CVD SIC enduit de douche en graphite

Veteksemicon CVD SIC enduit de douche en graphite, sa surface conçue de précision assure une distribution uniforme des gaz, qui est essentielle pour atteindre un dépôt de film cohérent entre les plaquettes. LeRevêtement sicAméliore non seulement la résistance à l'usure et la résistance à l'oxydation, mais prolonge également la durée de vie dans des conditions difficiles de processus.

Largement appliquée dans la fabrication de plaquettes semi-conducteurs, l'épitaxie et le dépôt de couches minces, la pomme de douche en graphite en revêtement CVD SIC est un choix idéal pour les fabricants à la recherche de composants de procédés fiables, de haute pureté et de longue durée qui répondent aux exigences de la production de semi-conducteurs de nouvelle génération.

La tête de douche en carbure de silicium VeteKsemi CVD est fabriquée à partir de carbure de silicium déposé à la vapeur chimique de haute pureté et est optimisée pour les processus CVD et MOCVD dans les industries électroniques semi-conductrices, LED et avancées. Sa stabilité thermique exceptionnelle, sa résistance à la corrosion et sa distribution uniforme des gaz assurent un fonctionnement stable à long terme dans des environnements à haute température et hautement corrosifs, améliorant considérablement la répétabilité et le rendement des processus.

Veteksemicon CVD SIC enduit de pie de douche en graphite Core Avantages

● Pureté et densité ultra-élevée

La pomme de douche en graphite à revêtement CVD est fabriquée à l'aide d'un processus de MCV de haute pureté, garantissant une pureté de matériau ≥99,9995%, éliminant toutes les impuretés métalliques. Sa structure non poreuse empêche efficacement la perméation de gaz et l'excrétion des particules, ce qui le rend idéal pour l'épitaxy semi-conducteur et les processus d'emballage avancés nécessitant une propreté extrêmement élevée. Par rapport aux composants SIC ou en graphite frittés traditionnels, notre produit maintient des performances stables même après un fonctionnement prolongé à haute température, réduisant la fréquence de maintenance et les coûts de production.

● Excellente stabilité thermique

Dans les processus CVD et MOCVD à haute température, les matériaux conventionnels sont sensibles à la déformation ou à la fissuration due à la contrainte thermique. La pomme de douche CVD SIC résiste à des températures jusqu'à 1600 ° C et présente un coefficient d'expansion thermique extrêmement faible, assurant une stabilité structurelle pendant les augmentations rapides et diminue. Sa conductivité thermique uniforme optimise davantage la distribution de la température dans la chambre de réaction, minimisant les différences de taux de dépôt entre le bord de la plaquette et le centre, et l'amélioration de l'uniformité du film.

● Corrosion anti-plasma

Pendant les processus de gravure ou de dépôt, des gaz hautement corrosifs (comme CF₄, CL₂et HBR) éroder rapidement des composants de quartz ou de graphite conventionnels. Le matériau CVD SIC présente une résistance à la corrosion exceptionnelle dans les environnements plasmatiques, avec une durée de vie 3 à 5 fois celle des matériaux conventionnels. Le test des clients réel a montré que même après 2000 heures de fonctionnement continu, la variation de la taille des pores reste à ± 1%, assurant une distribution de débit stable à long terme.

● Longue durée de vie et coût à faible entretien

Bien que les composants de graphite traditionnels nécessitent un remplacement fréquent, la ponce de douche CVD avec revêtement SIC maintient des performances stables même dans des environnements difficiles. Cela réduit les coûts globaux de plus de 40%. De plus, la forte résistance mécanique du matériau empêche les dommages accidentels pendant la manipulation ou l'installation.

● Approbation de vérification de la chaîne écologique

Veteksemicon CVD Silicon Carbide Shower Tiche «La vérification de la chaîne écologique couvre les matières premières à la production, a passé la certification internationale des normes et possède un certain nombre de technologies brevetées pour assurer sa fiabilité et sa durabilité dans le semi-conducteur et les nouveaux domaines énergétiques.

Paramètres techniques

Projet	Paramètre
Matériel	CVD SIC (options de revêtement disponibles)
Plage de diamètre	100 mm-450 mm (personnalisable)
Tolérance d'épaisseur	± 0,05 mm
Rugosité de surface	≤0,2 μm
Processus applicable	CVD / MOCVD / PECVD / TECHING / EPITAXY

Champs d'application principaux

Direction de l'application	Scénario typique
Fabrication de semi-conducteurs	Silicon Epitaxy, Gan / GaAs Dispositifs
Électronique électrique	Production de plaquettes épitaxiales SIC
DIRIGÉ	Dépôt de substrat de saphir saphir MOCVD
Équipement de recherche scientifique	Système de dépôt à couches minces de haute précision

Approbation de vérification de la chaîne écologique

Veteksemicon CVD Silicon Carbide Shower Tiche «La vérification de la chaîne écologique couvre les matières premières à la production, a passé la certification internationale des normes et possède un certain nombre de technologies brevetées pour assurer sa fiabilité et sa durabilité dans le semi-conducteur et les nouveaux domaines énergétiques.

Pour des spécifications techniques détaillées, des livres blancs ou des dispositions de test d'échantillons, veuillezContactez notre équipe d'assistance techniquePour explorer comment VetekSeMICon peut améliorer l'efficacité de votre processus.