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Suscepteur à revêtement MOCVD SiC
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Suscepteur à revêtement MOCVD SiC

Le suscepteur à revêtement SiC VETEK MOCVD est une solution de support conçue avec précision, spécialement développée pour la croissance épitaxiale des LED et des semi-conducteurs composés. Il démontre une uniformité thermique et une inertie chimique exceptionnelles dans les environnements MOCVD complexes. En tirant parti du processus rigoureux de dépôt CVD de VETEK, nous nous engageons à améliorer la cohérence de la croissance des plaquettes et à prolonger la durée de vie des composants de base, en fournissant une assurance de performances stables et fiables pour chaque lot de votre production de semi-conducteurs.

Paramètres techniques


Propriétés physiques de base du revêtement CVD SiC
Propriété
Valeur typique
Structure cristalline
Phase β FCC polycristalline, orientation principalement (111)
Densité
3,21 g/cm³
Dureté
Dureté Vickers 2500 (charge de 500 g)
Taille des grains
2~10μm
Pureté chimique
99,99995%
Capacité thermique
640 J·kg-1·K-1
Température de sublimation
2700 ℃
Résistance à la flexion
415 MPa RT 4 points
Module de Young
Courbure 430 Gpa 4pt, 1300℃
Conductivité thermique
300W·m-1·K-1
Expansion thermique (CTE)
4,5×10-6K-1


CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE

STRUCTURE CRISTALLINE DU FILM CVD SIC


Définition et composition du produit


Le suscepteur revêtu de SiC VETEK MOCVD est un composant porteur de tranche haut de gamme conçu spécifiquement pour le traitement épitaxial de semi-conducteurs de troisième génération, tels que GaN et SiC. Ce produit intègre les propriétés physiques supérieures de deux matériaux haute performance :


Substrat graphite de haute pureté: Fabriqué à l'aide d'une technologie de pressage isostatique pour garantir que le matériau de base possède une intégrité structurelle, une densité élevée et une stabilité de traitement thermique exceptionnelles.

Revêtement CVD SiC: Une couche protectrice dense et sans contrainte en carbure de silicium (SiC) est développée sur la surface du graphite grâce à la technologie avancée de dépôt chimique en phase vapeur (CVD).


Pourquoi VETEK est votre garantie de rendement


Précision ultime dans le contrôle de l'uniformité thermique: Contrairement aux supports conventionnels, les suscepteurs VETEK réalisent un transfert de chaleur hautement synchronisé sur toute la surface grâce à un contrôle de précision à l'échelle nanométrique de l'épaisseur du revêtement et de la résistance thermique. Cette gestion thermique sophistiquée minimise efficacement l'écart type de longueur d'onde (STD) sur la surface de la tranche, améliorant ainsi considérablement la qualité d'une tranche unique et la cohérence globale du lot.

Protection à long terme sans contamination par les particules: Dans les chambres de réaction MOCVD contenant des gaz hautement corrosifs, les socles en graphite ordinaires sont sujets à l'écaillage des particules. Le revêtement CVD SiC de VETEK possède une inertie chimique exceptionnelle, agissant comme un bouclier impénétrable qui scelle les micropores du graphite. Cela garantit une isolation totale des impuretés du substrat, empêchant toute contamination des couches épitaxiales de GaN ou de SiC.

Résistance à la fatigue et durée de vie exceptionnelles :Grâce au processus de traitement d'interface exclusif de VETEK, notre revêtement SiC atteint une correspondance de dilatation thermique optimisée avec le substrat en graphite. Même sous des cycles thermiques à haute fréquence entre des températures extrêmes, le revêtement maintient une adhérence supérieure sans peler ni développer de microfissures. Cela réduit considérablement la fréquence de maintenance des pièces de rechange et diminue votre coût total de possession.


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