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Vetek Semiconductor a participé au CSEAC 2026 à Wuxi, en Chine, pour présenter ses revêtements CVD avancés SiC et TaC, ses composants en graphite, ses céramiques SiC et d'autres matériaux de base semi-conducteurs. L'événement a fourni de précieuses opportunités pour renforcer les partenariats avec les clients, discuter de nouvelles technologies, faire progresser les projets de coopération et explorer les opportunités futures dans l'industrie mondiale des semi-conducteurs.

VETEK Semiconductor est spécialisé dans six grandes catégories de produits, notamment les revêtements CVD SiC, les revêtements CVD TaC, le Solid SiC, le graphite et la fibre de carbone de haute pureté, le quartz et les céramiques avancées, ainsi que les plaquettes semi-conductrices. Nos produits servent à des processus critiques de semi-conducteurs tels que l'épitaxie, la gravure et la croissance cristalline. Avec deux plates-formes de R&D, un système de fabrication entièrement intégré et des capacités d'approvisionnement mondiales, nous sommes reconnus comme une « petite entreprise géante » nationale spécialisée et sophistiquée.

La nouvelle usine de fabrication de semi-conducteurs de VETEK est entrée dans la phase de construction d'une salle blanche de qualité semi-conducteur. Le nouveau site prendra en charge la production de composants en graphite revêtus de SiC CVD, de revêtements TaC, de revêtements PyC, de pièces en SiC solide et de matériaux en graphite de haute pureté pour les applications semi-conductrices.

VeTek Semiconductor partage les informations clés du SNEC 2026 Shanghai, mettant en avant le graphite de haute pureté, les composants en graphite à revêtement CVD SiC, les composites de carbone et les matériaux de champ thermique avancés prenant en charge la fabrication solaire et la production photovoltaïque de nouvelle génération.

VETEK célèbre la cérémonie d'inauguration de sa nouvelle base de fabrication de semi-conducteurs, augmentant ainsi sa capacité de production pour les technologies avancées de revêtement SiC, TaC et PyC, les composants Solid SiC, les pièces en graphite de haute pureté et les matériaux de champ thermique semi-conducteurs.

Le 5 septembre, les clients de Vetek Semiconductor ont visité les usines de revêtement SIC et de revêtement TAC et ont conclu d'autres accords sur les dernières solutions de processus épitaxiales.

Le 5 septembre 2025, un client polonais a visité une usine sous VETEK pour en savoir plus sur nos technologies avancées et nos processus innovants dans la production de produits en fibre de carbone.

Découvrez les capacités d'usinage de précision CNC de VeTek Semiconductor pour le graphite de haute pureté, les composants revêtus CVD SiC/TaC, les pièces SiC solides et les solutions de semi-conducteurs personnalisées.

Découvrez la céramique VeTek en nitrure de silicium (Si₃N₄) avec une densité de 3,2 g/cm³, une résistance à la flexion de 610 MPa, un CTE de 2,6 × 10⁻⁶/°C et une excellente résistance aux chocs thermiques jusqu'à 800°C. Idéal pour les équipements semi-conducteurs, les modules de puissance, la métallurgie, l'aérospatiale et les applications industrielles à haute température. Plaques, tiges, tubes et pièces de précision personnalisés disponibles.

Les supports de tranches de graphite revêtus de SiC sont des composants thermiques et mécaniques essentiels dans les systèmes MOCVD pour l'épitaxie GaN et LED. Cet article technique explique comment la géométrie du support, la profondeur de la poche, la planéité, les propriétés du graphite et l'état du revêtement CVD SiC influencent la distribution de la température des plaquettes, l'uniformité de l'épitaxie et la répétabilité du processus. Il examine également la relation entre l'uniformité thermique et le rendement du dispositif, les mécanismes courants de dégradation du revêtement, les considérations relatives à la durée de vie et les données techniques requises lors de la spécification d'un support de plaquette MOCVD personnalisé ou de remplacement.

Le graphite recouvert de SiC combine l'usinabilité et le comportement thermique du graphite de haute pureté avec une surface chimiquement stable en carbure de silicium CVD. Ce livre blanc technique explique pourquoi le graphite nu peut devenir une source d'interaction chimique, d'impuretés et de particules dans les réacteurs d'épitaxie, comment le CVD SiC crée une limite de processus plus stable et pourquoi l'intégrité du revêtement, la compatibilité du substrat, la géométrie et le comportement thermique doivent être conçus ensemble. Il examine également les différentes exigences de l'épitaxie du silicium et du SiC et décrit comment les suscepteurs revêtus doivent être spécifiés pour les applications de semi-conducteurs.

Un suscepteur en graphite recouvert de SiC est un composant critique du champ thermique dans l'épitaxie des semi-conducteurs plutôt qu'un simple support de tranche. Cet article technique explique comment la géométrie du suscepteur, la planéité, la conception des poches, les propriétés du graphite et la qualité du revêtement CVD SiC fonctionnent ensemble pour influencer les limites thermiques des tranches, la distribution de la température et l'uniformité épitaxiale. Il examine également les modes de défaillance courants des suscepteurs, la dégradation du revêtement, les risques liés aux particules et les paramètres techniques clés requis lors de la spécification d'un suscepteur d'épitaxie personnalisé ou de remplacement.

Le revêtement CVD en carbure de silicium est produit en déposant une couche dense de SiC sur du graphite de haute pureté par des réactions contrôlées en phase gazeuse et en surface. Cet article explique la préparation du substrat, la croissance CVD basée sur MTS, la nucléation et le transfert de masse, l'épaisseur et l'uniformité du revêtement, les contraintes d'interface SiC/graphite, les défauts courants et l'inspection de la qualité des semi-conducteurs. Il montre également pourquoi les paramètres de processus et la géométrie des composants doivent être conçus ensemble pour les suscepteurs et les supports de tranches utilisés en épitaxie et MOCVD.

Le revêtement en carbure de silicium est une couche dense de SiC CVD appliquée aux composants en graphite de haute pureté utilisés dans le traitement des semi-conducteurs. Cet article explique pourquoi le graphite est recouvert de SiC, comment le SiC CVD est formé, quelles propriétés de revêtement et facteurs d'interface contrôlent les performances, et comment le graphite revêtu de SiC prend en charge l'épitaxie de silicium, l'épitaxie SiC et le MOCVD. Il examine également l'épaisseur du revêtement, l'inadéquation du CTE, le risque de délaminage et les informations techniques requises lors de la spécification des suscepteurs, des supports de tranches et d'autres composants revêtus.

Livre blanc technique sur la façon dont les revêtements CVD SiC et TaC influencent la stabilité thermique, la contamination, les particules et la répétabilité dans l'épitaxie des semi-conducteurs, avec des tableaux de paramètres, un arbre décisionnel de sélection de revêtement, des mécanismes de défaillance et des critères d'appel d'offres.

Le SiC de 8 pouces est désormais produit en volume, mais le rendement des plaquettes (et non la capacité) sépare les gagnants. Ce guide explique pourquoi le revêtement TaC sur les pièces en graphite à zone chaude détermine le rendement et comment qualifier un fournisseur.