Pièces en graphite demi-lune avec revêtement SiC

Dans la chambre de réaction du four de croissance épitaxiale SiC, les pièces en graphite Halfmoon avec revêtement SiC sont des composants clés pour optimiser la distribution du flux de gaz, le contrôle du champ thermique et l'uniformité de l'atmosphère de réaction. Ils sont généralement constitués d'un revêtement SiCgraphite, conçu dans une forme demi-lune, situé dans les parties graphite supérieure et inférieure de la chambre de réaction, entourant la zone du substrat.

    •Partie de graphite supérieure de HalfMoon: installé dans la partie supérieure de la chambre de réaction, près de l'entrée de gaz, chargé de guider le gaz de réaction vers la surface du substrat.

    •Partie de graphite de demi-lune inférieure: Situé au bas de la chambre de réaction, généralement en dessous du support de substrat, utilisé pour contrôler la direction du flux de gaz et optimiser le champ thermique et la distribution du gaz au bas du substrat.

PendantProcédé d'épitaxie SiC, la partie graphite supérieure de la demi-lune aide à guider le débit de gaz pour être réparti uniformément sur le substrat, empêchant le gaz d'avoir un impact direct sur la surface du substrat et provoquant une surchauffe locale ou une turbulence du débit d'air. La partie graphite de demi-lune inférieure permet au gaz de circuler en douceur à travers le substrat, puis d'être déchargé, tout en empêchant la turbulence d'affecter l'uniformité de croissance de la couche épitaxiale.

En termes de régulation des champs thermiques, les pièces de graphite de demi-lune en sic aident à distribuer uniformément la chaleur dans la chambre de réaction par la forme et la position. La partie graphite supérieure de la demi-lune peut refléter efficacement la chaleur rayonnante du radiateur pour garantir que la température au-dessus du substrat est stable. La partie graphite de demi-lune inférieure a également un rôle similaire, aidant à distribuer uniformément la chaleur en dessous du substrat par conduction thermique pour éviter des différences de température excessives.

Le revêtement SiC rend les composants résistants aux températures élevées et conducteurs thermiques, de sorte que les pièces en demi-lune de VeTek Semiconductor ont une longue durée de vie. Soigneusement conçues, nos pièces en graphite demi-lune pour l'épitaxie SiC peuvent être intégrées de manière transparente dans de nombreux réacteurs épitaxiaux, contribuant ainsi à améliorer l'efficacité et la fiabilité globales du processus de fabrication des semi-conducteurs. Quels que soient vos besoins en pièces en graphite Halfmoon avec revêtement SiC, veuillez contacter VeTek Semiconductor.

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