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Anneau supérieur d'épitaxie recouvert de carbure de silicium CVD (SiC) de 8 pouces
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Anneau supérieur d'épitaxie recouvert de carbure de silicium CVD (SiC) de 8 pouces

L'anneau supérieur épi SiC de 8 pouces est une pièce matérielle pour les réacteurs à semi-conducteurs. Il fonctionne dans les systèmes d'épitaxie Si/SiC et MOCVD/CVD. Cet anneau stabilise la chaleur à l'intérieur de la chambre. Il contrôle également le flux de gaz. Le matériau est du carbure de silicium CVD de haute pureté. Il n’a pas les problèmes de dégazage du graphite. Il réduit également la contamination par les particules pendant la production. Nous apprécions vos demandes.

Propriétés physiques de base du revêtement CVD SiC
Propriété
Valeur typique
Structure cristalline
Phase β FCC polycristalline, principalement orientée (111)
Densité
3,21 g/cm³
Dureté
Dureté Vickers 2500 (charge de 500 g)
Taille des grains
2~10μm
Pureté chimique
99,99995%
Capacité thermique
640 J·kg-1·K-1
Température de sublimation
2700 ℃
Résistance à la flexion
415 MPa RT 4 points
Module de Young
Courbure 430 Gpa 4pt, 1300℃
Conductivité thermique
300W·m-1·K-1
Expansion thermique (CTE)
4,5×10-6K-1


Principales caractéristiques de l'anneau supérieur SiC Epi de 8 pouces


● Haute pureté : 99,9995 % minimum. Le métal ne migrera pas dans l'épi-couche. Cela maintient la concentration des porteurs de tranches là où elle doit être.

● Suppression des particules : La structure CVD est dense. Pas de pores. Il ne rejettera pas de particules pendant le fonctionnement de l'outil. Les usines obtiennent ainsi de meilleurs rendements.

● Résistance à la chaleur : L'anneau reste stable à 1500°C. Un faible CTE (expansion thermique) signifie aucune déformation pendant les cycles rapides de chauffage/refroidissement.

● Stabilité chimique : Le CVD SiC solide résiste aux gaz H2 et HCl. Il résiste également au NH3. Il n’y a aucun revêtement à décoller. Il ne se dégrade pas dans les environnements CVD difficiles.

● Durée de vie des composants : La surface est extrêmement dure. Il survit aux nettoyages chimiques répétés HF/HCl. Cela réduit la fréquence de remplacement. Cela réduit également le coût total de possession de l’usine de fabrication.


SIC coating composition parameter table

Spécifications techniques

Paramètre
Valeur
Nom du produit
Anneau supérieur SiC Epi de 8 pouces
Matériel
Carbure de silicium solide (SiC) CVD
Pureté
≥ 99,99995 %
Densité
~3,2 g/cm³
Conductivité thermique
~300 W/m·K
Expansion thermique (CTE)
4,5–4,8 × 10⁻⁶ /°C
Température maximale
>1500°C
Structure
Dense, sans pores
Taille
8 pouces (personnalisé disponible)
Surface
Usiné avec précision


L'uniformité de l'épaisseur du revêtement entre les lots est contrôlée à 10 um


Applications


L'anneau supérieur CVD SiC epi est largement utilisé dans :

● Réacteurs d'épitaxie silicium (Si Epi)

● Epitaxie au carbure de silicium (SiC Epi)

● Systèmes MOCVD

● Équipement de dépôt CVD

Couramment associé à :

● Suscepteurs

● Supports de plaquettes

● Préchauffer les anneaux

● Réacteurs d'épitaxie


Pourquoi choisir l'anneau supérieur VETEK SiC Epi ?


Capacité de fabrication complète : 

De la purification des matières premières à l'usinage de précision et au revêtement CVD, VETEK contrôle l'ensemble du processus de production pour garantir une qualité constante de qualité semi-conducteur.

Haute précision : 

Nous utilisons un usinage au niveau du micron. L'épaisseur du CVD est très uniforme. Cela fait que chaque anneau fonctionne exactement de la même manière.


FAQ

(1) À quoi sert l'anneau supérieur épi SiC ?

L'anneau gère le flux de chaleur et de gaz. Cela garantit que le film mince se développe uniformément sur la plaquette.

(2) Pourquoi le CVD SiC est-il meilleur que le graphite ?

Le graphite est poreux. Le graphite a des pores et libère du gaz. Le SiC CVD solide est dense et propre. Il dure beaucoup plus longtemps dans les outils corrosifs.

(3) L'anneau supérieur SiC de 8 pouces peut-il être personnalisé ?

Oui. Nous construisons selon vos dessins d’outils spécifiques. Nous pouvons ajuster la géométrie en fonction de votre processus.

(4).Quelles industries utilisent les anneaux d'épitaxie SiC ?

Ils sont principalement utilisés dans la fabrication de semi-conducteurs, notamment dans les dispositifs de puissance, les dispositifs RF et la production de plaquettes SiC.



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