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Adresse
Route Wangda, rue Ziyang, comté de Wuyi, ville de Jinhua, province du Zhejiang, Chine
Informations générales sur le produit
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Lieu d'origine : |
Chine |
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Nom de la marque : |
Mon rival |
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Numéro de modèle : |
Chambre de réacteur épitaxial revêtue de SiC-01 |
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Attestation : |
ISO9001 |
Conditions commerciales du produit
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Quantité minimale de commande : |
Sous réserve de négociation |
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Prix: |
Contact pour un devis personnalisé |
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Détails de l'emballage : |
Forfait d'exportation standard |
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Délai de livraison: |
Délai de livraison : 30 à 45 jours après la confirmation de la commande |
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Conditions de paiement : |
T/T |
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Capacité d'approvisionnement : |
100 unités/mois |
Application: La chambre du réacteur épitaxial à revêtement Veteksemicon SiC est conçue pour les processus épitaxiaux de semi-conducteurs exigeants. En fournissant un environnement à haute température extrêmement pur et stable, il améliore considérablement la qualité des plaquettes épitaxiales SiC et GaN, ce qui en fait une pierre angulaire essentielle pour la fabrication de puces de puissance et de dispositifs RF hautes performances.
Services pouvant être fournis: analyse de scénarios d'application client, mise en adéquation des matériaux, résolution de problèmes techniques.
Profil de l'entreprise:Veteksemicon dispose de 2 laboratoires, d'une équipe d'experts avec 20 ans d'expérience dans les matériaux, avec des capacités de R&D et de production, de test et de vérification.
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Projet |
Paramètre |
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Matériau de base |
Graphite haute résistance |
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Processus de revêtement |
Revêtement CVD-SiC |
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Épaisseur du revêtement |
La personnalisation est disponible pour répondre au processus clientexigences (valeur typique : 100 ± 20 μm). |
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Pureté |
> 99,9995 % (revêtement SiC) |
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Température de fonctionnement maximale |
> 1650°C |
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conductivité thermique |
120 W/m·K |
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Processus applicables |
Épitaxie SiC, épitaxie GaN, MOCVD/CVD |
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Appareils compatibles |
Réacteurs épitaxiaux grand public (tels qu'Aixtron et ASM) |
1. Super résistance à la corrosion
La chambre de réaction de Veteksemicon utilise un procédé CVD exclusif pour déposer un revêtement de carbure de silicium extrêmement dense et de haute pureté sur la surface du substrat. Ce revêtement résiste efficacement à l'érosion des gaz corrosifs à haute température tels que HCl et H2, couramment rencontrés dans les processus d'épitaxie SiC, résolvant fondamentalement les problèmes de porosité de surface et de perte de particules qui peuvent survenir dans les composants en graphite traditionnels après une utilisation à long terme. Cette caractéristique garantit que la paroi interne de la chambre de réaction reste lisse même après des centaines d'heures de fonctionnement continu, réduisant ainsi considérablement les défauts des plaquettes provoqués par la contamination de la chambre.
2. Stabilité à haute température
Grâce aux excellentes propriétés thermiques du carbure de silicium, cette chambre de réaction peut facilement résister à des températures de fonctionnement continu jusqu'à 1 600 °C. Son coefficient de dilatation thermique extrêmement faible garantit que les composants minimisent l'accumulation de contraintes thermiques lors de chauffages et de refroidissements rapides et répétés, évitant ainsi les microfissures ou les dommages structurels causés par la fatigue thermique. Cette stabilité thermique exceptionnelle offre une fenêtre de processus cruciale et une garantie de fiabilité pour les processus épitaxiaux, en particulier l'homépitaxie SiC qui nécessite des environnements à haute température.
3. Haute pureté et faible pollution
Nous sommes parfaitement conscients de l’impact décisif de la qualité de la couche épitaxiale sur les performances finales du dispositif. Par conséquent, Veteksemicon recherche la pureté de revêtement la plus élevée possible, garantissant qu'elle atteigne un niveau supérieur à 99,9995 %. Une telle pureté élevée supprime efficacement la migration des impuretés métalliques (telles que Fe, Cr, Ni, etc.) dans l'atmosphère du processus à haute température, évitant ainsi l'impact fatal de ces impuretés sur la qualité du cristal de la couche épitaxiale. Cela constitue une base matérielle solide pour la fabrication de semi-conducteurs de puissance et de dispositifs radiofréquences hautes performances et haute fiabilité.
4. Conception longue durée
Par rapport aux composants en graphite non revêtus ou conventionnels, les chambres de réaction protégées par des revêtements SiC offrent une durée de vie plusieurs fois plus longue. Cela est principalement dû à la protection complète du substrat par le revêtement, empêchant tout contact direct avec les gaz de processus corrosifs. Cette durée de vie prolongée se traduit directement par des avantages financiers importants : les clients peuvent réduire considérablement les temps d'arrêt des équipements, l'approvisionnement en pièces de rechange et les coûts de main-d'œuvre de maintenance associés au remplacement périodique des composants de la chambre, réduisant ainsi efficacement les coûts globaux d'exploitation de la production.
5. Avenant de vérification de la chaîne écologique
La vérification de la chaîne écologique de la chambre de réacteur épitaxial à revêtement SiC Veteksemicon couvre les matières premières jusqu'à la production, a passé la certification des normes internationales et dispose d'un certain nombre de technologies brevetées pour garantir sa fiabilité et sa durabilité dans les domaines des semi-conducteurs et des nouvelles énergies.
Pour des spécifications techniques détaillées, des livres blancs ou des modalités de test d'échantillons, veuillez contacter notre équipe d'assistance technique pour découvrir comment Veteksemicon peut améliorer l'efficacité de votre processus.
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Sens de candidature |
Scénario typique |
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Fabrication de semi-conducteurs de puissance |
MOSFET SiC et croissance épitaxiale de diodes |
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Appareils RF |
Processus d'épitaxie d'un dispositif RF GaN-sur-SiC |
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Optoélectronique |
Traitement de substrats épitaxiaux LED et laser |
Adresse
Route Wangda, rue Ziyang, comté de Wuyi, ville de Jinhua, province du Zhejiang, Chine
Tél


+86-579-87223657


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