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CVD SIC revêtement d'élément de chauffage
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CVD SIC revêtement d'élément de chauffage

CVD SIC revêtement L'élément de chauffage joue un rôle de base dans les matériaux de chauffage dans la fournaise PVD (dépôt d'évaporation). Vetek Semiconductor est l'un des principaux fabricants d'éléments de chauffage en revêtement CVD CVD en Chine. Nous avons des capacités de revêtement CVD avancées et pouvons vous fournir des produits de revêtement CVD CVD personnalisés. Vetek Semiconductor a hâte de devenir votre partenaire dans l'élément de chauffage enduit de sic.

L'élément de chauffage du revêtement CVD SIC est principalement utilisé dans l'équipement PVD (dépôt physique de vapeur). Dans le processus d'évaporation, le matériau est chauffé pour atteindre l'évaporation ou la pulvérisation, et enfin un film mince uniforme se forme sur le substrat.


Ⅰ.Application spécifique

Dépôt de couches mince: un élément de chauffage de revêtement CVD SIC est utilisé dans la source d'évaporation ou la source de pulvérisation. En chauffant, l'élément chauffe le matériau à déposer à une température élevée, de sorte que ses atomes ou molécules sont séparés de la surface du matériau, formant ainsi la vapeur ou le plasma. Notre revêtement SIC basé sur les éléments de chauffage peut également chauffer directement certains matériaux métalliques ou céramiques pour les évaporer ou les sublimer dans un environnement sous vide pour une utilisation comme source de matériau dans le processus PVD. Étant donné que la structure a des rainures concentriques, elle peut mieux contrôler le chemin actuel et la distribution de la chaleur pour assurer l'uniformité du chauffage.

Schematic diagram of the evaporation PVD process

Diagramme schématique du processus PVD d'évaporation

Ⅱ.Principe de travail

Chauffage résistif, lorsque le courant traverse le chemin de résistance du radiateur enduit de SiC, la chaleur Joule est générée, réalisant ainsi l'effet du chauffage. La structure concentrique permet au courant d'être réparti uniformément. Un dispositif de contrôle de la température est généralement connecté à l'élément pour surveiller et ajuster la température.


Ⅲ.Conception matérielle et structurelle

L'élément de chauffage du revêtement SIC CVD est en graphite de haute pureté et en revêtement SIC pour faire face à un environnement à haute température. Le graphite de haute pureté lui-même a été largement utilisé comme matériau de champ thermique. Une fois une couche de revêtement appliquée sur la surface du graphite par la méthode des MCV, sa stabilité à haute température, sa résistance à la corrosion, son efficacité thermique et d'autres caractéristiques sont encore améliorées.


CVD SiC coating CVD SiC coating Heating Element


La conception des rainures concentriques permet au courant de former une boucle uniforme sur la surface du disque. Il atteint une distribution de chaleur uniforme, évite la surchauffe locale causée par la concentration dans certaines zones, réduit la perte de chaleur supplémentaire causée par la concentration actuelle et améliore ainsi l'efficacité du chauffage.


L'élément de chauffage du revêtement CVD SIC se compose de deux jambes et d'un corps. Chaque jambe a un fil qui se connecte à l'alimentation. Le semi-conducteur de Vetek peut fabriquer des parties en une seule pièce ou des pièces divisées, c'est-à-dire que les jambes et le corps sont fabriqués séparément puis assemblés. Peu importe les exigences que vous avez pour le radiateur enduit CVD SIC, veuillez nous consulter. Veteksemi peut fournir les produits dont vous avez besoin.


Propriétés physiques de base du revêtement SIC CVD:


Propriétés physiques de base du revêtement CVD SIC
Propriété
Valeur typique
Structure cristalline
FCC β phase polycristalline, principalement (111) orienté
Densité
3,21 g / cm³
Dureté
2500 Vickers dureté (charge de 500 g)
Taille des grains
2 ~ 10 mm
Pureté chimique
99,99995%
Capacité thermique
640 J · kg-1· K-1
Température de sublimation
2700 ℃
Résistance à la flexion
415 MPA RT 4 points
Module de Young
430 GPA 4pt Bend, 1300 ℃
Conductivité thermique
300W · M-1· K-1
Expansion thermique (CTE)
4,5 × 10-6K-1

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