Revêtement en carbure de silicium

En tant que fabricant et fournisseur professionnel de supports de tranches à revêtement SiC, les supports de tranches à revêtement SiC de Vetek Semiconductor sont principalement utilisés pour améliorer l'uniformité de croissance des couches épitaxiales, garantissant leur stabilité et leur intégrité dans des environnements corrosifs et à haute température.

Vetek Semiconductor est un fabricant de suscepteur de l'ALD professionnel en Chine. VETEK a développé et produit conjointement des bases planétaires Ald enduit de SiC avec des fabricants de systèmes ALD pour répondre aux exigences élevées du processus ALD. Bienvenue à votre consultation.

Le plafond revêtu de CVD SIC de Vetek Semiconductor a d'excellentes propriétés telles que une résistance à haute température, une résistance à la corrosion, une dureté élevée et un coefficient de forte expansion thermique, ce qui en fait un choix de matériau idéal dans la fabrication de semi-conducteurs. En tant que fabricant et fournisseur de plafond revêtu de CVD SIC de la Chine, Vetek Semiconductor attend avec impatience votre consultation.

Vetek Semiconductor est un fabricant professionnel de suscepteur EPI LED MOCVD en Chine. Notre suscepteur EPI LED MOCVD est conçu pour exiger des applications d'équipement épitaxial. Sa conductivité thermique élevée, sa stabilité chimique et sa durabilité sont des facteurs clés pour assurer un processus de croissance épitaxial stable et une production de films semi-conducteurs.

Le SIC revêtement ALD Suscepteur est un composant de support spécifiquement utilisé dans le processus de dépôt de couche atomique (ALD). Il joue un rôle clé dans l'équipement ALD, assurant l'uniformité et la précision du processus de dépôt. Nous pensons que nos produits de suscepteur planétaire ALD peuvent vous apporter des solutions de produits de haute qualité.

Le suscepteur RTP à revêtement CVD SiC de VeTek Semiconductor est utilisé dans les équipements de traitement thermique rapide (RTP) et de recuit thermique rapide (RTA) utilisés dans la fabrication de semi-conducteurs. Le substrat est usiné à partir de graphite isostatique de haute pureté, sur lequel une couche dense de carbure de silicium (SiC) CVD est déposée. Cette construction offre une conductivité thermique élevée, une inertie chimique robuste et une stabilité dimensionnelle soutenue sous des cycles répétés à haute température.