Des produits
Rague de mise au point de gravure SIC solide
  • Rague de mise au point de gravure SIC solideRague de mise au point de gravure SIC solide
  • Rague de mise au point de gravure SIC solideRague de mise au point de gravure SIC solide
  • Rague de mise au point de gravure SIC solideRague de mise au point de gravure SIC solide

Rague de mise au point de gravure SIC solide

L'anneau de focalisation de gravure en SiC solide est l'un des composants essentiels du processus de gravure des plaquettes, qui joue un rôle dans la fixation des plaquettes, la focalisation du plasma et l'amélioration de l'uniformité de la gravure des plaquettes. En tant que principal fabricant de bagues de focalisation SiC en Chine, VeTek Semiconductor dispose d'une technologie de pointe et d'un processus mature, et fabrique une bague de focalisation de gravure en SiC solide qui répond pleinement aux besoins des clients finaux en fonction des exigences des clients. Nous attendons avec impatience votre demande et devenons partenaires à long terme les uns des autres.

Vetek Semiconductor a fait de grands progrès dans la technologie SIC solide CVD et est désormais en mesure de produire un anneau de mise au point de gravure SIC solide avec un niveau mondial. Le cycle de gravure SIC solide de Vetek Semiconductor de Vetek est un produit de matériau en carbure de silicium à ultra-haute pureté créé par le processus de dépôt chimique de vapeur.

La bague de focalisation de gravure en SiC solide est utilisée dans les processus de fabrication de semi-conducteurs, en particulier dans les systèmes de gravure au plasma. La bague de mise au point SiC est un composant crucial qui permet de réaliser une gravure précise et contrôlée des tranches de carbure de silicium (SiC).


Au cours du processus de gravure au plasma, la bague de mise au point joue plusieurs rôles :

● Focalisation du plasma: L'anneau de mise au point de gravure SIC solide aide à façonner et à concentrer le plasma autour de la tranche, garantissant que le processus de gravure se produit uniformément et efficacement. Il aide à limiter le plasma à la zone souhaitée, empêchant la gravure errante ou les dommages aux régions environnantes.

●  Protéger les murs de la chambre: L'anneau de mise au point agit comme une barrière entre le plasma et les parois de la chambre, empêchant le contact direct et les dommages potentiels. Le SIC est très résistant à l'érosion du plasma et offre une excellente protection aux parois de la chambre.

●  Tcontrôle de la température: La bague de mise au point sic aide à maintenir une répartition uniforme de la température sur la tranche pendant le processus de gravure. Il aide à dissiper la chaleur et évite les surchauffes localisées ou les gradients thermiques qui pourraient affecter les résultats de gravure.


Solid SiC Etching Focusing Ring in Plasma Etching Equipment


Le SIC solide est choisi pour concentrer les anneaux en raison de sa stabilité thermique et chimique exceptionnelle, de sa résistance mécanique élevée et de sa résistance à l'érosion du plasma. Ces propriétés font du SIC un matériau approprié pour les conditions dures et exigeantes à l'intérieur des systèmes de gravure du plasma.


Il convient de noter que la conception et les spécifications des anneaux de concentration peuvent varier en fonction du système de gravure et des exigences de processus spécifique du plasma. Vetek Semiconductor optimise la forme, les dimensions et les caractéristiques de surface de la concentration des anneaux pour assurer des performances de gravure optimales et une longévité. Le SIC solide est largement utilisé pour les porteurs de plaquettes, les suscepteurs, la tranche factice, les anneaux de guidage, les pièces pour le processus de gravure, le processus CVD, etc.


Paramètre de produit de l'anneau de mise au point SIC solide SIC


Propriétés physiques du sic solide
Densité 3.21 g/cm3
Résistivité de l'électricité 102 Ω / cm
Résistance à la flexion 590 MPA (6000 kgf/cm2)
Module de Young 450 GPA (6000kgf/mm2)
Dureté Vickers 26 GPA (2650kgf / mm2)
C.T.E. (RT-1000℃) 4.0 X10-6/ K
Conductivité thermique (RT) 250 W/mK


Semi-conducteur


Veteksemi Solid SiC Etching Focusing Ring shops


Balises actives: Bague de mise au point de gravure en SiC solide
envoyer une demande
Informations de contact
Pour toute demande concernant le revêtement en carbure de silicium, le revêtement en carbure de tantale, le graphite spécial ou la liste de prix, veuillez nous laisser votre e-mail et nous vous contacterons dans les 24 heures.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept