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Utilisations du carbure de silicium solide

Le sic en carbure de silicium solide est un matériau céramique avancé composé de silicium (Si) et de carbone (C). Ce n'est pas une substance largement trouvée dans la nature et nécessite généralement une synthèse à haute température. Sa combinaison unique de propriétés physiques et chimiques en fait un matériau clé qui fonctionne bien dans des environnements extrêmes, en particulier dans la fabrication de semi-conducteurs.


Propriétés physiques du sic solide
Densité
3.21
g / cm3

Résistivité de l'électricité
102
Ω / cm

Résistance à la flexion
590 MPA
(6000 kgf / cm2)
Module de Young
450 GPA
(6000 kgf / cm2)
Vickers dureté
26 GPA
(2650kgf / mm2)
C.T.E. (RT-1000 ℃)
4.0 x10-6/ K

Conductivité thermique (RT)
250 Avec mk


. Propriétés physiques clés du carbure de silicium solide (Sic solide)


▶ Résissence élevée de dureté et d'usure:

Le SIC a une dureté MOHS d'environ 9-9,5, deuxième seulement derrière Diamond. Cela lui donne une excellente résistance aux rayures et à l'usure, et cela fonctionne bien dans des environnements qui doivent résister à la contrainte mécanique ou à l'érosion des particules.


▶ Excellente résistance et stabilité à haute température

1. SIC peut maintenir sa résistance mécanique et son intégrité structurelle à des températures extrêmement élevées (fonctionnant à des températures allant jusqu'à 1600 ° C ou même plus, selon le type et la pureté).

2. Son faible coefficient d'expansion thermique signifie qu'il a une bonne stabilité dimensionnelle et n'est pas sujet à la déformation ou à la fissuration lorsque la température change considérablement.


▶ Conductivité thermique élevée:

Contrairement à de nombreux autres matériaux en céramique, le SIC a une conductivité thermique relativement élevée. Cela lui permet de mener et de dissiper efficacement la chaleur, ce qui est essentiel pour les applications qui nécessitent un contrôle et une uniformité précis de la température.


Inerness chimique supérieur et résistance à la corrosion:

Le SIC présente une résistance extrêmement forte à la plupart des acides forts, des bases fortes et des gaz corrosifs couramment utilisés dans les processus de semi-conducteurs (tels que les gaz à base de fluor et à base de chlore dans des environnements plasmatiques), même à des températures élevées. Ceci est essentiel pour empêcher le corrodé ou la contamination des composants de la chambre de processus.


▶ Potentiel de haute pureté:

Des revêtements SIC de pureté extrêmement élevée ou des pièces SIC solides peuvent être produites grâce à des processus de fabrication spécifiques (tels que le dépôt chimique de vapeur - CVD). Dans la fabrication de semi-conducteurs, la pureté des matériaux affecte directement le niveau de contamination de la tranche et le rendement du produit final.


▶ Raideur élevée (Module de Young):

SIC a un module de High Young, ce qui signifie qu'il est très dur et pas facile à déformer sous charge. Ceci est très important pour les composants qui doivent maintenir une forme et une taille précises (comme les porteurs de plaquettes).


▶ Propriétés électriques réglables:

Bien qu'il soit souvent utilisé comme isolant ou semi-conducteur (en fonction de sa forme cristalline et de son dopage), sa résistivité élevée aide à gérer le comportement du plasma ou à empêcher une décharge d'arc inutile dans certaines applications de composants.


. Applications et avantages spécifiques du carbure de silicium solide (SiC solide) Produits finis dans la fabrication de semi-conducteurs


Sur la base des propriétés physiques ci-dessus, le SIC solide est fabriqué en divers composants de précision et est largement utilisé dans plusieurs liens clés des processus frontaux semi-conducteurs.


1.


Application:


Utilisé pour transporter et transférer des tranches de silicium dans des processus à haute température (tels que la diffusion, l'oxydation, le dépôt de vapeur chimique LPCVD à basse pression).


Analyse des avantages:


Solid SiC wafer carrier

1. Stabilité à haute température: Aux températures de processus dépassant 1000 ° C, les porteurs SIC ne se ramolliront pas, ne se déforment pas ou ne s'affaissent pas aussi facilement que le quartz, et peuvent maintenir avec précision l'espacement des plaquettes pour assurer l'uniformité du processus.

2. Longue durée de vie et faible génération de particules: la dureté et la résistance de l'usure du SIC dépassent de loin le quartz, et il n'est pas facile de produire de minuscules particules pour contaminer les plaquettes. Sa durée de vie est généralement à plusieurs reprises, voire des dizaines de fois celle des transporteurs de quartz, réduisant les coûts de fréquence et de maintenance de remplacement.

3.

