Creuset pour le silicium monocristallin

Dans la méthode CZ (Czochralski), un seul cristal est cultivé en mettant une graine monocristalline en contact avec du silicium polycristallin en fusion. La graine est progressivement tirée vers le haut tout en faisant tourner lentement. Dans ce processus, un nombre important de pièces de graphite sont utilisés, ce qui en fait la méthode qui utilise la plus grande quantité de composants de graphite dans la fabrication de semi-conducteurs en silicium.

La bonne image fournit une représentation schématique d'un four de fabrication à un seul cristal en silicium basé sur la méthode CZ.

Le creuset de Vetek Semiconductor pour le silicium monocristallin fournit un environnement stable et contrôlé crucial pour la formation précise des cristaux semi-conducteurs. Ils contribuent à la croissance des lingots de silicium monocristallin en utilisant des techniques avancées telles que le processus Czochralski et les méthodes de zone flottante, qui sont vitales pour produire des matériaux de haute qualité pour les appareils électroniques.

Organisée pour une stabilité thermique exceptionnelle, une résistance à la corrosion chimique et une expansion thermique minimale, ces creusets assurent la durabilité et la robustesse. Ils sont conçus pour résister à des environnements chimiques durs sans compromettre l'intégrité ou les performances structurelles, prolongeant ainsi la durée de vie du creuset et maintenant des performances cohérentes sur une utilisation prolongée.

La composition unique des creusets semi-conducteurs Vetek pour le silicium monocristallin leur permet de supporter les conditions extrêmes de traitement à haute température. Cela garantit une stabilité thermique exceptionnelle et une pureté, qui sont essentielles pour le traitement des semi-conducteurs. La composition facilite également un transfert de chaleur efficace, favorisant une cristallisation uniforme et minimisant les gradients thermiques dans la fusion du silicium.

✔ Protection des matériaux de base: LeRevêtement CVD sicagit comme une couche protectrice pendant le processus épitaxial, protégeant efficacement le matériau de base de l'érosion et des dommages causés par l'environnement externe. Cette mesure de protection prolonge considérablement la durée de vie de l'équipement.

✔ Excellente conductivité thermique: Notre revêtement CVD SIC possède une conductivité thermique exceptionnelle, transférant efficacement la chaleur du matériau de base à la surface du revêtement. Cela améliore l'efficacité de la gestion thermique pendant l'épitaxie, garantissant des températures de fonctionnement optimales pour l'équipement.

✔ Amélioration de la qualité du film: Le revêtement CVD SIC offre une surface plate et uniforme, créant une base idéale pour la croissance du film. Il réduit les défauts résultant de l'inadéquation du réseau, améliore la cristallinité et la qualité du film épitaxial et améliore finalement ses performances et sa fiabilité.