Des produits

Le suscepteur de la plaquette en revêtement en revêtement CVD SIC de VetekSeMICON est une solution de pointe pour les processus épitaxiaux semi-conducteurs, offrant une pureté ultra-élevée (≤100ppb, certifié ICP-E10) et une stabilité thermique / chimique exceptionnelle pour la croissance de la contamination de la contamination de la croissance du GAN, du SIC et du silicium. En axé sur la technologie CVD de précision, il prend en charge les plaquettes de 6 ”/ 8” / 12 ”, assure une contrainte thermique minimale et résiste à des températures extrêmes jusqu'à 1600 ° C.

Notre suscepteur planétaire revêtu de SiC est un composant central du processus à haute température de la fabrication de semi-conducteurs. Sa conception combine un substrat de graphite avec un revêtement en carbure de silicium pour obtenir une optimisation complète des performances de gestion thermique, de la stabilité chimique et de la résistance mécanique.

Nos plaques en céramique poreuse en sic sont des matériaux en céramique poreux en carbure de silicium comme composant principal et traités par des processus spéciaux. Ce sont des matériaux indispensables dans la fabrication de semi-conducteurs, le dépôt de vapeur chimique (CVD) et d'autres processus.

Notre anneau d'étanchéité enduit de SiC pour l'épitaxie est un composant d'étanchéité haute performance basé sur des composites de graphite ou de carbone-carbone recouvert de carbure de silicium à haute pureté (SIC) par le dépôt de vapeur chimique (CVD), qui combine la stabilité thermique du graphite avec la résistance environnementale extrême de la SIC, et est conçue pour le semi-conducteur.

Notre bateau en quartz de haute pureté est en quartz fusionné (teneur en Sio₂ ≥ 99,99%). Avec son excellente résistance aux environnements extrêmes, son coefficient de dilatation thermique faible et son cycle de vie long, il est devenu un consommable clé irremplaçable dans les semi-conducteurs et les nouvelles industries énergétiques.

L'anneau de mise au point pour la gravure est le composant clé pour garantir la précision et la stabilité du processus. Ces composants sont assemblés avec précision dans une chambre à vide pour obtenir un usinage uniforme des structures à l'échelle nanométrique sur la surface de la plaquette par un contrôle précis de la distribution du plasma, de la température des bords et de l'uniformité du champ électrique.