Des produits

Les membranes en céramique Veteksemicon SIC sont un type de membrane inorganique et appartiennent à des matériaux de membrane solides dans la technologie de séparation des membranes. Les membranes SIC sont tirées à une température supérieure à 2000 ℃. La surface des particules est lisse et ronde. Il n'y a pas de pores ou de canaux fermés dans la couche de support et chaque couche. Ils sont généralement composés de trois couches avec différentes tailles de pores.

La pâte de polissage CMP (Chemical Mechanical Polishing Slurry) est un matériau haute performance utilisé dans la fabrication de semi-conducteurs et le traitement de matériaux de précision. Sa fonction principale est d'obtenir une planéité fine et un polissage de la surface du matériau sous l'effet synergique de la corrosion chimique et du meulage mécanique afin de répondre aux exigences de planéité et de qualité de surface au niveau nanométrique. Dans l’attente de votre prochaine consultation.

En tant que principal fabricant chinois de produits en carbone vitreux, les creusets en carbone vitreux de Veteksemicon sont largement utilisés dans le champ de fabrication de semi-conducteurs en raison de leur excellente pureté ultra-élevée, de la porosité zéro, de l'anti-perméation et de leur excellente résistance à la corrosion chimique, et ont obtenu des éloges élevés des clients européens et américains. Bienvenue à votre demande.

En tant que premier fabricant chinois et fournisseur de produits de revêtement en carbure de silicium, le porte-plaquette en revêtement SIC de VetekSEMICON pour la gravure joue un rôle de base irremplaçable dans le processus de gravure avec son excellente stabilité à haute température, sa résisté à la corrosion exceptionnelle et sa conductivité thermique élevée.

Le suscepteur de la plaquette en revêtement en revêtement CVD SIC de VetekSeMICON est une solution de pointe pour les processus épitaxiaux semi-conducteurs, offrant une pureté ultra-élevée (≤100ppb, certifié ICP-E10) et une stabilité thermique / chimique exceptionnelle pour la croissance de la contamination de la contamination de la croissance du GAN, du SIC et du silicium. En axé sur la technologie CVD de précision, il prend en charge les plaquettes de 6 ”/ 8” / 12 ”, assure une contrainte thermique minimale et résiste à des températures extrêmes jusqu'à 1600 ° C.

Notre suscepteur planétaire revêtu de SiC est un composant central du processus à haute température de la fabrication de semi-conducteurs. Sa conception combine un substrat de graphite avec un revêtement en carbure de silicium pour obtenir une optimisation complète des performances de gestion thermique, de la stabilité chimique et de la résistance mécanique.