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Anneau de mise au point de gravure du plasma
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Anneau de mise au point de gravure du plasma

Un composant important utilisé dans le processus de gravure de la fabrication de la plaquette est l'anneau de mise au point de gravure du plasma, dont la fonction est de maintenir la tranche en place pour maintenir la densité du plasma et empêcher la contamination des côtés de la plaquette. Le semi-conducteur en vetek fournit un anneau de mise au point de plasma avec des matériaux différents comme les matériaux monocristallins en silicone, le carbure de silicium, le boron carbure et d'autres matières céréaliques.

Dans le domaine de la fabrication de plaquettes, l'anneau de mise au point de Vetek Semiconductor joue un rôle clé. Ce n'est pas seulement un composant simple, mais joue un rôle vital dans le processus de gravure du plasma. Premièrement, l'anneau de mise au point d'étape plasma est conçu pour garantir que la tranche est fermement maintenue dans la position souhaitée, garantissant ainsi la précision et la stabilité du processus de gravure. En tenant la tranche en place, l'anneau de mise au point maintient effectivement l'uniformité de la densité du plasma, qui est essentielle pour le succès de laprocessus de gravure.


De plus, l'anneau de mise au point joue également un rôle important dans la prévention de la contamination latérale de la tranche. La qualité et la pureté des plaquettes sont essentielles à la fabrication de puces, de sorte que toutes les mesures nécessaires doivent être prises pour garantir que les plaquettes restent propres tout au long du processus de gravure. L'anneau de mise au point empêche efficacement les impuretés externes et les contaminants d'entrer sur les côtés de la surface de la plaquette, assurant ainsi la qualité et les performances du produit final.


Dans le passé,Focus des anneauxétaient principalement en quartz et en silicium. Cependant, avec l'augmentation de la gravure sèche dans la fabrication avancée de plaquettes, la demande d'anneaux de concentration en carbure de silicium (sic) augmente également. Par rapport aux anneaux de silicium purs, les anneaux SIC sont plus durables et ont une durée de vie plus longue, réduisant ainsi les coûts de production. Les anneaux en silicium doivent être remplacés tous les 10 à 12 jours, tandis que les anneaux sic sont remplacés tous les 15 à 20 jours. À l'heure actuelle, certaines grandes entreprises telles que Samsung étudient l'utilisation de la céramique de carbure de bore (B4C) au lieu de SIC. B4C a une dureté plus élevée, donc l'unité dure plus longtemps.


Plasma etching equipment Detailed diagram


Dans un équipement de gravure de plasma, l'installation d'un anneau de mise au point est nécessaire pour la gravure du plasma de la surface du substrat sur une base dans un récipient de traitement. L'anneau de focalisation entoure le substrat avec une première région du côté intérieur de sa surface qui a une petite rugosité de surface moyenne pour empêcher les produits de réaction générés lors de la gravure d'être capturés et déposés. 


Dans le même temps, la deuxième région en dehors de la première région a une grande rugosité de surface moyenne pour encourager les produits de réaction générés pendant le processus de gravure à capturer et à déposer. La frontière entre la première région et la deuxième région est la partie où la quantité de gravure est relativement significative, équipée d'un anneau de focalisation dans le dispositif de gravure du plasma, et la gravure du plasma est effectuée sur le substrat.


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SiC coated E-ChuckEtching processPlasma etching focus ringPlasma etching equipment

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