Poudre de carbure de silicium ultra pur pour la croissance des cristaux

En tant que fabricant professionnel, Vetek Semiconductor souhaite vous fournir de la poudre de carbure de silicium ultra pur de haute qualité pour la croissance des cristaux.

Vetek Semiconductor se spécialise dans la fourniture de la poudre de carbure de silicium ultra pur pour la croissance des cristaux avec différents niveaux de pureté. Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus et recevoir un devis. Élevez la recherche et le développement de votre semi-conducteur avec les produits de haute qualité de Vetek Semiconductor.

La poudre de carbure de silicium ultra pur semi-conductrice Vetek pour la croissance des cristaux est préparée à l'aide d'une méthode de réaction à haute température en phase solide, en utilisant de la poudre de silicium de haute pureté et de la poudre de carbone à haute pureté comme matières premières. Avec une pureté allant jusqu'à 99,999% en poids et des niveaux d'impureté extrêmement faibles d'azote, de bore, d'aluminium et d'autres contaminants, il est spécialement conçu pour améliorer les propriétés semi-isolantes du carbure de silicium de haute pureté.

La pureté de notre poudre de carbure de silicium de qualité semi-conductrice atteint un impressionnant 99,999%, ce qui en fait une excellente matière première pour la production de monocristaux en carbure de silicium. Ce qui distingue notre produit des autres sur le marché, c'est sa caractéristique remarquable de la croissance cristalline à grande vitesse. Les taux de croissance cristalline atteignant 0,2 à 0,3 mm / h, il réduit considérablement le temps de croissance des cristaux et réduit les coûts de production globaux.

La qualité de la poudre de carbure de silicium est cruciale pour obtenir un rendement de croissance en cristal élevé et nécessite des processus de fabrication précis. Notre technologie implique une séparation thermique à différents stades pour éliminer les impuretés des propriétés variables, entraînant une poudre de carbure de silicium semi-isolant de haute pureté à faible teneur en azote. En traitant davantage la poudre en granules et en utilisant des techniques de cyclisme thermique, nous répondons aux exigences de croissance dimensionnelles des cristaux de carbure de silicium. Cette technologie vise à améliorer les capacités nationales de recherche de semi-conducteurs avancées, à améliorer l'autosuffisance matérielle, à aborder les monopoles internationaux et à réduire les coûts de fabrication dans l'industrie nationale des semi-conducteurs en carbure de silicium, augmentant finalement sa compétitivité mondiale.

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