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Plaque de gravure ICP SIC
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Plaque de gravure ICP SIC

VetekSeMICON propose des plaques de gravure ICP SIC haute performance, conçues pour les applications de gravure ICP dans l'industrie des semi-conducteurs. Ses propriétés de matériaux uniques lui permettent de bien fonctionner dans des environnements à haute température, à haute pression et à corrosion chimique, garantissant d'excellentes performances et une stabilité à long terme dans divers processus de gravure.

La technologie de gravure ICP (gravure du plasma à couplage inductif) est un processus de gravure de précision dans la fabrication de semi-conducteurs, couramment utilisé pour le transfert de motifs de haute précision et de haute qualité, en particulier adapté à la gravure des trous profonds, un traitement de micro-motifs, etc.


SeminiLa plaque de gravure ICP SIC SIC est spécialement conçue pour le processus ICP, en utilisant des matériaux SIC de haute qualité, et peut fournir d'excellentes performances dans des environnements à haute température, forts corrosifs et à haute énergie. En tant que composant clé pour le roulement et le soutien,Gravure ICPLa plaque assure la stabilité et l'efficacité pendant le processus de gravure.


Plaque de gravure ICP SICCaractéristiques du produit


ICP Etching process

● Tolérance à haute température

La plaque de gravure ICP SIC peut résister aux changements de température jusqu'à 1600 ° C, assurant une utilisation stable dans un environnement de gravure ICP à haute température et évitant la déformation ou la dégradation des performances causée par les fluctuations de la température.


●  Excellente résistance à la corrosion

Matériau en carbure de siliciumPeut résister efficacement aux produits chimiques hautement corrosifs tels que le fluorure d'hydrogène, le chlorure d'hydrogène, l'acide sulfurique, etc. qui peuvent être exposés lors de la gravure, garantissant que le produit n'est pas endommagé lors d'une utilisation à long terme.


●  Coefficient de dilatation thermique

La plaque de gravure ICP SIC a un coefficient de dilatation thermique faible, qui peut maintenir une bonne stabilité dimensionnelle dans un environnement à haute température, réduire le stress et la déformation causés par les changements de température et assurer un processus de gravure précis.


●  Résistance élevée à la dureté et à l'usure

Le SIC a une dureté jusqu'à 9 dureté Mohs, ce qui peut prévenir efficacement l'usure mécanique qui peut se produire pendant le processus de gravure, prolonger la durée de vie et réduire la fréquence de remplacement.


● EXcellent Conductivité thermique

Excellente conductivité thermique garantit que leBac sicpeut dissiper rapidement la chaleur pendant le processus de gravure, évitant les augmentations de température locales causées par l'accumulation de chaleur, assurant ainsi la stabilité et l'uniformité du processus de gravure.


Avec le soutien d'une solide équipe technique, VetekSeMICON SIC ICP Gray a réalisé divers projets difficiles et fournit des produits personnalisés en fonction de vos besoins. Nous attendons avec impatience votre demande.


Propriétés physiques de base du CVD SIC:

BPropriétés physiques ASIC du CVD SIC
Propriété
Valeur typique
Structure cristalline
FCC β phase polycristalline, principalement (111) orienté
Densité
3,21 g / cm³
Dureté
2500 Vickers dureté (charge de 500 g)
Taille des grains
2 ~ 10 mm
Pureté chimique
99,99995%
Capacité thermique
640 J · kg-1· K-1
Température de sublimation
2700 ℃
Résistance à la flexion
415 MPA RT 4 points
Module de jeunes
430 GPA 4pt Bend, 1300
Conductivité thermique
300W · M-1· K-1
Expansion thermique (CTE)
4,5 × 10-6K-1


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