Nouvelles

La pâte de polissage Wafer CMP est un matériau liquide spécialement formulé utilisé dans le processus CMP de fabrication de semi-conducteurs. Il se compose d'eau, d'agents d'attaque chimique, d'abrasifs et de tensioactifs, permettant à la fois l'attaque chimique et le polissage mécanique.

Les abrasifs en carbure de silicium sont généralement produits à partir de quartz et de coke de pétrole comme matières premières primaires. Au cours de la phase préparatoire, ces matériaux subissent un traitement mécanique pour atteindre la taille de particule souhaitée avant d'être chimiquement dosés dans la charge du four.

Au cours des dernières années, la place centrale de la technologie de l'emballage a été progressivement cédée à une technologie apparemment « ancienne » : le CMP (Chemical Mechanical Polishing). Alors que le collage hybride devient le rôle principal de la nouvelle génération d’emballages avancés, CMP passe progressivement des coulisses au devant de la scène.

Dans le monde en constante évolution des appareils électroménagers et de cuisine, un produit a récemment attiré une attention particulière pour son innovation et son application pratique : le seau thermos à quartz.

Les produits en quartz sont largement utilisés dans le processus de fabrication de semi-conducteurs en raison de leur haute pureté, de leur résistance à haute température et de leur forte stabilité chimique.

Les fours de croissance en carbure de carbure de silicium (SIC) jouent un rôle vital dans la production de plaquettes SIC à haute performance pour les dispositifs semi-conducteurs de nouvelle génération. Cependant, le processus de croissance des cristaux SIC de haute qualité présente des défis importants. De la gestion des gradients thermiques extrêmes à la réduction des défauts cristallins, en garantissant une croissance uniforme et en contrôlant les coûts de production, chaque étape nécessite des solutions d'ingénierie avancées. Cet article analysera les défis techniques des fours de croissance cristalline SIC sous plusieurs angles.