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Matière première CVD SiC 7N de haute pureté
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Matière première CVD SiC 7N de haute pureté

La qualité du matériau source initial est le principal facteur limitant le rendement des plaquettes dans la production de monocristaux de SiC. Le SiC CVD CVD haute pureté 7N de VETEK offre une alternative polycristalline haute densité aux poudres traditionnelles, spécialement conçue pour le transport physique de vapeur (PVT). En utilisant une forme CVD en vrac, nous éliminons les défauts de croissance courants et améliorons considérablement le débit du four. Dans l'attente de votre demande.

1. Facteurs de performance fondamentaux



  • Pureté de qualité 7N: Nous maintenons une pureté constante de 99,99999 % (7N), en maintenant les impuretés métalliques à des niveaux de ppb. Ceci est essentiel pour cultiver des cristaux semi-isolants à haute résistivité (HPSI) et garantir une contamination nulle dans les applications de puissance ou RF.
  • Stabilité structurelle par rapport à C-Dust: Contrairement aux poudres traditionnelles qui ont tendance à s'effondrer ou à libérer des fines lors de la sublimation, notre vrac CVD à gros grains reste structurellement stable. Cela empêche la migration de la poussière de carbone (poussière C) dans la zone de croissance, principale cause d'inclusions de cristaux et de défauts de micro-tuyaux.
  • Cinétique de croissance optimisée: Conçue pour la fabrication à l'échelle industrielle, cette source prend en charge des taux de croissance allant jusqu'à 1,46 mm/h. Cela représente une amélioration de 2 à 3 fois par rapport aux 0,3 à 0,8 mm/h généralement obtenus avec les méthodes conventionnelles à base de poudre.
  • Gestion du gradient thermique: La densité apparente élevée et la géométrie spécifique de nos blocs créent un gradient de température plus agressif au sein du creuset. Cela favorise une libération équilibrée de vapeurs de silicium et de carbone, atténuant ainsi les fluctuations « riche en Si tôt / riche en C tardive » qui affectent les processus standards.
  • Optimisation du chargement du creuset: Notre matériau permet une augmentation de plus de 2 kg de la capacité de chargement pour les creusets de 8 pouces par rapport aux méthodes à poudre. Cela permet la croissance de lingots plus longs par cycle, améliorant directement le taux de rendement post-production vers 100 %.



Vetek CVD SiC Raw Material


1. Spécifications techniques

Paramètre
Données
Base matérielle
SiC CVD polycristallin de haute pureté
Norme de pureté
7N (≥ 99,99999 %)
Concentration d'azote (N)
≤ 5 × 10¹⁵ cm⁻³
Morphologie
Blocs à gros grains haute densité
Demande de processus
Croissance cristalline 4H et 6H-SiC à base de PVT
Référence de croissance
1,46 mm/h avec une qualité cristalline élevée

Comparaison : poudre traditionnelle et VETEK CVD Bulk

Article de comparaison
Poudre SiC traditionnelle
VETEK CVD-SiC en vrac
Forme physique
Poudre fine/irrégulière
Blocs denses à gros grains
Risque d'inclusion
Élevé (en raison de la migration de poussières C)
Minimale (stabilité structurelle)
Taux de croissance
0,3 – 0,8 mm/heure
Jusqu'à 1,46 mm/h
Stabilité des phases
Dérives au cours de longs cycles de croissance
Libération stœchiométrique stable
Capacité du four
Standard
+2kg par creuset de 8 pouces


CVD SiC Raw Material for SiC Crystal Growth

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