Services et ressources

Matériaux et conception

La sélection d'une combinaison de substrat et de revêtement adaptée est la clé pour éviter une défaillance prématurée des composants, réduire la contamination par les particules et maximiser le rendement des plaquettes. Nous fournissons des solutions de conception de matériaux et de structures sur mesure autour de la fenêtre de processus spécifique du client (température de fonctionnement, chimie des gaz réactifs, taux de rampe).

Nos capacités de conception de base :

  • Correspondance rigoureuse des contraintes CTE :Pour un cycle thermique rapide (>100 °C/min), nous adaptons précisément les courbes de température CTE des substrats en graphite de haute pureté et des revêtements CVD, réduisant ainsi fondamentalement le risque de délaminage et de microfissuration du revêtement.
  • Sélection de revêtement spécifique au scénario de processus :Revêtement CVD SiC pour les environnements d'épitaxie Si/SiC (Epi), MOCVD et de gravure plasma ; Revêtement CVD TaC pour des températures plus élevées et des conditions fortement corrosives (par exemple, croissance PVT monocristallin SiC).
  • Optimisation de la résistivité et de la conductivité thermique contrôlables :Contrôle précis de la résistivité globale et de la conductivité thermique du substrat et du revêtement pour répondre aux exigences spécifiques en matière de champ électrique et thermique des mandrins électrostatiques RF, ESC ou des zones de chauffage.
  • Contrôle des sources de contamination et réduction du CoO :Les couches de dépôt CVD de haute pureté scellent de manière dense le graphite poreux, réduisant considérablement la perte de particules, la diffusion d'impuretés métalliques ultra-traces et le risque de dégazage à haute température.

Comparaison typique de sélection de revêtements (guide d'un coup d'œil)

Revêtement Instructions d'application typiques Avantages principaux
CVD SiC Epitaxie Si/SiC (Epi), MOCVD, gravure plasma partielle Haute pureté, bonne stabilité thermique, résistance à la corrosion chimique, rapport coût-performance global élevé
TaC MCV Croissance monocristalline SiC (PVT) à haute température, composants porteurs à températures extrêmement élevées Température nominale plus élevée (> 1 600 °C), forte résistance à la corrosion, excellente résistance à l'oxydation

Cas réel et avantages client (expérience) :

Un fabricant leader de l'épitaxie SiC (Epi) :Le composant d'origine utilisait un revêtement CVD TaC incompatible, ce qui entraînait des contraintes interfaciales excessives et de fréquentes microfissures à haute température. Nous avons refait les simulations thermodynamiques et sommes passés à unSubstrat en graphite de haute pureté spécialisé adapté au CTE + couche tampon + revêtement CVD SiCsolution. Résultat : la durée de vie moyenne des composants est passée de 200 heures à 850 heures ; la fréquence de remplacement annuelle par outil a été réduite de 40 à 9 fois ; Les économies sur les coûts d'exploitation et de maintenance de l'équipement complet ont dépassé 650 000 RMB par an.

GDMS purity analysis report for TaC coating GDMS purity analysis report for SiC coating

Rapport d'analyse de pureté GDMS pour les revêtements TaC et SiC

FAQ

1. Q : Comment dois-je choisir entre le revêtement CVD SiC et le revêtement CVD TaC ?

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UN:Examinez la température de votre processus et l’intensité de la corrosion en phase gazeuse. Si la température du procédé est inférieure à 1 000 °C et implique principalement une gravure à base de Cl₂/F₂ ou une épitaxie conventionnelle, choisissezCVD SiCpour le meilleur rapport coût-performance ; si la température du processus dépasse 1 200 °C et implique des atmosphères fortement corrosives (par exemple croissance monocristalline de SiC PVT), nous recommandonsTaC MCV, qui offre une résistance supérieure à la température et à la corrosion. Nous pouvons fournir un rapport gratuit de recommandation de sélection basé sur vos paramètres de processus spécifiques.

2. Q : Prenez-vous en charge le prototypage en une seule pièce ou en petits lots ? Quel est le délai de livraison ?

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UN:Oui! Pour les prototypes de rétro-ingénierie,MOQ est 1 pièce. Pour les pièces simples conventionnelles, depuis la réception de l'échantillon jusqu'à la livraison de la pièce cartographiée, le délai le plus rapide est d'environ10 à 15 jours ouvrables; pour les pièces impliquant des processus de revêtement complexes, il est d'environ20 à 25 jours ouvrables. Contactez nos ingénieurs pour une évaluation accélérée.

3. Q : Qu'est-ce qui cause le délaminage du revêtement CVD sur les pièces en graphite pendant l'utilisation ? Est-ce que cela peut être résolu ?

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UN:90 % des cas de délaminage sont causés par une inadéquation entre le coefficient de dilatation thermique (CTE) du substrat en graphite et du revêtement, conduisant à un pelage par fatigue sous chauffage/refroidissement rapide. Notre solution : mesurez d'abord avec précision la courbe CTE de votre pièce d'origine, puis ajustez spécialement la densité du substrat et le gradient de température de dépôt afin que les deux CTE soient parfaitement adaptés. La force de liaison peut être améliorée jusqu'à plus de1,5 foisle niveau conventionnel de l’industrie.

4. Q : Pouvez-vous fournir un CoA (Certificat d'analyse) pour les produits ? Quelles données comprend-il ?

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UN:Chaque produit expédié est livré en standard avec unnuméro de série unique + rapport CoA complet. Le rapport comprend : des données d'inspection CMM des dimensions critiques, une carte de distribution de l'épaisseur du revêtement multipoint, des valeurs de rugosité de surface (Ra) et des conclusions de l'analyse de la pureté des matériaux (GDMS).

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Téléphone: +86-18069220752(Tine);+86-15988690905(Séras)

E-mail: anny@veteksemi.com

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