Carrier de plaquette satellite Aixtron

Le porte-plaquette Satellite Aixtron fait partie intégrante de l'équipement AIXTRON MOCVD, spécialement utilisé pour transporter des plaquettes pour la croissance épitaxiale. Il convient particulièrement pour lecroissance épitaxialeProcessus des dispositifs GAn et en carbure de silicium (SIC). Sa conception unique "satellite" assure non seulement l'uniformité du flux de gaz, mais améliore également l'uniformité du dépôt de film sur la surface de la plaquette.

Aixtronporte-avionssont généralement faits decarbure de silicium (sic)ou graphite enduit de CVD. Parmi eux, le carbure de silicium (SIC) a une excellente conductivité thermique, une résistance à la température élevée et un faible coefficient de dilatation thermique. Le graphite revêtu de CVD est enduit de graphite d'un film de carbure de silicium à travers un processus de dépôt de vapeur chimique (CVD), qui peut améliorer sa résistance à la corrosion et sa résistance mécanique. Les matériaux de graphite en SiC et en revêtement peuvent résister à des températures allant jusqu'à 1400 ° C - 1 600 ° C et avoir une excellente stabilité thermique à des températures élevées, ce qui est essentiel pour le processus de croissance épitaxial.

Le porte-plaquette satellite Aixtron est principalement utilisé pour transporter et faire tourner des plaquettes dans leProcessus mocvdPour assurer un débit de gaz uniforme et un dépôt uniforme pendant la croissance épitaxiale.Les fonctions spécifiques sont les suivantes:

● Rotation des plaquettes et dépôt uniforme: Grâce à la rotation du porte-satellite Aixtron, la tranche peut maintenir un mouvement stable pendant la croissance épitaxiale, permettant au gaz de s'écouler uniformément sur la surface de la plaquette pour assurer un dépôt uniforme de matériaux.

● Roulement et stabilité à haute température: Le carbure de silicium ou les matériaux en graphite enrobés peuvent résister à des températures jusqu'à 1 400 ° C - 1 600 ° C. Cette caractéristique garantit que la plaquette ne se déformera pas pendant la croissance épitaxiale à haute température, tout en empêchant l'expansion thermique du porte-avions lui-même d'affecter le processus épitaxial.

● Réduction de la génération de particules: Les matériaux porteurs de haute qualité (tels que SIC) ont des surfaces lisses qui réduisent la génération de particules pendant le dépôt de vapeur, minimisant ainsi la possibilité de contamination, qui est essentielle pour produire des matériaux semi-conducteurs de haute pureté et de haute qualité.

Le transporteur de plaquettes de satellite Aixtron de VetekSeMICON est disponible en tailles de plaquettes de 100 mm, 150 mm, 200 mm et encore plus grandes, et peut fournir des services de produits personnalisés en fonction de vos équipements et des exigences de processus. Nous espérons sincèrement être votre partenaire à long terme en Chine.

Données SEM de la structure cristalline du film SIC CVD：

AIXTRON SATTELLITE WAFER CORSTER DE PRODUCTION: