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Carbure de silicium solide

Le carbure de silicium solide semi-conducteur Vetek est un composant en céramique important dans l'équipement de gravure du plasma, du carbure de silicium solide (Carbure de silicium CVD)) Les pièces de l'équipement de gravure comprennentFocus des anneaux, pomme de douche à gaz, plateau, anneaux de bord, etc. En raison de la faible réactivité et de la conductivité du carbure de silicium solide (carbure de silicium CVD) au chlore - et aux gaz de gravure contenant du fluor, il s'agit d'un matériau idéal pour l'équipement de gravure du plasma focalisant les anneaux et autres composants.


Par exemple, l'anneau de mise au point est une partie importante placée à l'extérieur de la tranche et en contact direct avec la tranche, en appliquant une tension sur l'anneau pour concentrer le plasma passant par l'anneau, concentrant ainsi le plasma sur la tranche pour améliorer l'uniformité du traitement. L'anneau de mise au point traditionnel est en silicium ouquartz, le silicium conducteur en tant que matériau de l'anneau de mise au point commun, il est presque proche de la conductivité des plaquettes de silicium, mais la pénurie est une mauvaise résistance à la gravure dans le plasma contenant du fluor, les matériaux de machine à gravure souvent utilisés pendant un certain temps, il y aura un phénomène de corrosion sérieux, réduisant sérieusement son efficacité de production.


SAnneau de mise au point Olid SicPrincipe de travail

Working Principle of Solid SiC Focus Ring


Comparaison de l'anneau de focalisation basé sur Si et du cycle de focalisation SIC CVD:

Comparaison de la bague de mise au point basée sur Si et de la bague de focalisation SIC CVD
Article Et Cvd sic
Densité (g / cm3) 2.33 3.21
Bandage (EV) 1.12 2.3
Conductivité thermique (avec cm ℃) 1.5 5
CTE (x10-6/ ℃) 2.6 4
Module élastique (GPA) 150 440
Dureté (GPA) 11.4 24.5
Résistance à l'usure et à la corrosion Pauvre Excellent


Vetek Semiconductor propose des pièces avancées en carbure de silicium solide (carbure de silicium CVD) comme les anneaux de focalisation SIC pour l'équipement de semi-conducteur. Notre carbure de silicium solide en focalisant les anneaux surpassent le silicium traditionnel en termes de résistance mécanique, de résistance chimique, de conductivité thermique, de durabilité à haute température et de résistance à la gravure des ions.


Les caractéristiques clés de nos anneaux de focalisation SIC incluent:

Densité élevée pour les taux de gravure réduits.

Excellente isolation avec une bande interdite élevée.

Haute conductivité thermique et faible coefficient d'expansion thermique.

Résistance à l'impact mécanique supérieur et élasticité.

Haute dureté, résistance à l'usure et résistance à la corrosion.

Fabriqué à l'aideDépôt de vapeur chimique amélioré par plasma (PECVD)Techniques, nos anneaux de focalisation SIC répondent aux demandes croissantes des processus de gravure dans la fabrication de semi-conducteurs. Ils sont conçus pour résister à la puissance et à l'énergie du plasma plus élevées, en particulier dansplasma couplé capacivement (CCP)Systèmes.

Les anneaux de focalisation SIC de Vetek Semiconductor offrent des performances et une fiabilité exceptionnelles dans la fabrication des appareils semi-conducteurs. Choisissez nos composants sic pour une qualité et une efficacité supérieures.


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Bagues de mise au point en SiC massif

Bagues de mise au point en SiC massif

Conçue pour entourer la zone de suivi de la tranche, la bague de mise au point en SiC solide assure une distribution linéaire du plasma et des profils de gravure précis bord à centre. Ces composants β-SiC haut de gamme sont construits par Vetek Semiconductor (Wuyi Tianyao New Material Technology Co., LTD) à l'aide de la technologie exclusive de dépôt chimique en phase vapeur (CVD). En vaporisant les matières premières dans une matrice dense et sans liant, Vetek élimine les micro-interstices poreux courants dans les matériaux plus anciens. Par rapport au blindage standard en quartz ou en silicium, nos composants CVD SiC résistent bien mieux aux gaz halogènes corrosifs, protégeant la plaquette dans une logique profonde inférieure à 7 nm et une fabrication de puces mémoire denses. Dans l'attente de votre demande plus approfondie.
Bague de mise au point en carbure de silicium massif

