EPI en revêtement en carbure de silicium

L'épitaxie de semi-conducteur fait référence à la croissance d'un film mince avec une structure de réseau spécifique sur la surface d'un matériau de substrat par des méthodes telles que le dépôt en phase gazeuse, en phase liquide ou par faisceau moléculaire, de sorte que la couche de film mince nouvellement développée (couche épitaxiale) ait le structure et orientation de treillis identiques ou similaires à celles du substrat. 

La technologie de l'épitaxie est cruciale dans la fabrication de semi-conducteurs, en particulier dans la préparation de films minces de haute qualité, tels que des couches monocristallines, des hétérostructures et des structures quantiques utilisées pour fabriquer des dispositifs hautes performances.

Le suscepteur EPI revêtu de carbure de silicium est un composant clé utilisé pour soutenir le substrat dans l'équipement de croissance épitaxial et est largement utilisé dans l'épitaxie du silicium. La qualité et les performances du piédestal épitaxial affectent directement la qualité de croissance de la couche épitaxiale et jouent un rôle vital dans la performance finale des appareils semi-conducteurs.

It semi-conducteura enduit une couche de revêtement SIC sur la surface du graphite SGL par la méthode CVD et a obtenu un suscepteur épi recouvert de SiC avec des propriétés telles que la résistance aux températures élevées, la résistance à l'oxydation, la résistance à la corrosion et l'uniformité thermique.

Dans un réacteur en baril typique, le suscepteur EPI revêtu de carbure de silicium a une structure de baril. Le bas du suscepteur EPI revêtu de SiC est connecté à l'arbre rotatif. Pendant le processus de croissance épitaxiale, il maintient une rotation alternée dans le sens horaire et dans le sens antihoraire. Le gaz de réaction pénètre dans la chambre de réaction à travers la buse, de sorte que le débit de gaz forme une distribution assez uniforme dans la chambre de réaction et forme enfin une croissance uniforme de la couche épitaxiale.

La relation entre le changement de masse du graphite revêtu de SiC et le temps d'oxydation

Les résultats des études publiées montrent qu’à 1400℃ et 1600℃, la masse du graphite revêtu de SiC augmente très peu. Autrement dit, le graphite revêtu de SiC a une forte capacité antioxydante. Par conséquent, le suscepteur Epi revêtu de SiC peut fonctionner longtemps dans la plupart des fours épitaxiaux. Si vous avez plus d'exigences ou des besoins personnalisés, veuillez nous contacter. Nous nous engageons à fournir des solutions de suscepteurs Epi à revêtement SiC de la meilleure qualité.

Propriétés physiques de base du revêtement CVD SiC

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