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Segments de couverture de revêtement sic
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Segments de couverture de revêtement sic

Vtech Semiconductor s'engage dans le développement et la commercialisation de pièces revêtues de CVD pour les réacteurs Aixtron. Par exemple, nos segments de couverture de revêtement SIC ont été soigneusement traités pour produire un revêtement de CVD dense avec une excellente résistance à la corrosion, une stabilité chimique, bienvenue pour discuter des scénarios d'application avec nous.

Vous pouvez être assuré d'acheter des segments de couverture de revêtement SIC de notre usine. La technologie des micro LED perturbe l'écosystème LED existant avec des méthodes et des approches qui n'ont jusqu'à présent été observées que dans les industries LCD ou semi-conductrices. Le système AIXTRON G5 MOCVD prend parfaitement pris en charge ces exigences d'extension strictes. C'est un puissant réacteur MOCVD conçu principalement pourCroissance de Gan Epitaxy à base de silicium.


Aixtron G5est un système d'épitaxie de disque planétaire horizontal, composé principalement de composants tels que le disque planétaire de revêtement CVD SIC, le suscepteur MOCVD, le revêtement de revêtement SIC, la bague de support SIC, le disque de couverture de revêtement SIC, le collecteur d'échappement de revêtement, le gaspilleur, le collecteur du collecteur du collecteur, etc.


En tant que fabricant de revêtement CVD SIC, Vetek Semiconductor propose des segments de couverture de revêtement AIXTRON G5 SIC. Ces suscepteurs sont en graphite de haute pureté et comportent unRevêtement CVD sicAvec une impureté inférieure à 5 ppm.


Les segments de couverture de revêtement CVD SIC présentent une excellente résistance à la corrosion, une conductivité thermique supérieure et une stabilité à haute température. Ces produits résistent efficacement à la corrosion chimique et à l'oxydation, assurant la durabilité et la stabilité dans des environnements difficiles. La conductivité thermique exceptionnelle permet un transfert de chaleur efficace, améliorant l'efficacité de la gestion thermique. 


Avec leur stabilité à haute température et leur résistance aux chocs thermiques, les revêtements CVD SIC peuvent résister aux conditions extrêmes. Ils empêchent la dissolution et l'oxydation du substrat de graphite, réduisant la contamination et améliorant l'efficacité de la production et la qualité du produit. La surface de revêtement plate et uniforme offre une base solide pour la croissance du film, minimisant les défauts causés par la décalage du réseau et améliorant la cristallinité et la qualité du film. En résumé, les produits en graphite en revêtement CVD offrent des solutions de matériaux fiables pour diverses applications industrielles, combinant une résistance à la corrosion exceptionnelle, une conductivité thermique et une stabilité à haute température.


Données SEM du film CVD SIC

SEM DATA OF CVD SIC FILM

Propriétés physiques de base du revêtement CVD SIC:

Propriétés physiques de base du revêtement CVD SIC
Propriété Valeur typique
Structure cristalline FCC β phase polycristalline, principalement (111) orienté
Densité de revêtement sic 3,21 g / cm³
CVD SIC Revat dureté 2500 Vickers dureté (charge de 500 g)
Taille des grains 2 ~ 10 mm
Pureté chimique 99,99995%
Capacité thermique 640 J · kg-1· K-1
Température de sublimation 2700 ℃
Résistance à la flexion 415 MPA RT 4 points
Module de jeunes 430 GPA 4pt Bend, 1300 ℃
Conductivité thermique 300W · M-1· K-1
Expansion thermique (CTE) 4,5 × 10-6 ·K-1

It semi-conducteurSegments de couverture de revêtement SIC Boutiques de produits:

SiC Coated Wafer CarrierAixtron equipmentCVD SiC Focus RingSemiconductor process Equipment

Aperçu du semi-conducteur Chaîne de l'industrie de l'épitaxie de la puce:

SiC Epitaxy Si Epitaxy GaN Epitaxy

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