Sic-suscepteur planétaire enduit de sic

Le suscepteur planétaire revêtu de SiC est un porteur planétaire recouvert decarbure de silicium (sic), qui est principalement utilisé dans les processus de dépôt de matériaux semi-conducteurs tels que le dépôt de vapeur chimique métal-organique (MOCVD), l'épitaxie du faisceau moléculaire (MBE), etc. Sa fonction principale est de transporter et de faire tourner des wafers pour assurer l'uniformité des matériaux et la cohérence du champ thermique pendant le processus de dépôt. Sa fonction principale est de transporter et de faire tourner des plaquettes pour assurer l'uniformité des matériaux et la consistance du champ thermique pendant le dépôt, et le revêtement SIC fournit au support une excellente résistance à la température, une résistance à la corrosion et une conductivité thermique pour un semi-conducteur de haute précisiontranchetraitement.

Scénarios d'application de base pour le suscepteur planétaire enduit de sic

MOCVD Processus de croissance épitaxiale

Dans le processus MOCVD, le suscepteur planétaire revêtu de SiC est principalement utilisé pour transporter des plaquettes de silicium (Si), de carbure de silicium (SIC), de nitrure de gallium (Gan), d'arséniure de gallium (GaAs) et d'autres matériaux.

● Exigences fonctionnelles: Positionnement précis et rotation synchronisée des plaquettes pour assurer une distribution uniforme des matériaux déposés par vapeur sur la surface de la plaquette et améliorer l'uniformité de l'épaisseur et de la composition du film.

● Avantage: Les revêtements SIC sont fortement résistants à la corrosion et peuvent résister à l'érosion de précurseurs métal-organiques hautement réactifs tels que le triméthylgallium (TMGA) et le triméthylindium (TMIN), prolongeant leur durée de vie.

Fabrication de dispositifs d'alimentation en carbure de silicium (SIC)

Le suscepteur planétaire enduit de SiC est largement utilisé dans la croissance épitaxiale des dispositifs de puissance SIC, tels que MOSFET, IGBT, SBD et d'autres dispositifs.

● Exigences fonctionnelles: Fournissez une plate-forme d'égalisation thermique stable dans des environnements à haute température pour assurer la qualité de la cristallisation de la couche épitaxiale et le contrôle des défauts.

● Avantage: Les revêtements SIC sont résistants à une température élevée (> 1600 ° C) et ont un coefficient d'expansion thermique (4,0 × 10 ^ -6 K ^ -1) à proximité de celui des plaquettes de carbure de silicium, ce qui réduit efficacement les contraintes thermiques et améliore la qualité et la stabilité de la couche épitaxiale.

Ultraviolet profond (duv) et fabrication épitaxiale LED ultraviolet

Le suscepteur planétaire enduit de SiC convient à la croissance épitaxiale de matériaux tels que le nitrure de gallium (GAN) et le nitrure de gallium en aluminium (ALGAN), et est largement utilisé dans la fabrication de LED UV et de micro LED.

● Exigences fonctionnelles: Maintenir un contrôle de température précis et une distribution uniforme du flux d'air pour assurer la précision de la longueur d'onde et les performances de l'appareil.

● Avantage: La conductivité thermique élevée et la résistance à l'oxydation permettent une excellente stabilité à des températures élevées sur de longues périodes de fonctionnement, contribuant à améliorer l'efficacité lumineuse et la cohérence des puces LED.

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Le suscepteur planétaire revêtu de VetekSemicon SIC a démontré des avantages irremplaçables dans les environnements de fabrication de semi-conducteurs à température élevée et corrosifs à travers ses propriétés de matériaux uniques et sa conception mécanique. Et nos principaux produits de suscepteur planétaire sont le suscepteur planétaire enduit de sic,Ald Planetary Suscepteur, TAC revêtement de suscepteur planétaireet ainsi de suite. Dans le même temps, VetekSemicon s'engage à fournir des produits et des services techniques personnalisés à l'industrie des semi-conducteurs. Nous sommes sincèrement impatients d'être votre partenaire à long terme en Chine.