Piédestal enduit de sic

Avec des années d'expérience dans la production de pièces de graphite enrobées de SiC, le semi-conducteur de Vetek peut fournir une large gamme de piédestal revêtu de sic. Le piédestal enduit de SIC de haute qualité peut répondre à de nombreuses applications, si vous en avez besoin, veuillez obtenir notre service en ligne en temps opportun sur le piédestal enduit de sic. En plus de la liste de produits ci-dessous, vous pouvez également personnaliser votre propre piédestal enduit SIC unique en fonction de vos besoins spécifiques.

Par rapport à d'autres méthodes, telles que MBE, LPE, PLD, la méthode MOCVD présente les avantages d'une efficacité de croissance plus élevée, d'une meilleure précision de contrôle et d'un coût relativement faible, et est largement utilisée dans l'industrie actuelle. Avec la demande croissante de matériaux épitaxiaux semi-conducteurs, en particulier pour les largeursDans la gamme de matériaux épitaxiaux optoélectroniques tels que LD et LED, il est très important d'adopter de nouvelles conceptions d'équipements pour augmenter encore la capacité de production et réduire les coûts.

Parmi eux, le plateau en graphite chargé de substrat utilisé dans la croissance épitaxiale MOCVD est une partie très importante de l'équipement MOCVD. Le plateau de graphite utilisé dans la croissance épitaxiale des nitrures du groupe III, afin d'éviter la corrosion de l'ammoniac, de l'hydrogène et d'autres gaz sur le graphite, généralement à la surface du plateau de graphite sera étalé avec une fine couche de protection en carbure de silicium uniforme. 

Dans la croissance épitaxiale du matériau, l'uniformité, la cohérence et la conductivité thermique de la couche de protection en carbure de silicium sont très élevées, et il existe certaines exigences pour sa vie. Le piédestal enduit de SiC de Vetek Semiconductor réduit le coût de production des palettes de graphite et améliore leur durée de vie, ce qui a un grand rôle dans la réduction du coût de l'équipement MOCVD. Le piédestal enduit de SiC est également une partie importante de la chambre de réaction MOCVD, qui améliore efficacement l'efficacité de production.

Propriétés physiques de base du revêtement CVD SiC :

Propriétés physiques de base du revêtement CVD SIC