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Plaque supérieure enrobée de sic pour LPE PE2061
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Plaque supérieure enrobée de sic pour LPE PE2061

VeTek Semiconductor est profondément engagé dans les produits de revêtement SiC depuis de nombreuses années et est devenu l'un des principaux fabricants et fournisseurs de plaques supérieures revêtues de SiC pour LPE PE2061S en Chine. La plaque supérieure à revêtement SiC pour LPE PE2061S que nous proposons est conçue pour les réacteurs épitaxiaux en silicium LPE et est située sur le dessus avec la base du baril. Cette plaque supérieure à revêtement SiC pour LPE PE2061S présente d'excellentes caractéristiques telles qu'une grande pureté, une excellente stabilité thermique et une excellente uniformité, ce qui contribue à la croissance de couches épitaxiales de haute qualité. Quel que soit le produit dont vous avez besoin, nous attendons votre demande avec impatience.

Vetek Semiconductor est une plaque supérieure de China en Chine en Chine pour le fabricant et fournisseur du LPE PE2061S.

Plaque supérieure à revêtement SiC VeTeK Semiconductor pour LPE PE2061S dans un équipement épitaxial en silicium, utilisée conjointement avec un suscepteur de corps de type baril pour soutenir et maintenir les tranches épitaxiales (ou substrats) pendant le processus de croissance épitaxiale.

La plaque supérieure à revêtement SiC pour LPE PE2061S est généralement constituée d'un matériau graphite stable à haute température. VeTek Semiconductor prend soigneusement en compte des facteurs tels que le coefficient de dilatation thermique lors de la sélection du matériau graphite le plus approprié, garantissant ainsi une liaison solide avec le revêtement en carbure de silicium.

La plaque supérieure revêtue de SIC pour le LPE PE2061S présente une excellente stabilité thermique et une résistance chimique pour résister à l'environnement à haute température et corrosif pendant la croissance de l'épitaxie. Cela garantit la stabilité, la fiabilité et la protection à long terme des plaquettes.

Dans l'équipement épitaxial du silicium, la fonction principale de l'ensemble du réacteur enduit de CVD SIC est de soutenir les plaquettes et de fournir une surface de substrat uniforme pour la croissance des couches épitaxiales. De plus, il permet d'ajuster la position et l'orientation des plaquettes, facilitant le contrôle de la température et de la dynamique des fluides pendant le processus de croissance pour atteindre les conditions de croissance souhaitées et les caractéristiques de la couche épitaxiale.

Les produits de Vetek Semiconductor offrent une haute précision et une épaisseur de revêtement uniforme. L'incorporation d'une couche tampon prolonge également la durée de vie du produit. Dans un équipement épitaxial en silicium, utilisé en conjonction avec un suscepteur de corps de type baril pour soutenir et maintenir les tranches (ou substrats épitaxiales pendant le processus de croissance épitaxiale.


CVD SIC COATING FILM CRYSTAL STRUCTURE


Propriétés physiques de base du revêtement CVD SiC :

Propriétés physiques de base du revêtement CVD SIC
Propriété Valeur typique
Structure cristalline FCC β phase polycristalline, principalement (111) orienté
Densité 3,21 g / cm³
Dureté Dureté Vickers 2500 (charge de 500 g)
Taille des grains 2 ~ 10 mm
Pureté chimique 99,99995%
Capacité thermique 640 J · kg-1· K-1
Température de sublimation 2700 ℃
Résistance à la flexion 415 MPa RT 4 points
Module de Young 430 GPA 4pt Bend, 1300 ℃
Conductivité thermique 300W · M-1· K-1
Expansion thermique (CTE) 4,5 × 10-6K-1


Semi-conducteur

VeTek Semiconductor Production Shop


Aperçu de la chaîne de l'industrie de l'épitaxie des puces semi-conductrices:

Overview of the semiconductor chip epitaxy industry chain


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