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Chambre de réacteur épitaxial revêtue de SiC
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Chambre de réacteur épitaxial revêtue de SiC

La chambre du réacteur épitaxial à revêtement SiC Veteksemicon est un composant central conçu pour les processus exigeants de croissance épitaxiale de semi-conducteurs. Utilisant un dépôt chimique en phase vapeur (CVD) avancé, ce produit forme un revêtement SiC dense et de haute pureté sur un substrat en graphite à haute résistance, ce qui se traduit par une stabilité supérieure à haute température et une résistance à la corrosion. Il résiste efficacement aux effets corrosifs des gaz réactifs dans les environnements de processus à haute température, supprime considérablement la contamination particulaire, garantit une qualité constante des matériaux épitaxiaux et un rendement élevé, et prolonge considérablement le cycle de maintenance et la durée de vie de la chambre de réaction. Il s’agit d’un choix clé pour améliorer l’efficacité de fabrication et la fiabilité des semi-conducteurs à large bande interdite tels que le SiC et le GaN.

Informations générales sur le produit

Lieu d'origine :
Chine
Nom de la marque :
Mon rival
Numéro de modèle :
Chambre de réacteur épitaxial revêtue de SiC-01
Attestation :
ISO9001

Conditions commerciales du produit

Quantité minimale de commande :
Sous réserve de négociation
Prix:
Contact pour un devis personnalisé
Détails de l'emballage :
Forfait d'exportation standard
Délai de livraison:
Délai de livraison : 30 à 45 jours après la confirmation de la commande
Conditions de paiement :
T/T
Capacité d'approvisionnement :
100 unités/mois

Application: La chambre du réacteur épitaxial à revêtement Veteksemicon SiC est conçue pour les processus épitaxiaux de semi-conducteurs exigeants. En fournissant un environnement à haute température extrêmement pur et stable, il améliore considérablement la qualité des plaquettes épitaxiales SiC et GaN, ce qui en fait une pierre angulaire essentielle pour la fabrication de puces de puissance et de dispositifs RF hautes performances.

Services pouvant être fournis: analyse de scénarios d'application client, mise en adéquation des matériaux, résolution de problèmes techniques.

Profil de l'entreprise:Veteksemicon dispose de 2 laboratoires, d'une équipe d'experts avec 20 ans d'expérience dans les matériaux, avec des capacités de R&D et de production, de test et de vérification.


Paramètres techniques

Projet
Paramètre
Matériau de base
Graphite haute résistance
Processus de revêtement
Revêtement CVD-SiC
Épaisseur du revêtement
La personnalisation est disponible pour répondre au processus clientexigences (valeur typique : 100 ± 20 μm).
Pureté
> 99,9995 % (revêtement SiC)
Température de fonctionnement maximale
> 1650°C
conductivité thermique
120 W/m·K
Processus applicables
Épitaxie SiC, épitaxie GaN, MOCVD/CVD
Appareils compatibles
Réacteurs épitaxiaux grand public (tels qu'Aixtron et ASM)


Avantages du noyau de la chambre du réacteur épitaxial à revêtement Veteksemicon SiC


1. Super résistance à la corrosion

La chambre de réaction de Veteksemicon utilise un procédé CVD exclusif pour déposer un revêtement de carbure de silicium extrêmement dense et de haute pureté sur la surface du substrat. Ce revêtement résiste efficacement à l'érosion des gaz corrosifs à haute température tels que HCl et H2, couramment rencontrés dans les processus d'épitaxie SiC, résolvant fondamentalement les problèmes de porosité de surface et de perte de particules qui peuvent survenir dans les composants en graphite traditionnels après une utilisation à long terme. Cette caractéristique garantit que la paroi interne de la chambre de réaction reste lisse même après des centaines d'heures de fonctionnement continu, réduisant ainsi considérablement les défauts des plaquettes provoqués par la contamination de la chambre.


2. Stabilité à haute température

Grâce aux excellentes propriétés thermiques du carbure de silicium, cette chambre de réaction peut facilement résister à des températures de fonctionnement continu jusqu'à 1 600 °C. Son coefficient de dilatation thermique extrêmement faible garantit que les composants minimisent l'accumulation de contraintes thermiques lors de chauffages et de refroidissements rapides et répétés, évitant ainsi les microfissures ou les dommages structurels causés par la fatigue thermique. Cette stabilité thermique exceptionnelle offre une fenêtre de processus cruciale et une garantie de fiabilité pour les processus épitaxiaux, en particulier l'homépitaxie SiC qui nécessite des environnements à haute température.


3. Haute pureté et faible pollution

Nous sommes parfaitement conscients de l’impact décisif de la qualité de la couche épitaxiale sur les performances finales du dispositif. Par conséquent, Veteksemicon recherche la pureté de revêtement la plus élevée possible, garantissant qu'elle atteigne un niveau supérieur à 99,9995 %. Une telle pureté élevée supprime efficacement la migration des impuretés métalliques (telles que Fe, Cr, Ni, etc.) dans l'atmosphère du processus à haute température, évitant ainsi l'impact fatal de ces impuretés sur la qualité du cristal de la couche épitaxiale. Cela constitue une base matérielle solide pour la fabrication de semi-conducteurs de puissance et de dispositifs radiofréquences hautes performances et haute fiabilité.


4. Conception longue durée

Par rapport aux composants en graphite non revêtus ou conventionnels, les chambres de réaction protégées par des revêtements SiC offrent une durée de vie plusieurs fois plus longue. Cela est principalement dû à la protection complète du substrat par le revêtement, empêchant tout contact direct avec les gaz de processus corrosifs. Cette durée de vie prolongée se traduit directement par des avantages financiers importants : les clients peuvent réduire considérablement les temps d'arrêt des équipements, l'approvisionnement en pièces de rechange et les coûts de main-d'œuvre de maintenance associés au remplacement périodique des composants de la chambre, réduisant ainsi efficacement les coûts globaux d'exploitation de la production.


5. Avenant de vérification de la chaîne écologique

La vérification de la chaîne écologique de la chambre de réacteur épitaxial à revêtement SiC Veteksemicon couvre les matières premières jusqu'à la production, a passé la certification des normes internationales et dispose d'un certain nombre de technologies brevetées pour garantir sa fiabilité et sa durabilité dans les domaines des semi-conducteurs et des nouvelles énergies.


Pour des spécifications techniques détaillées, des livres blancs ou des modalités de test d'échantillons, veuillez contacter notre équipe d'assistance technique pour découvrir comment Veteksemicon peut améliorer l'efficacité de votre processus.


Principaux domaines d'application

Sens de candidature
Scénario typique
Fabrication de semi-conducteurs de puissance
MOSFET SiC et croissance épitaxiale de diodes
Appareils RF
Processus d'épitaxie d'un dispositif RF GaN-sur-SiC
Optoélectronique
Traitement de substrats épitaxiaux LED et laser

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