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Dans la fabrication moderne de puces, le substrat fournit un support physique et un chemin de dissipation thermique, tandis que la couche épitaxiale détermine les limites de performances électriques du dispositif. Cet article fournit une analyse approfondie des différences fondamentales entre les substrats de silicium monocristallin et de carbure de silicium et les processus épitaxiaux CVD/MBE, et révèle comment la technologie épitaxiale améliore les performances des dispositifs haute fréquence et haute tension en réduisant la densité des défauts et en intégrant l'ingénierie des contraintes. Que vous soyez ingénieur procédés ou décideur en approvisionnement, ce guide vous aidera à identifier rapidement la stratégie de sélection de plaquettes la plus adaptée.

Analyse approfondie des causes du jaunissement des bords et du pelage du revêtement de carbure de silicium sur les suscepteurs de graphite d'épitaxie MOCVD. VeTek a éliminé les micro-stress en contrôlant avec précision le taux de dépôt CVD initial et le champ d'écoulement, augmentant ainsi le rendement du revêtement de 50 % à 90 % et prolongeant la durée de vie des pièces en graphite de haute pureté.

Répondant à une variation d'épaisseur de 1,4 % d'une poche à l'autre dans les suscepteurs de graphite pour épitaxie de silicium multi-poches, VeTek Semi a amélioré la planéité du suscepteur à < 0,08 mm et réduit la variation à 0,69 % grâce à la simulation du champ d'écoulement CVD et au revêtement SiC ultra-précis, augmentant ainsi le rendement des tranches.