4. Conductivité thermique: Une bonne conductivité thermique aide à réaliser un chauffage et un refroidissement rapides et uniformes des porteurs et des plaquettes, améliorant l'efficacité du processus et l'uniformité de la température.

5. Pureté élevée: les transporteurs SIC de haute pureté peuvent être fabriqués pour répondre aux exigences strictes des nœuds avancés pour le contrôle des impuretés.


Valeur utilisateur:


Améliorer la stabilité des processus, augmenter le rendement des produits, réduire les temps d'arrêt causés par la défaillance ou la contamination des composants et réduire le coût global de possession à long terme.


2) pomme de douche à disque SIC solide / gaz:


Application:


Installé sur le dessus de la chambre de réaction des équipements tels que la gravure du plasma, le dépôt de vapeur chimique (CVD), le dépôt de couche atomique (ALD), etc., responsable de la distribution uniformément des gaz de processus à la surface de la plaquette ci-dessous.


Solid SiC Disc-shaped Shower Head

Analyse des avantages:


1. Tolérance au plasma: Dans un environnement plasma chimiquement actif chimiquement, la pomme de douche SIC présente une résistance extrêmement forte au bombardement du plasma et à la corrosion chimique, qui est bien supérieure au quartz ou à l'alumine.


2. Uniformité et stabilité: la pomme de douche SIC machée à la précision peut garantir que le débit de gaz est réparti uniformément sur toute la surface de la plaquette, ce qui est essentiel pour l'uniformité de l'épaisseur du film, de l'uniformité de la composition ou du taux de gravure. Il a une bonne stabilité à long terme et n'est pas facile à déformer ou à obstruer.


3. Gestion thermique: une bonne conductivité thermique aide à maintenir l'uniformité de la température sur la surface de la pomme de douche, ce qui est essentiel pour de nombreux processus de dépôt ou de gravure sensibles à la chaleur.


4. Contamination faible: une pureté élevée et une inertie chimique réduisent la contamination des matériaux de la pomme de douche au processus.


Valeur utilisateur:


Améliorer considérablement l'uniformité et la répétabilité des résultats du processus, prolonger la durée de vie de la pomme de douche, réduire les temps de maintenance et les problèmes de particules et soutenir des conditions de processus plus avancées et plus strictes.


3) Anneau de mise au point de gravure SIC solide (anneau de mise au point de gravure SIC solide):


Application:


Principalement utilisé dans la chambre d'équipement de gravure du plasma (tel que le plasma à couplé capacifique ou le graveur ICP à plasma à couplage inductif), généralement placé sur le bord du porte-gigantesque (mandrin), entourant la tranche. Sa fonction est de contraindre et de guider le plasma afin qu'il agit plus uniformément sur la surface de la plaquette tout en protégeant d'autres composants de la chambre.


Analyse des avantages:


Solid SiC Etching Focusing Ring

1. Résistance forte à l'érosion du plasma: c'est l'avantage le plus important de l'anneau de focalisation SIC. Dans des plasmas de gravure extrêmement agressifs (comme les produits chimiques contenant du fluor ou du chlore), le SIC porte beaucoup plus lent que le quartz, l'alumine ou même l'yttria (oxyde d'yttrium) et a une vie extrêmement longue.


2. Maintenir des dimensions critiques: une dureté élevée et une rigidité élevée permettent aux anneaux de mise au point SIC de mieux maintenir leur forme et leur taille précises sur de longues périodes d'utilisation, ce qui est essentiel pour stabiliser la morphologie du plasma et assurer l'uniformité de gravure.


3. Basse génération de particules: en raison de sa résistance à l'usure, il réduit considérablement les particules générées par le vieillissement des composants, améliorant ainsi le rendement.


4. Pureté élevée: évitez l'introduction de métal ou d'autres impuretés.


Valeur utilisateur:


Étendre considérablement les cycles de remplacement des composants, réduisent considérablement les coûts de maintenance et les temps d'arrêt de l'équipement; améliorer la stabilité et la répétabilité des processus de gravure; Réduisez les défauts et améliorez le rendement de la fabrication de puces haut de gamme.


Ⅲ.Résumé


Le carbure de silicium solide est devenu l'un des matériaux clés indispensables dans la fabrication moderne de semi-conducteurs en raison de sa combinaison unique de propriétés physiques - dureté élevée, un point de fusion élevé, une conductivité thermique élevée, une excellente stabilité chimique et une résistance à la corrosion. Qu'il s'agisse d'un transporteur de transport de plaquettes, d'une pomme de douche pour contrôler la distribution des gaz ou d'un anneau de focalisation pour guider le plasma, des produits SIC solides aident les fabricants de puces à faire face à des défis de processus de plus en plus stricts avec leurs excellentes performances et leur fiabilité, améliorer l'efficacité de la production et le rendement des produits, et ainsi favoriser le développement durable de toute l'industrie semi-conductrice.


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