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Technologie de coupe intelligente pour les plaquettes en carbure de silicium cube

2025-08-18

Coupe intelligente est un processus de fabrication avancé de semi-conducteur basé sur l'implantation ionique ettrancheDépouillage, spécialement conçu pour la production de plaquettes 3C-SIC (carbure de silicium cubes) ultra-minces et très uniformes. Il peut transférer des matériaux cristallins ultra-minces d'un substrat à un autre, brisant ainsi les limitations physiques d'origine et modifiant l'ensemble de l'industrie du substrat.


Par rapport à la coupe mécanique traditionnelle, la technologie de coupe intelligente optimise considérablement les indicateurs clés suivants:

Paramètre
Coupe intelligente Coupe mécanique traditionnelle
Taux de gaspillage matériel
≤5%
20-30%
Rugosité de surface (RA)
<0,5 nm
2-3 nm
Uniformité de l'épaisseur de la tranche
± 1%
± 5%
Cycle de production typique
Raccourcir de 40%
Période normale

Remarque ‌: Les données proviennent de la feuille de route internationale de la technologie des semi-conducteurs (ITR) 2023 et des livres blancs de l'industrie.


Tf techniquemanger


Améliorer le taux d'utilisation des matériaux

Dans les méthodes de fabrication traditionnelles, les processus de coupe et de polissage des plaquettes en carbure de silicium gaspillent une quantité considérable de matières premières. La technologie Smart Cut atteint un taux d'utilisation des matériaux plus élevé grâce à un processus en couches, ce qui est particulièrement important pour les matériaux coûteux tels que le 3C sic.

Effectif significatif

La fonction de substrat réutilisable de Smart Cut peut maximiser l'utilisation des ressources, réduisant ainsi les coûts de fabrication. Pour les fabricants de semi-conducteurs, cette technologie peut améliorer considérablement les avantages économiques des lignes de production.

Amélioration des performances des plaquettes

Les couches minces générées par Smart Cut ont moins de défauts cristallins et une cohérence plus élevée. Cela signifie que les plaquettes SIC 3C produites par cette technologie peuvent transporter une mobilité électronique plus élevée, améliorant davantage les performances des dispositifs semi-conducteurs.

Soutenir la durabilité

En réduisant les déchets de matériaux et la consommation d'énergie, la technologie Smart Cut répond aux exigences croissantes de la protection de l'environnement de l'industrie des semi-conducteurs et offre aux fabricants une voie pour se transformer vers une production durable.


L'innovation de la technologie Smart Cut se reflète dans son flux de processus hautement contrôlable:


1. Implantation d'ions d'ion de précision ‌

un. Les faisceaux d'ions hydrogène multiénergie sont utilisés pour l'injection en couches, l'erreur de profondeur contrôlée à moins de 5 nm.

né Grâce à la technologie de réglage de la dose dynamique, les dégâts du réseau (densité de défaut <100 cm⁻²) sont évités.

2. Bondage de plaquette à température à température ‌

un.La liaison de plaquette est obtenue par le plasmeUne activation inférieure à 200 ° C pour réduire l'impact de la contrainte thermique sur les performances de l'appareil.


3. Contrôle de décapage intelligent ‌

un. Les capteurs de contrainte en temps réel intégrés garantissent pas de microfirmes pendant le processus de pelage (rendement> 95%).

4.YoudaoplaceHolder0 Optimisation de polissage de surface ‌

un. En adoptant la technologie de polissage mécanique chimique (CMP), la rugosité de surface est réduite au niveau atomique (RA 0,3 nm).


La technologie Smart Cut rehappe le paysage industriel des plaquettes 3C-Sic à travers la révolution manufacturière de "plus mince, plus forte et plus efficace". Son application à grande échelle dans des domaines tels que de nouveaux véhicules énergétiques et des stations de base de communication a poussé le marché mondial du carbure de silicium à une croissance annuelle de 34% (TCAC de 2023 à 2028). Avec la localisation de l'équipement et l'optimisation des processus, cette technologie devrait devenir une solution universelle pour la prochaine génération de fabrication de semi-conducteurs.






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