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Bateau de plaquette de carbure de silicium enduit de SiC
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Bateau de plaquette de carbure de silicium enduit de SiC

Le bateau à plaquettes en carbure de silicium à revêtement SiC est conçu avec 165 emplacements pour transporter des plaquettes. VeTek Semiconductor est un fabricant et fournisseur professionnel en Chine de bateau à plaquettes en carbure de silicium à revêtement SiC, avec des années d'expérience dans la R&D et la production, peut bien contrôler la qualité et offrir un prix compétitif. prix. Bienvenue pour visiter notre usine et discuter davantage de la coopération.

Vetek Semiconductor est le fabricant et le fournisseur de Chine qui produit principalement un bateau à gaufrette en carbure de silicium enduit de SiC avec de nombreuses années d'expérience. J'espère établir des relations commerciales avec vous. Le bateau à plaquette en carbure de silicium enduit en revêtement est utilisé dans les fours de diffusion semi-conducteurs pour transporter les plaquettes pour divers processus à haute température tels que l'implantation d'ions, la diffusion et le recuit. Il peut fournir un environnement stable pour les plaquettes, assurant l'uniformité et la cohérence de la température pendant le traitement.

Les plaques de carbure de silicium recouvertes de SiC ont une résistance thermique et une stabilité chimique plus élevées, ce qui leur permet de fonctionner à des températures plus élevées et d'offrir une durée de vie plus longue. De plus, ils ont des taux d’évaporation des matériaux et d’adsorption des gaz plus faibles, contribuant ainsi à réduire l’impact des impuretés sur le traitement des plaquettes.

Nous pouvons fabriquer différents types de bateaux à plaquettes en carbure de silicium tels que un bateau à plaquette horizontale, un bateau à plaquette verticale et tout autre bateau personnalisé.


Avantages de notre carbure de silicium de haute pureté:

1. stabilité de la haute température

2. Inerness chimique

3. Faible teneur en impuretés

4. Conductivité thermique


Propriétés physiques du carbure de silicium recristallisé

Propriétés physiques du carbure de silicium recristallisé
Propriété Valeur typique
Température de travail (°C) 1600°C (avec oxygène), 1700°C (environnement réducteur)
Contenu SIC > 99,96%
Contenu SI gratuit < 0,1%
Densité apparente 2,60-2,70 g / cm3
Porosité apparente < 16%
Résistance à la compression > 600 MPa
Résistance à la flexion à froid 80-90 MPa (20 ° C)
Résistance à la flexion chaude 90-100 MPa (1 400 °C)
Dilatation thermique à 1 500 °C 4.70x10-6/°C
Conductivité thermique à 1200°C 23 w / m • k
Module élastique 240 GPA
Résistance aux chocs thermiques Extrêmement bon


Comparez l'atelier de production de semi-conducteurs:

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