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Revêtement SiC Plateau épitaxial en silicium monocristallin
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Revêtement SiC Plateau épitaxial en silicium monocristallin

Le plateau épitaxial en silicium monocristallin à revêtement SiC est un accessoire important pour le four de croissance épitaxiale en silicium monocristallin, garantissant une pollution minimale et un environnement de croissance épitaxiale stable. Le plateau épitaxial en silicium monocristallin à revêtement SiC de VeTek Semiconductor a une durée de vie ultra longue et offre une variété d'options de personnalisation. VeTek Semiconductor a hâte de devenir votre partenaire à long terme en Chine.

Le plateau épitaxial monocristallin épitaxial de silicium monocristallin de revêtement SIC est spécialement conçu pour la croissance épitaxiale monocristalline du silicium et joue un rôle important dans l'application industrielle de l'épitaxie en silicium monocristallin et des dispositifs semi-conducteurs connexes.Revêtement SiCaméliore non seulement considérablement la résistance à la température et à la corrosion du plateau, mais garantit également une stabilité à long terme et d'excellentes performances dans des environnements extrêmes.


Avantages du revêtement SiC


SiC coating Monocrystalline silicon epitaxial tray working diagram

●  Conductivité thermique élevée: Le revêtement SIC améliore considérablement la capacité de gestion thermique du plateau et peut disperser efficacement la chaleur générée par des dispositifs haute puissance.


● Résistance à la corrosion: Le revêtement SIC fonctionne bien dans des environnements à haute température et corrosifs, assurant une durée de vie et une fiabilité à long terme.


●  Uniformité de la surface: Fournit une surface plate et lisse, évitant efficacement les erreurs de fabrication causées par la surface inégale et assurant la stabilité de la croissance épitaxiale.


Selon la recherche, lorsque la taille des pores du substrat de graphite se situe entre 100 et 500 nm, un revêtement de gradient SIC peut être préparé sur le substrat de graphite, et le revêtement SIC a une capacité anti-oxydation plus forte. La résistance à l'oxydation du revêtement SIC sur ce graphite (courbe triangulaire) est beaucoup plus forte que celle des autres spécifications du graphite, adaptée à la croissance de l'épitaxie de silicium monocristallite. Le revêtement monocristallin épitaxial monocristallin de revêtement SIC du semi-conducteur utilise le graphite SGL comme le graphite SGL comme lesubstrat en graphite, qui est capable d’atteindre de telles performances.


Le plateau épitaxial en silicium monocristallin à revêtement SiC de VeTek Semiconductor utilise les meilleurs matériaux en graphite et la technologie de traitement de revêtement SiC la plus avancée. Plus important encore, quels que soient les besoins des clients en matière de personnalisation des produits, nous pouvons faire de notre mieux pour y répondre.


Propriétés physiques de base du revêtement CVD SiC


Propriétés physiques de base du revêtement CVD SiC
Propriété
Valeur typique
Structure cristalline
Phase β FCC polycristalline, principalement orientée (111)
Densité
3,21 g/cm³
Dureté
Dureté Vickers 2500 (charge de 500 g)
Grain size
2 ~ 10 mm
Pureté chimique
99,99995%
Capacité thermique
640 J·kg-1· K-1
Température de sublimation 2700 ℃
Résistance à la flexion
415 MPA RT 4 points
Module de Young
Courbure 430 Gpa 4pt, 1300℃
Conductivité thermique
300W · M-1· K-1
Expansion thermique (CTE)
4,5 × 10-6K-1

Magasins de production de semi-conducteurs Vetek


Graphite epitaxial substrateSemiconductor heating furnace equipmentGraphite ring assemblySemiconductor process equipment

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