TAC revêtement de suscepteur planétaire

Dans le domaine de la fabrication de semi-conducteurs, le suscepteur planétaire du revêtement TAC joue un rôle crucial. Il est largement utilisé dans la croissance des couches épitaxiales en carbure de silicium (SIC) dans des équipements comme le système Aixtron G5. De plus, lorsqu'il est utilisé comme disque externe dans le dépôt de revêtement en carbure de tantale (TAC) pour l'épitaxy sic, le suscepteur planétaire de revêtement TAC fournit un soutien et une stabilité essentiels. Il assure un dépôt uniforme de la couche de carbure de tantale, contribuant à la formation de couches épitaxiales de haute qualité avec une excellente morphologie de surface et une épaisseur de film souhaitée. L'inertie chimique du revêtement TAC empêche les réactions et la contamination indésirables, en maintenant l'intégrité des couches épitaxiales et en assurant leur qualité supérieure.

La conductivité thermique exceptionnelle du revêtement TAC permet un transfert de chaleur efficace, favorisant la distribution uniforme de la température et minimisant la contrainte thermique pendant le processus de croissance épitaxiale. Il en résulte la production de couches épitaxiales SIC de haute qualité avec des propriétés cristallographiques améliorées et une conductivité électrique améliorée.

Les dimensions précises et la construction robuste du disque planétaire du revêtement TAC facilitent l'intégration dans les systèmes existants, assurant une compatibilité transparente et un fonctionnement efficace. Ses performances fiables et son revêtement TAC de haute qualité contribuent à des résultats cohérents et uniformes dans les processus d'épitaxy SIC.

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