Exemple de cartographie

Sur la base de l'échantillon physique fourni par le client (même s'il s'agit d'une pièce usagée usée ou fracturée), nous proposons un service complet allant de la rétro-ingénierie de la structure physique à la caractérisation physico-chimique au niveau des matériaux. En tirant parti d'un équipement d'inspection de haute précision de qualité semi-conducteur, nous quantifions avec précision les structures géométriques 3D complexes, les propriétés de l'interface revêtement/substrat et les paramètres physiques des matériaux, garantissant ainsi que le produit issu de l'ingénierie inverse répond ou dépasse les normes OEM en termes d'ajustement physique, de compatibilité des processus et de durée de vie (remplacement Form-Fit-Function).

Ce que nous mesurons (livrables techniques) :

• Tolérances dimensionnelles et géométriques :À l’aide de machines de mesure de coordonnées (MMT) de haute précision et de scanners optiques 3D, nous effectuons une modélisation et une reconstruction par nuages ​​de points grandeur nature de structures de cavités complexes et de trous de montage/localisation, atteignant une précision au niveau du micron.
• Micromorphologie et planéité de la surface :Utilisation d'interféromètres à lumière blanche et de profilomètres optiques pour évaluer la rugosité de surface (Ra) et la planéité de grandes surfaces à l'échelle nanométrique, répondant ainsi aux exigences de manipulation des plaquettes et de scellement des chambres.
• Micro-fonctionnalités Edge :Cartographie à fort grossissement des rayons R des bords et des micro-profils de chanfrein pour optimiser la morphologie de montée du revêtement et éviter la concentration de contraintes dans les angles vifs qui peuvent provoquer un délaminage à haute température.
• Analyse du substrat en graphite et de la correspondance thermique :Évaluation de la densité du substrat en graphite de haute pureté, de la taille des grains et du coefficient de dilatation thermique (CTE) pour garantir l'adéquation des contraintes thermiques entre le substrat et le revêtement CVD.
• Section transversale du revêtement et qualité de la liaison d'interface :Analyse XRF non destructive et analyse SEM métallographique en coupe transversale pour mesurer l'épaisseur absolue, l'uniformité radiale du revêtement CVD et la profondeur de pénétration de l'interface.
• Structure des phases et analyse des microcristaux :Évaluation XRD de la pureté de la phase cubique (β-SiC) du SiC CVD ; évaluation qualitative de la stœchiométrie chimique et des caractéristiques de la structure cristalline du CVD TaC.

Cas réel et avantages client (expérience) :

Un client de composants de gravure semi-conducteur de 12 pouces :Approvisionnement OEM interrompu ; une seule pièce d'occasion usée était disponible. Grâce à la modélisation inverse CMM + à l'analyse transversale du revêtement SEM, nous avons terminé le développement de pièces de rechange et les tests sur outil en 2 mois sans aucun dessin original, obtenant ainsi un ajustement d'installation à 100 %. En fin de compte, le cycle d'approvisionnement en composants a été réduit du délai d'importation initial de 6 mois à 2 mois, le coût unitaire d'approvisionnement a chuté de 42 % et ce modèle a été approvisionné de manière stable pour plus de 30 lots.

Revêtement en carbure de silicium (SiC) sur la section transversale du revêtement SEM

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