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Support de plaquette de revêtement SiC
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Support de plaquette de revêtement SiC

En tant que fabricant et fournisseur professionnel de supports de tranches à revêtement SiC, les supports de tranches à revêtement SiC de Vetek Semiconductor sont principalement utilisés pour améliorer l'uniformité de croissance des couches épitaxiales, garantissant leur stabilité et leur intégrité dans des environnements corrosifs et à haute température.

Vetek Semiconductor est spécialisé dans la fabrication et la fourniture de supports de tranches à revêtement SiC hautes performances et s'engage à fournir des technologies et des solutions de produits avancées à l'industrie des semi-conducteurs.


Dans la fabrication de semi-conducteurs, le support de plaquette de revêtement SiC de Vetek Semiconductor est un composant clé des équipements de dépôt chimique en phase vapeur (CVD), en particulier dans les équipements de dépôt chimique en phase vapeur organométallique (MOCVD). Sa tâche principale est de soutenir et de chauffer le substrat monocristallin afin que la couche épitaxiale puisse croître uniformément. Ceci est essentiel pour fabriquer des dispositifs semi-conducteurs de haute qualité.


La résistance à la corrosion du revêtement SiC est très bonne, ce qui peut protéger efficacement la base en graphite des gaz corrosifs. Ceci est particulièrement important dans les environnements à haute température et corrosifs. De plus, la conductivité thermique du matériau SiC est également très excellente, ce qui permet de conduire uniformément la chaleur et d'assurer une répartition uniforme de la température, améliorant ainsi la qualité de croissance des matériaux épitaxiaux.


Le revêtement SiC maintient la stabilité chimique à haute température et dans une atmosphère corrosive, évitant ainsi le problème de défaillance du revêtement. Plus important encore, le coefficient de dilatation thermique du SiC est similaire à celui du graphite, ce qui peut éviter le problème de perte de revêtement dû à la dilatation et à la contraction thermiques et garantir la stabilité et la fiabilité à long terme du revêtement.


Propriétés physiques de base deSupport de plaquette de revêtement SiC:


Propriétés physiques de base du revêtement CVD SiC
Propriété
Valeur typique
Structure cristalline
Phase β FCC polycristalline, principalement orientée (111)
Densité
3,21 g/cm³
Dureté
Dureté Vickers 2500 (charge de 500 g)
Taille des grains
2~10μm
Pureté chimique
99,99995%
Capacité thermique
640 J·kg-1·K-1
Température de sublimation
2700 ℃
Résistance à la flexion
415 MPa RT 4 points
Module de Young
Courbure 430 Gpa 4pt, 1300℃
Conductivité thermique
300W·m-1·K-1
Expansion thermique (CTE)
4,5×10-6K-1


Atelier de production:

VeTek Semiconductor Production Shop


Aperçu de la chaîne industrielle de l’épitaxie des puces semi-conductrices:

Overview of the semiconductor chip epitaxy industry chain


Balises actives: Support de plaquette de revêtement SiC, support de plaquette en carbure de silicium, support de plaquette semi-conducteur
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