Revêtement en carbure de silicium

En tant que fabricant de revêtement en céramique en carbure de silicium professionnel en Chine, le revêtement en céramique en carbure de silicium de Vetek semi-conducteur est largement utilisé sur les composants clés de l'équipement de fabrication de semi-conducteurs, en particulier lorsque les processus CVD et PECVD sont impliqués. Bienvenue à votre demande.

Le suscepteur EPI est conçu pour les applications d'équipement épitaxial exigeantes. Sa structure de graphite enrobée de carbure de silicium de haute pureté (SIC) offre une excellente résistance à la chaleur, une uniformité thermique uniforme pour une épaisseur et une résistance cohérentes de la couche épitaxiale et une résistance chimique durable. Nous sommes impatients de coopérer avec vous.

En tant que fabricant et fournisseur professionnel de supports de tranches à revêtement SiC, les supports de tranches à revêtement SiC de Vetek Semiconductor sont principalement utilisés pour améliorer l'uniformité de croissance des couches épitaxiales, garantissant leur stabilité et leur intégrité dans des environnements corrosifs et à haute température.

Vetek Semiconductor est un fabricant de suscepteur de l'ALD professionnel en Chine. VETEK a développé et produit conjointement des bases planétaires Ald enduit de SiC avec des fabricants de systèmes ALD pour répondre aux exigences élevées du processus ALD. Bienvenue à votre consultation.

Le plafond revêtu de CVD SIC de Vetek Semiconductor a d'excellentes propriétés telles que une résistance à haute température, une résistance à la corrosion, une dureté élevée et un coefficient de forte expansion thermique, ce qui en fait un choix de matériau idéal dans la fabrication de semi-conducteurs. En tant que fabricant et fournisseur de plafond revêtu de CVD SIC de la Chine, Vetek Semiconductor attend avec impatience votre consultation.

Vetek Semiconductor est un fabricant professionnel de suscepteur EPI LED MOCVD en Chine. Notre suscepteur EPI LED MOCVD est conçu pour exiger des applications d'équipement épitaxial. Sa conductivité thermique élevée, sa stabilité chimique et sa durabilité sont des facteurs clés pour assurer un processus de croissance épitaxial stable et une production de films semi-conducteurs.