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Route Wangda, rue Ziyang, comté de Wuyi, ville de Jinhua, province du Zhejiang, Chine
La sélection d'une combinaison de substrat et de revêtement adaptée est la clé pour éviter une défaillance prématurée des composants, réduire la contamination par les particules et maximiser le rendement des plaquettes. Nous fournissons des solutions de conception de matériaux et de structures sur mesure autour de la fenêtre de processus spécifique du client (température de fonctionnement, chimie des gaz réactifs, taux de rampe).
| Revêtement | Instructions d'application typiques | Avantages principaux |
|---|---|---|
| CVD SiC | Epitaxie Si/SiC (Epi), MOCVD, gravure plasma partielle | Haute pureté, bonne stabilité thermique, résistance à la corrosion chimique, rapport coût-performance global élevé |
| TaC MCV | Croissance monocristalline SiC (PVT) à haute température, composants porteurs à températures extrêmement élevées | Température nominale plus élevée (> 1 600 °C), forte résistance à la corrosion, excellente résistance à l'oxydation |
Un fabricant leader de l'épitaxie SiC (Epi) :Le composant d'origine utilisait un revêtement CVD TaC incompatible, ce qui entraînait des contraintes interfaciales excessives et de fréquentes microfissures à haute température. Nous avons refait les simulations thermodynamiques et sommes passés à unSubstrat en graphite de haute pureté spécialisé adapté au CTE + couche tampon + revêtement CVD SiCsolution. Résultat : la durée de vie moyenne des composants est passée de 200 heures à 850 heures ; la fréquence de remplacement annuelle par outil a été réduite de 40 à 9 fois ; Les économies sur les coûts d'exploitation et de maintenance de l'équipement complet ont dépassé 650 000 RMB par an.
Rapport d'analyse de pureté GDMS pour les revêtements TaC et SiC
UN:Examinez la température de votre processus et l’intensité de la corrosion en phase gazeuse. Si la température du procédé est inférieure à 1 000 °C et implique principalement une gravure à base de Cl₂/F₂ ou une épitaxie conventionnelle, choisissezCVD SiCpour le meilleur rapport coût-performance ; si la température du processus dépasse 1 200 °C et implique des atmosphères fortement corrosives (par exemple croissance monocristalline de SiC PVT), nous recommandonsTaC MCV, qui offre une résistance supérieure à la température et à la corrosion. Nous pouvons fournir un rapport gratuit de recommandation de sélection basé sur vos paramètres de processus spécifiques.
UN:Oui! Pour les prototypes de rétro-ingénierie,MOQ est 1 pièce. Pour les pièces simples conventionnelles, depuis la réception de l'échantillon jusqu'à la livraison de la pièce cartographiée, le délai le plus rapide est d'environ10 à 15 jours ouvrables; pour les pièces impliquant des processus de revêtement complexes, il est d'environ20 à 25 jours ouvrables. Contactez nos ingénieurs pour une évaluation accélérée.
UN:90 % des cas de délaminage sont causés par une inadéquation entre le coefficient de dilatation thermique (CTE) du substrat en graphite et du revêtement, conduisant à un pelage par fatigue sous chauffage/refroidissement rapide. Notre solution : mesurez d'abord avec précision la courbe CTE de votre pièce d'origine, puis ajustez spécialement la densité du substrat et le gradient de température de dépôt afin que les deux CTE soient parfaitement adaptés. La force de liaison peut être améliorée jusqu'à plus de1,5 foisle niveau conventionnel de l’industrie.
UN:Chaque produit expédié est livré en standard avec unnuméro de série unique + rapport CoA complet. Le rapport comprend : des données d'inspection CMM des dimensions critiques, une carte de distribution de l'épaisseur du revêtement multipoint, des valeurs de rugosité de surface (Ra) et des conclusions de l'analyse de la pureté des matériaux (GDMS).
Téléphone: +86-18069220752(Tine);+86-15988690905(Séras)
E-mail: anny@veteksemi.com