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Vetek Semiconductor a participé au CSEAC 2026 à Wuxi, en Chine, pour présenter ses revêtements CVD avancés SiC et TaC, ses composants en graphite, ses céramiques SiC et d'autres matériaux de base semi-conducteurs. L'événement a fourni de précieuses opportunités pour renforcer les partenariats avec les clients, discuter de nouvelles technologies, faire progresser les projets de coopération et explorer les opportunités futures dans l'industrie mondiale des semi-conducteurs.

VETEK Semiconductor est spécialisé dans six grandes catégories de produits, notamment les revêtements CVD SiC, les revêtements CVD TaC, le Solid SiC, le graphite et la fibre de carbone de haute pureté, le quartz et les céramiques avancées, ainsi que les plaquettes semi-conductrices. Nos produits servent à des processus critiques de semi-conducteurs tels que l'épitaxie, la gravure et la croissance cristalline. Avec deux plates-formes de R&D, un système de fabrication entièrement intégré et des capacités d'approvisionnement mondiales, nous sommes reconnus comme une « petite entreprise géante » nationale spécialisée et sophistiquée.

La nouvelle usine de fabrication de semi-conducteurs de VETEK est entrée dans la phase de construction d'une salle blanche de qualité semi-conducteur. Le nouveau site prendra en charge la production de composants en graphite revêtus de SiC CVD, de revêtements TaC, de revêtements PyC, de pièces en SiC solide et de matériaux en graphite de haute pureté pour les applications semi-conductrices.

VeTek Semiconductor partage les informations clés du SNEC 2026 Shanghai, mettant en avant le graphite de haute pureté, les composants en graphite à revêtement CVD SiC, les composites de carbone et les matériaux de champ thermique avancés prenant en charge la fabrication solaire et la production photovoltaïque de nouvelle génération.

VETEK célèbre la cérémonie d'inauguration de sa nouvelle base de fabrication de semi-conducteurs, augmentant ainsi sa capacité de production pour les technologies avancées de revêtement SiC, TaC et PyC, les composants Solid SiC, les pièces en graphite de haute pureté et les matériaux de champ thermique semi-conducteurs.

Le 5 septembre, les clients de Vetek Semiconductor ont visité les usines de revêtement SIC et de revêtement TAC et ont conclu d'autres accords sur les dernières solutions de processus épitaxiales.

Le 5 septembre 2025, un client polonais a visité une usine sous VETEK pour en savoir plus sur nos technologies avancées et nos processus innovants dans la production de produits en fibre de carbone.

Le revêtement CVD en carbure de silicium est produit en déposant une couche dense de SiC sur du graphite de haute pureté par des réactions contrôlées en phase gazeuse et en surface. Cet article explique la préparation du substrat, la croissance CVD basée sur MTS, la nucléation et le transfert de masse, l'épaisseur et l'uniformité du revêtement, les contraintes d'interface SiC/graphite, les défauts courants et l'inspection de la qualité des semi-conducteurs. Il montre également pourquoi les paramètres de processus et la géométrie des composants doivent être conçus ensemble pour les suscepteurs et les supports de tranches utilisés en épitaxie et MOCVD.

Le revêtement en carbure de silicium est une couche dense de SiC CVD appliquée aux composants en graphite de haute pureté utilisés dans le traitement des semi-conducteurs. Cet article explique pourquoi le graphite est recouvert de SiC, comment le SiC CVD est formé, quelles propriétés de revêtement et facteurs d'interface contrôlent les performances, et comment le graphite revêtu de SiC prend en charge l'épitaxie de silicium, l'épitaxie SiC et le MOCVD. Il examine également l'épaisseur du revêtement, l'inadéquation du CTE, le risque de délaminage et les informations techniques requises lors de la spécification des suscepteurs, des supports de tranches et d'autres composants revêtus.

Livre blanc technique sur la façon dont les revêtements CVD SiC et TaC influencent la stabilité thermique, la contamination, les particules et la répétabilité dans l'épitaxie des semi-conducteurs, avec des tableaux de paramètres, un arbre décisionnel de sélection de revêtement, des mécanismes de défaillance et des critères d'appel d'offres.

Le SiC de 8 pouces est désormais produit en volume, mais le rendement des plaquettes (et non la capacité) sépare les gagnants. Ce guide explique pourquoi le revêtement TaC sur les pièces en graphite à zone chaude détermine le rendement et comment qualifier un fournisseur.

Dans la fabrication moderne de puces, le substrat fournit un support physique et un chemin de dissipation thermique, tandis que la couche épitaxiale détermine les limites de performances électriques du dispositif. Cet article fournit une analyse approfondie des différences fondamentales entre les substrats de silicium monocristallin et de carbure de silicium et les processus épitaxiaux CVD/MBE, et révèle comment la technologie épitaxiale améliore les performances des dispositifs haute fréquence et haute tension en réduisant la densité des défauts et en intégrant l'ingénierie des contraintes. Que vous soyez ingénieur procédés ou décideur en approvisionnement, ce guide vous aidera à identifier rapidement la stratégie de sélection de plaquettes la plus adaptée.

Analyse approfondie des causes du jaunissement des bords et du pelage du revêtement de carbure de silicium sur les suscepteurs de graphite d'épitaxie MOCVD. VeTek a éliminé les micro-stress en contrôlant avec précision le taux de dépôt CVD initial et le champ d'écoulement, augmentant ainsi le rendement du revêtement de 50 % à 90 % et prolongeant la durée de vie des pièces en graphite de haute pureté.

Répondant à une variation d'épaisseur de 1,4 % d'une poche à l'autre dans les suscepteurs de graphite pour épitaxie de silicium multi-poches, VeTek Semi a amélioré la planéité du suscepteur à < 0,08 mm et réduit la variation à 0,69 % grâce à la simulation du champ d'écoulement CVD et au revêtement SiC ultra-précis, augmentant ainsi le rendement des tranches.

Découvrez comment Vetek a éliminé la fissuration radiale dans les suscepteurs en graphite MOCVD de grande taille à revêtement SiC. La refonte du tampon de contrainte structurelle et la correspondance CTE ont augmenté la durée de vie de 300 %+.

Une décennie d'évolution du SiC — depuis les premiers défis de commercialisation du 4 pouces jusqu'à la transition actuelle vers les tranches de 8 pouces. Découvrez comment les revêtements CVD SiC, les matériaux Solid SiC et TaC permettent une fabrication fiable de semi-conducteurs.