exempt d'impuretés. Cela réduit considérablement le risque de contamination particulaire pendant le processus épitaxial, fournissant ainsi un environnement de substrat propre pour la croissance de couches épitaxiales de haute qualité.


2. Excellente résistance à la corrosion et résistance à l'usure

Le revêtement pyrolytique en carbure de silicium possède une dureté et une inertie chimique extrêmement élevées, résistant efficacement à l'érosion des sources de silicium (telles que SiH4, SiHCl3), des sources de carbone (telles que C3H8) et des gaz de gravure (tels que HCl, H2) à haute température. Cela prolonge considérablement le cycle de maintenance de la base et réduit les temps d'arrêt de la machine causés par le remplacement des composants.


3. Excellente uniformité et stabilité thermiques

Nous avons optimisé la répartition du champ thermique dans la plage de températures de fonctionnement grâce à une conception précise de la structure du substrat et au contrôle de l'épaisseur du revêtement. Cela se traduit directement par une excellente uniformité de l'épaisseur et de la résistivité dans la plaquette épitaxiale, contribuant ainsi à améliorer le rendement de fabrication des puces.


4. Excellente force d’adhérence du revêtement

Une technologie unique de prétraitement de surface et de revêtement par gradient permet au revêtement en carbure de silicium de former une couche de liaison solide avec le substrat en graphite, empêchant ainsi efficacement les problèmes de pelage, d'écaillage ou de fissuration du revêtement qui peuvent survenir lors d'un cycle thermique à long terme.


5. Taille précise et réplication structurelle

Nous possédons des capacités matures d'usinage et de test CNC, nous permettant de reproduire complètement la géométrie complexe, les dimensions de la cavité et les interfaces de montage de la base d'origine, garantissant ainsi une correspondance parfaite et une fonctionnalité plug-and-play avec la plate-forme du client.


6. Avenant de vérification de la chaîne écologique

Le suscepteur en graphite à revêtement Veteksemicon SiC pour la vérification de la chaîne écologique d'ASM couvre les matières premières jusqu'à la production, a passé la certification des normes internationales et dispose d'un certain nombre de technologies brevetées pour garantir sa fiabilité et sa durabilité dans les domaines des semi-conducteurs et des nouvelles énergies.

Pour des spécifications techniques détaillées, des livres blancs ou des modalités de test d'échantillons, veuillez contacter notre équipe d'assistance technique pour découvrir comment Veteksemicon peut améliorer l'efficacité de votre processus.


Principaux domaines d'application


Sens de candidature
Scénario typique
Fabrication de dispositifs de puissance SiC
Dans la croissance homoépitaxiale SiC, le substrat supporte directement le substrat en carbure de silicium, confronté à des températures élevées supérieures à 1 600 °C et à un environnement gazeux hautement gravable.
Fabrication de dispositifs RF et de puissance à base de silicium
Utilisé pour faire croître des couches épitaxiales sur des substrats de silicium, servant de base à la fabrication de dispositifs de puissance haut de gamme tels que des transistors bipolaires à grille isolée (IGBT), des MOSFET à superjonction et des dispositifs à radiofréquence (RF).
Épitaxie de semi-conducteurs composés de troisième génération
Par exemple, dans la croissance hétéroépitaxiale de GaN-sur-Si (nitrure de gallium sur silicium), il sert de composant clé supportant les substrats en saphir ou en silicium.


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