Porte-plaquette enduit de sic

La fabrication de puces est inséparable des plaquettes. Dans le processus de préparation des plaquettes, il y a deux liens principaux: l'une est la préparation du substrat, et l'autre est la mise en œuvre du processus épitaxial. Le substrat peut être directement placé dans le processus de fabrication de la plaquette pour produire des dispositifs semi-conducteurs, ou encore améliorés par leprocédé d'épitaxie. 

L'épitaxie consiste à développer une nouvelle couche de monocristal sur un substrat à cristal monocuste qui a été finement traité (coupe, broyage, polissage, etc.). Étant donné que la couche monocristalline nouvellement cultivée se développera en fonction de la phase cristalline du substrat, elle est appelée couche épitaxiale. Lorsque la couche épitaxiale se développe sur le substrat, l'ensemble est appelé une tranche épitaxiale. L'introduction de la technologie épitaxiale résout intelligemment de nombreux défauts de substrats uniques.

Dans la fournaise de croissance épitaxiale, le substrat ne peut pas être placé au hasard et unporte-avionsest nécessaire pour placer le substrat sur le support de plaquette avant que le dépôt épitaxial puisse être effectué sur le substrat. Ce support de plaquette est le porte-plaquette enduit SIC.

Vue en coupe transversale du réacteur EPI

Une qualité de haute qualitéRevêtement sicest appliqué à la surface du graphite SGL en utilisant la technologie CVD:

Avec l'aide d'un revêtement sic, de nombreuses propriétésPorte-plaquette revêtue de sicont été considérablement améliorés :

●  Propriétés antioxydantes: Le revêtement SIC a une bonne résistance à l'oxydation et peut protéger la matrice de graphite contre l'oxydation à des températures élevées et prolonger sa durée de vie.

● Résistance à haute température: Le point de fusion du revêtement SIC est très élevé (environ 2700 ° C). Après avoir ajouté un revêtement SIC à la matrice de graphite, il peut résister à des températures plus élevées, ce qui est bénéfique à l'application dans un environnement de fournaise de croissance épitaxiale.

● Résistance à la corrosion: Le graphite est sujet à la corrosion chimique dans certains environnements acides ou alcalins, tandis que le revêtement SIC a une bonne résistance à la corrosion acide et alcaline, de sorte qu'il peut être utilisé dans les fours de croissance épitaxiale pendant longtemps.

● Résistance à l'usure: Le matériau SIC a une dureté élevée. Une fois que le graphite est recouvert de sic, il n'est pas facilement endommagé lorsqu'il est utilisé dans une fournaise de croissance épitaxiale, réduisant le taux d'usure des matériaux.

Vetek Semiconductor utilise les meilleurs matériaux et la technologie de traitement la plus avancée pour fournir aux clients des produits de transporteur de plaquettes en revêtement SIC de pointe. L'équipe technique solide de Vetek Semiconductor s'est toujours engagée à adapter les produits les plus appropriés et les meilleures solutions système pour les clients.

DONNÉES SEM DU FILM CVD SIC

Semi-conducteur VeTekAteliers de supports de plaquettes revêtues de SiC