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Halfmoon inférieur de graphite ultra pur
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Halfmoon inférieur de graphite ultra pur

Vetek Semiconductor est l'un des principaux fournisseurs de HalfMoon inférieur de graphite ultra pur personnalisé en Chine, spécialisé dans les matériaux avancés pendant de nombreuses années. Notre HalfMoon inférieur de Graphite Ultra Pure est spécialement conçu pour l'équipement épitaxial SIC, garantissant d'excellentes performances. Fabriqué à partir de graphite importé ultra-pure, il offre une fiabilité et une durabilité. Visitez notre usine en Chine pour explorer notre halfon de haute qualité de haute qualité.

Vetek Semiconductor est un fabricant professionnel dédié à la fourniture de HalfMoon inférieur de graphite ultra pur. Nos produits Ultra Pure Graphite HalfMoon inférieurs sont spécialement conçus pour les chambres épitaxiales SIC et offrent des performances et une compatibilité supérieures avec divers modèles d'équipement.

Caractéristiques:

Connexion: Vetek Semiconductor Ultra Pure Graphite Halfmoon est conçu pour se connecter avec des tubes en quartz, facilitant le débit de gaz pour entraîner la rotation de la base de porteuse.

Contrôle de la température: Le produit permet un contrôle de la température, assurant des conditions optimales dans la chambre de réaction.

Conception sans contact: installée à l'intérieur de la chambre de réaction, notre demi-lune inférieur de graphite ultra pur ne contacte pas directement les plaquettes, assurant l'intégrité du processus.

Scénario d'application:

Notre HalfMoon inférieur de graphite ultra pur sert de composant critique dans les chambres épitaxiales SIC, où elle aide à maintenir le contenu d'impureté en dessous de 5 ppm. En surveillant étroitement les paramètres tels que l'épaisseur et l'uniformité de la concentration de dopage, nous assurons les couches épitaxiales de la plus haute qualité.

Compatibilité:

Le HalfMoon inférieur en graphite ultra pur de Vetek Semiconductor est compatible avec une large gamme de modèles d'équipement, y compris LPE, Naura, JSG, CETC, Naso Tech, etc.

Nous vous invitons à visiter notre usine en Chine pour explorer notre HalfMoon inférieur de haute qualité ultra pur de haute qualité.


Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon


Propriétés physiques de base du revêtement CVD SIC:

Propriétés physiques de base du revêtement CVD SIC
Propriété Valeur typique
Structure cristalline FCC β phase polycristalline, principalement (111) orienté
Densité 3,21 g / cm³
Dureté 2500 Vickers dureté (charge de 500 g)
Taille des grains 2 ~ 10 mm
Pureté chimique 99,99995%
Capacité thermique 640 J · kg-1· K-1
Température de sublimation 2700 ℃
Résistance à la flexion 415 MPA RT 4 points
Module de Young 430 GPA 4pt Bend, 1300 ℃
Conductivité thermique 300W · M-1· K-1
Expansion thermique (CTE) 4,5 × 10-6K-1


CVD SIC COATING FILM CRYSTAL STRUCTURE


Comparez l'atelier de production de semi-conducteurs:

VeTek Semiconductor Production Shop


Aperçu de la chaîne de l'industrie de l'épitaxie des puces semi-conductrices:

Overview of the semiconductor chip epitaxy industry chain


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