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Les revêtements de carbure de tantale (TAC) sont largement utilisés dans le champ semi-conducteur, principalement pour les composants de réacteurs de croissance épitaxiale, les composants clés de croissance monocristalliers, les composants industriels à haute température, les chauffeurs de système MOCVD et les porteurs de la tranche.

Pendant le processus de croissance épitaxiale du SIC, une défaillance de la suspension en graphite enrobée du SIC peut se produire. Cet article effectue une analyse rigoureuse du phénomène de défaillance de la suspension de graphite enrobée SIC, qui comprend principalement deux facteurs: insuffisance du gaz épitaxiale SIC et défaillance du revêtement SIC.

Cet article traite principalement des avantages et des différences respectifs des processus d'épitaxie par jet moléculaire et des technologies de dépôt chimique en phase vapeur organométallique.

Le carbure de tantalum poreux de Vetek Semiconductor, en tant que nouvelle génération de matériau de croissance en cristal SIC, a de nombreuses excellentes propriétés de produit et joue un rôle clé dans une variété de technologies de traitement des semi-conducteurs.

Le principe de travail de la fournaise épitaxiale est de déposer des matériaux semi-conducteurs sur un substrat à haute température et à haute pression. La croissance épitaxiale du silicium consiste à développer une couche de cristal avec la même orientation cristalline que le substrat et une épaisseur différente sur un substrat monocristallin en silicium avec une certaine orientation cristalline. Cet article introduit principalement les méthodes de croissance épitaxiale du silicium: épitaxy en phase de vapeur et épitaxy en phase liquide.

Le dépôt chimique de vapeur (CVD) dans la fabrication de semi-conducteurs est utilisé pour déposer des matériaux en petits films dans la chambre, y compris SiO2, SIN, etc., et les types couramment utilisés incluent PECVD et LPCVD. En ajustant la température, la pression et le type de gaz de réaction, la MCV atteint une pureté, une uniformité élevée et une bonne couverture cinématographique pour répondre à différentes exigences de processus.

Cet article décrit principalement les grandes perspectives d'application de la céramique en carbure de silicium. Il se concentre également sur l'analyse des causes des fissures de frittage dans la céramique en carbure de silicium et les solutions correspondantes.

La technologie de gravure dans la fabrication de semi-conducteurs rencontre souvent des problèmes tels que l'effet de charge, l'effet de micro-rainure et l'effet de charge, qui affectent la qualité du produit. Les solutions d'amélioration comprennent l'optimisation de la densité du plasma, l'ajustement de la composition des gaz de réaction, l'amélioration de l'efficacité du système de vide, la conception d'une disposition lithographique raisonnable et la sélection des matériaux de masque de gravure et des conditions de processus appropriés.

Le frittage à chaud est la principale méthode pour préparer des céramiques SIC à haute performance. Le processus de frittage à chaud comprend: la sélection de la poudre SIC de haute pureté, de la pressage et du moulage sous haute température et haute pression, puis frittage. Les céramiques SIC préparées par cette méthode présentent les avantages de la haute pureté et de la haute densité, et sont largement utilisés dans les disques de broyage et l'équipement de traitement thermique pour le traitement des plaquettes.

Les principales méthodes de croissance du carbure de silicium (SiC) incluent le PVT, le TSSG et le HTCVD, chacune présentant des avantages et des défis distincts. Les matériaux de champ thermique à base de carbone tels que les systèmes d'isolation, les creusets, les revêtements TaC et le graphite poreux améliorent la croissance cristalline en offrant stabilité, conductivité thermique et pureté, essentielles à la fabrication et à l'application précises du SiC.

Le SiC présente une dureté, une conductivité thermique et une résistance à la corrosion élevées, ce qui le rend idéal pour la fabrication de semi-conducteurs. Le revêtement CVD SiC est créé par dépôt chimique en phase vapeur, offrant une conductivité thermique élevée, une stabilité chimique et une constante de réseau adaptée à la croissance épitaxiale. Sa faible dilatation thermique et sa dureté élevée garantissent durabilité et précision, ce qui le rend essentiel dans des applications telles que les supports de plaquettes, les anneaux de préchauffage, etc. VeTek Semiconductor est spécialisé dans les revêtements SiC personnalisés pour divers besoins industriels.

Le carbure de silicium (SIC) est un matériau semi-conducteur de haute précision connu pour ses excellentes propriétés comme une résistance à haute température, une résistance à la corrosion et une forte résistance mécanique. Il a plus de 200 structures cristallines, le 3C-SIC étant le seul type cube, offrant une sphéricité et une densification naturelles supérieures par rapport à d'autres types. 3C-SIC se distingue par sa forte mobilité électronique, ce qui le rend idéal pour les MOSFET dans l'électronique de puissance. De plus, il montre un grand potentiel dans la nanoélectronique, les LED bleues et les capteurs.

Diamond, un «semi-conducteur ultime» potentiel de quatrième génération, attire l'attention dans les substrats de semi-conducteurs en raison de sa dureté exceptionnelle, de la conductivité thermique et de ses propriétés électriques. Bien que ses défis à coût élevé et à production limitent son utilisation, la MCV est la méthode préférée. Malgré le dopage et les défis de cristal à grande surface, Diamond est prometteur.

SIC et GAn sont des semi-conducteurs de bande interdite larges avec des avantages par rapport au silicium, tels que des tensions de panne plus élevées, des vitesses de commutation plus rapides et une efficacité supérieure. Le SIC est meilleur pour les applications à haute tension et haute puissance en raison de sa conductivité thermique plus élevée, tandis que Gan excelle dans les applications à haute fréquence grâce à sa mobilité électronique supérieure.

L'évaporation par faisceau d'électrons est une méthode de revêtement très efficace et largement utilisée par rapport au chauffage par résistance, qui chauffe le matériau d'évaporation avec un faisceau d'électrons, le faisant se vaporiser et se condenser en un film mince.