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Pourquoi le revêtement SIC reçoit-il autant d'attention? - Semi-conducteur Vetek

Ces dernières années, avec le développement continu de l'industrie électronique,le semi-conducteur de troisième générationles matériaux sont devenus un nouveau moteur du développement de l’industrie des semi-conducteurs. En tant que représentant typique des matériaux semi-conducteurs de troisième génération, le SiC a été largement utilisé dans le domaine de la fabrication de semi-conducteurs, notamment danschamp thermiquematériaux, en raison de ses excellentes propriétés physiques et chimiques.


Alors, qu’est-ce que le revêtement SiC exactement ? Et qu'est-ce que c'estRevêtement CVD sic?


Le SIC est un composé lié de manière covalente avec une dureté élevée, une excellente conductivité thermique, un coefficient de dilatation thermique faible et une forte résistance à la corrosion. Sa conductivité thermique peut atteindre 120-170 w / m · k, montrant une excellente conductivité thermique dans la dissipation de chaleur électronique des composants. De plus, le coefficient de dilatation thermique du carbure de silicium n'est que de 4,0 × 10-6 / k / k (dans la plage de 300–800 ℃), ce qui lui permet de maintenir la stabilité dimensionnelle dans des environnements à haute température, réduisant considérablement la déformation ou la défaillance causée par la thermique stresser. Le revêtement en carbure de silicium fait référence à un revêtement en carbure de silicium préparé à la surface des pièces par dépôt de vapeur physique ou chimique, pulvérisation, etc.  


Unit Cell of Silicon Carbide

Dépôt chimique en phase vapeur (CVD)est actuellement la principale technologie pour préparer le revêtement SIC sur les surfaces du substrat. Le processus principal est que les réactifs en phase gazeuse subissent une série de réactions physiques et chimiques sur la surface du substrat, et enfin le revêtement CVD SIC est déposé sur la surface du substrat.


Sem Data of CVD SiC Coating

Données SEM du revêtement SIC CVD


Étant donné que le revêtement en carbure de silicium est si puissant, dans quels domaines de la fabrication de semi-conducteurs a-t-il joué un rôle important ? La réponse réside dans les accessoires de production d’épitaxie.


Le revêtement SIC présente le principal avantage de correspondre parfaitement au processus de croissance épitaxiale en termes de propriétés matérielles. Voici les rôles et raisons importants du revêtement SIC dansSuscepteur épitaxial à revêtement SIC:


1. Conductivité thermique élevée et résistance à haute température

La température de l'environnement de croissance épitaxiale peut atteindre plus de 1000 ℃. Le revêtement SIC a une conductivité thermique extrêmement élevée, qui peut dissiper efficacement la chaleur et assurer l'uniformité de la température de la croissance épitaxiale.


2. Stabilité chimique

Le revêtement SIC a une excellente inertie chimique et peut résister à la corrosion par les gaz et les produits chimiques corrosifs, garantissant qu'il ne réagit pas négativement avec les réactifs pendant la croissance épitaxiale et maintient l'intégrité et la propreté de la surface du matériau.


3. Constante de réseau correspondante

Lors de la croissance épitaxiale, le revêtement SiC peut être bien adapté à une variété de matériaux épitaxiaux en raison de sa structure cristalline, ce qui peut réduire considérablement les disparités de réseau, réduisant ainsi les défauts cristallins et améliorant la qualité et les performances de la couche épitaxiale.


Silicon Carbide Coating lattice constant

4. Faible coefficient de dilatation thermique

Le revêtement SIC a un coefficient de dilatation thermique faible et est relativement proche de celui des matériaux épitaxiaux communs. Cela signifie qu'à des températures élevées, il n'y aura pas de stress sévère entre la base et le revêtement SIC en raison de la différence de coefficients de dilatation thermique, en évitant des problèmes tels que le pelage, les fissures ou la déformation.


5. Haute dureté et résistance à l'usure

Le revêtement SiC a une dureté extrêmement élevée, de sorte que son revêtement sur la surface de la base épitaxiale peut améliorer considérablement sa résistance à l'usure et prolonger sa durée de vie, tout en garantissant que la géométrie et la planéité de la surface de la base ne sont pas endommagées pendant le processus épitaxial.


SiC coating Cross-section and surface

Image en coupe transversale et en surface du revêtement SiC


En plus d'être un accessoire pour la production épitaxiale,Le revêtement SiC présente également des avantages significatifs dans ces domaines:


Supports de plaquettes semi-conductricesLors du traitement des semi-conducteurs, la manipulation et le traitement des tranches nécessitent une propreté et une précision extrêmement élevées. Les revêtements SiC sont souvent utilisés dans les supports de plaquettes, les supports et les plateaux.

Wafer Carrier

Transporteur de plaquettes


Anneau de préchauffageL'anneau de préchauffage est situé sur l'anneau extérieur du plateau de substrat épitaxial Si et est utilisé pour l'étalonnage et le chauffage. Il est placé dans la chambre de réaction et n’entre pas directement en contact avec la plaquette.


Preheating Ring

  Anneau de préchauffage


La partie supérieure en demi-lune est porteuse des autres accessoires de la chambre de réaction duDispositif d'épitaxie SiC, dont la température est contrôlée et installée dans la chambre de réaction sans contact direct avec la tranche. La partie inférieure en demi-lune est reliée à un tube de quartz qui introduit du gaz pour entraîner la rotation de la base. Il est contrôlé en température, installé dans la chambre de réaction et n'entre pas en contact direct avec la plaquette.

lower half-moon part

Partie demi-lune supérieure


En outre, il existe un creuset de fusion pour l'évaporation dans l'industrie des semi-conducteurs, une porte de tube électronique haute puissance, une brosse qui entre en contact avec le régulateur de tension, un monochromateur en graphite pour les rayons X et les neutrons, diverses formes de substrats en graphite et revêtement de tube d'absorption atomique, etc., le revêtement SiC joue un rôle de plus en plus important.


Pourquoi choisirIt semi-conducteur?


Chez VeTek Semiconductor, nos processus de fabrication combinent une ingénierie de précision avec des matériaux avancés pour produire des produits de revêtement SiC offrant des performances et une durabilité supérieures, tels quePorte-plaquette revêtue de sic, Récepteur Epi à revêtement SiC,Sujet EPI LED UV, Revêtement céramique en carbure de siliciumetSic revêtement ald suscepteur. Nous sommes en mesure de répondre aux besoins spécifiques de l'industrie des semi-conducteurs ainsi que d'autres industries, offrant aux clients un revêtement SIC personnalisé de haute qualité.


Si vous avez des demandes ou avez besoin de détails supplémentaires, n'hésitez pas à nous contacter.


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Courriel : anny@veteksemi.com


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