Bague de mise au point en carbure de silicium massif

La bague de focalisation Veteksemicon en carbure de silicium solide (SiC) est un composant consommable essentiel utilisé dans les processus avancés d'épitaxie de semi-conducteurs et de gravure au plasma, où un contrôle précis de la distribution du plasma, de l'uniformité thermique et des effets de bord des tranches est essentiel. Fabriquée à partir de carbure de silicium solide de haute pureté, cette bague de focalisation présente une résistance exceptionnelle à l'érosion du plasma, une stabilité à haute température et une inertie chimique, permettant des performances fiables dans des conditions de processus agressives. Nous attendons votre demande avec impatience.
Bague de mise au point en carbure de silicium

Bague de mise au point en carbure de silicium

La bague de mise au point Veteksemicon est conçue spécifiquement pour les équipements de gravure de semi-conducteurs exigeants, en particulier les applications de gravure SiC. Monté autour du mandrin électrostatique (ESC), à proximité immédiate de la tranche, sa fonction principale est d'optimiser la répartition du champ électromagnétique dans la chambre de réaction, garantissant une action plasma uniforme et ciblée sur toute la surface de la tranche. Une bague de mise au point haute performance améliore considérablement l'uniformité du taux de gravure et réduit les effets de bord, augmentant ainsi directement le rendement du produit et l'efficacité de la production.
Bague de mise au point en SiC massif

Bague de mise au point en SiC massif

La bague de mise au point en SiC solide Veteksemi améliore considérablement l'uniformité de la gravure et la stabilité du processus en contrôlant avec précision le champ électrique et le flux d'air au bord de la tranche. Il est largement utilisé dans les processus de gravure de précision pour le silicium, les diélectriques et les matériaux semi-conducteurs composés, et constitue un élément clé pour garantir le rendement de la production de masse et le fonctionnement fiable des équipements à long terme.
CVD SIC enduit de douche en graphite

CVD SIC enduit de douche en graphite

La tête de douche en graphite enrobée de CVD SIC de VetekSeMICON est un composant haute performance spécialement conçu pour les processus de dépôt chimique de vapeur parmi les semi-conducteurs (CVD). Fabriqué à partir de graphite de haute pureté et protégé par un revêtement en carbure de silicium (CVD) en carbure de vapeur chimique (CVD), cette pomme de douche offre une durabilité exceptionnelle, une stabilité thermique et une résistance aux gaz de processus corrosifs. Dans l'attente de votre nouvelle consultation.
Anneau de bord SIC

Anneau de bord SIC

Anneaux de bord SIC VetekSeMICON à haute pureté, spécialement conçus pour l'équipement de gravure semi-conducteur, comporte une résistance à la corrosion exceptionnelle et une stabilité thermique, améliorant considérablement le rendement de la plaquette

Veteksemicon solid silicon carbide is the ideal procurement material for high-temperature, high-strength, and corrosion-resistant components used in semiconductor and industrial applications. As a fully dense, monolithic ceramic, solid silicon carbide (SiC) offers unmatched mechanical rigidity, extreme thermal conductivity, and exceptional chemical durability in harsh processing environments. Veteksemicon’s solid SiC is specifically developed for critical structural applications such as SiC wafer carriers, cantilever paddles, susceptors, and showerheads in semiconductor equipment.


Manufactured through pressureless sintering or reaction bonding, our solid silicon carbide parts exhibit excellent wear resistance and thermal shock performance, even at temperatures above 1600°C. These properties make solid SiC the preferred material for CVD/PECVD systems, diffusion furnaces, and oxidation furnaces, where long-term thermal stability and purity are essential.


Veteksemicon also offers custom-machined SiC parts, enabling tight dimensional tolerances, high surface quality, and application-specific geometries. Additionally, solid SiC is non-reactive in both oxidizing and reducing atmospheres, enhancing its suitability for plasma, vacuum, and corrosive gas environments.


To explore our full range of solid silicon carbide components and discuss your project specifications, please visit the Veteksemicon product detail page or contact us for technical support and quotations.


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