Revêtement en carbure de silicium

La tête de douche en graphite enrobée de CVD SIC de VetekSeMICON est un composant haute performance spécialement conçu pour les processus de dépôt chimique de vapeur parmi les semi-conducteurs (CVD). Fabriqué à partir de graphite de haute pureté et protégé par un revêtement en carbure de silicium (CVD) en carbure de vapeur chimique (CVD), cette pomme de douche offre une durabilité exceptionnelle, une stabilité thermique et une résistance aux gaz de processus corrosifs. Dans l'attente de votre nouvelle consultation.

Le support de plaquette de revêtement en carbure de silicium par VeteKemicon est conçu pour la précision et les performances dans les processus avancés de semi-conducteurs tels que le MOCVD, le LPCVD et le recuit à haute température. Avec un revêtement SIC CVD uniforme, ce support de plaquette assure une conductivité thermique exceptionnelle, une inertie chimique et une résistance mécanique - essentiel pour le traitement de plaquette à haut rendement sans contamination.

Anneaux de bord SIC VetekSeMICON à haute pureté, spécialement conçus pour l'équipement de gravure semi-conducteur, comporte une résistance à la corrosion exceptionnelle et une stabilité thermique, améliorant considérablement le rendement de la plaquette

En tant que premier fabricant chinois et fournisseur de produits de revêtement en carbure de silicium, le porte-plaquette en revêtement SIC de VetekSEMICON pour la gravure joue un rôle de base irremplaçable dans le processus de gravure avec son excellente stabilité à haute température, sa résisté à la corrosion exceptionnelle et sa conductivité thermique élevée.

Le suscepteur de la plaquette en revêtement en revêtement CVD SIC de VetekSeMICON est une solution de pointe pour les processus épitaxiaux semi-conducteurs, offrant une pureté ultra-élevée (≤100ppb, certifié ICP-E10) et une stabilité thermique / chimique exceptionnelle pour la croissance de la contamination de la contamination de la croissance du GAN, du SIC et du silicium. En axé sur la technologie CVD de précision, il prend en charge les plaquettes de 6 ”/ 8” / 12 ”, assure une contrainte thermique minimale et résiste à des températures extrêmes jusqu'à 1600 ° C.

Notre suscepteur planétaire revêtu de SiC est un composant central du processus à haute température de la fabrication de semi-conducteurs. Sa conception combine un substrat de graphite avec un revêtement en carbure de silicium pour obtenir une optimisation complète des performances de gestion thermique, de la stabilité chimique et de la résistance mécanique.