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Les plaquettes de silicium constituent la base des circuits intégrés et des dispositifs semi-conducteurs. Ils présentent une caractéristique intéressante : des bords plats ou de minuscules rainures sur les côtés. Il ne s'agit pas d'un défaut, mais d'un marqueur fonctionnel délibérément conçu. En fait, cette encoche sert de référence directionnelle et de marqueur d'identité tout au long du processus de fabrication.

Le polissage chimico-mécanique (CMP) élimine les excès de matière et les défauts de surface grâce à l'action combinée de réactions chimiques et d'abrasion mécanique. Il s’agit d’un processus clé pour parvenir à une planarisation globale de la surface de la tranche et il est indispensable pour les interconnexions multicouches en cuivre et les structures diélectriques à faible k. Dans la fabrication pratique

En 2025, l'industrie européenne des semi-conducteurs se réunira à nouveau au plus grand salon des semi-conducteurs SEMICON Europa à Munich du 18 au 21 novembre.

La pâte de polissage CMP (Chemical Mechanical Planarization) des plaquettes de silicium est un composant essentiel du processus de fabrication des semi-conducteurs. Il joue un rôle central en garantissant que les plaquettes de silicium, utilisées pour créer des circuits intégrés (CI) et des micropuces, sont polies jusqu'au niveau exact de douceur requis pour les prochaines étapes de production.

Dans la fabrication de semi-conducteurs, la planarisation chimico-mécanique (CMP) joue un rôle essentiel. Le processus CMP combine des actions chimiques et mécaniques pour lisser la surface des tranches de silicium, fournissant ainsi une base uniforme pour les étapes ultérieures telles que le dépôt de couches minces et la gravure. La pâte de polissage CMP, en tant que composant essentiel de ce processus, a un impact significatif sur l'efficacité du polissage, la qualité de la surface et les performances finales du produit.

La pâte de polissage Wafer CMP est un matériau liquide spécialement formulé utilisé dans le processus CMP de fabrication de semi-conducteurs. Il se compose d'eau, d'agents d'attaque chimique, d'abrasifs et de tensioactifs, permettant à la fois l'attaque chimique et le polissage mécanique.

Les abrasifs en carbure de silicium sont généralement produits à partir de quartz et de coke de pétrole comme matières premières primaires. Au cours de la phase préparatoire, ces matériaux subissent un traitement mécanique pour atteindre la taille de particule souhaitée avant d'être chimiquement dosés dans la charge du four.

Au cours des dernières années, la place centrale de la technologie de l'emballage a été progressivement cédée à une technologie apparemment « ancienne » : le CMP (Chemical Mechanical Polishing). Alors que le collage hybride devient le rôle principal de la nouvelle génération d’emballages avancés, CMP passe progressivement des coulisses au devant de la scène.

Dans le monde en constante évolution des appareils électroménagers et de cuisine, un produit a récemment attiré une attention particulière pour son innovation et son application pratique : le seau thermos à quartz.

Les produits en quartz sont largement utilisés dans le processus de fabrication de semi-conducteurs en raison de leur haute pureté, de leur résistance à haute température et de leur forte stabilité chimique.

Les fours de croissance en carbure de carbure de silicium (SIC) jouent un rôle vital dans la production de plaquettes SIC à haute performance pour les dispositifs semi-conducteurs de nouvelle génération. Cependant, le processus de croissance des cristaux SIC de haute qualité présente des défis importants. De la gestion des gradients thermiques extrêmes à la réduction des défauts cristallins, en garantissant une croissance uniforme et en contrôlant les coûts de production, chaque étape nécessite des solutions d'ingénierie avancées. Cet article analysera les défis techniques des fours de croissance cristalline SIC sous plusieurs angles.

Smart Cut est un processus de fabrication avancé de semi-conducteurs basé sur l'implantation d'ions et le décapage de la plaquette, spécialement conçu pour la production de plaquettes 3C-SIC (en carbure de silicium cube) ultra-minces et très uniformes. Il peut transférer des matériaux cristallins ultra-minces d'un substrat à un autre, brisant ainsi les limitations physiques d'origine et modifiant l'ensemble de l'industrie du substrat.

Dans la préparation de substrats de carbure de silicium de haute qualité et à haut rendement, le noyau nécessite un contrôle précis de la température de production par de bons matériaux de champ thermique. Actuellement, les kits de creuset à champ thermique principalement utilisés sont des composants structurels de graphite de haute pureté, dont les fonctions sont de chauffer la poudre de carbone fondu et de la poudre de silicium ainsi que de maintenir la chaleur.

Lorsque vous voyez les semi-conducteurs de troisième génération, vous vous demanderez sûrement quelles étaient les première et deuxième générations. La "génération" ici est classifiée en fonction des matériaux utilisés dans la fabrication de semi-conducteurs.

Le mandrin électrostatique (ESC), également connu sous le nom de Chuck électrostatique (ESC, E-Chuck), est un luminaire qui utilise le principe de l'adsorption électrostatique pour maintenir et fixer le matériau adsorbé. Il convient aux environnements sous vide et plasma.

Les transporteurs de plaquettes SIC, en tant que consommables clés de la chaîne de l'industrie des semi-conducteurs de troisième génération, leurs caractéristiques techniques affectent directement le rendement de la croissance épitaxiale et de la fabrication de dispositifs. Avec la demande croissante de dispositifs à haute tension et à haute température dans des industries telles que les stations de base 5G et les nouveaux véhicules énergétiques, la recherche et l'application de transporteurs de plaquettes SIC sont désormais confrontés à des opportunités de développement importantes.