Nouvelles

Cet article décrit principalement la technologie épitaxiale à basse température basée sur le GAN, notamment la structure cristalline des matériaux à base de GaN, 3. Exigences de technologie épitaxiale et solutions de mise en œuvre, les avantages de la technologie épitaxiale à basse température basée sur les principes PVD et les perspectives de développement de la technologie épitaxiale à basse température.

Cet article présente d'abord la structure moléculaire et les propriétés physiques du TAC, et se concentre sur les différences et les applications du carbure de tantale et du carbure de Tantalum CVD, ainsi que des produits de revêtement TAC populaires de Vetek Semiconductor.

Cet article présente les caractéristiques du produit du revêtement TAC CVD, le processus de préparation du revêtement TAC CVD à l'aide de la méthode CVD et la méthode de base pour la détection de morphologie de surface du revêtement TAC CVD préparé.

Cet article présente les caractéristiques des produits du revêtement TAC, le processus spécifique de préparation des produits de revêtement TAC à l'aide de la technologie CVD, introduit le revêtement TAC le plus populaire de VetekSEMICON, et analyse brièvement les raisons du choix de VeteKseMicon.

Cet article analyse les raisons pour lesquelles le revêtement SIC un matériau de base clé pour la croissance épitaxiale du SIC et se concentre sur les avantages spécifiques du revêtement SIC dans l'industrie des semi-conducteurs.

Les nanomatériaux en carbure de silicium (SIC) sont des matériaux avec au moins une dimension à l'échelle nanométrique (1-100 nm). Ces matériaux peuvent être zéro, un, deux ou trois dimensions et avoir des applications diverses.