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Épitaxie en silicium

Épitaxie de silicium, Epi, épitaxie, épitaxial fait référence à la croissance d'une couche de cristal avec la même direction cristalline et une épaisseur de cristal différente sur un substrat de silicium cristallin unique. La technologie de croissance épitaxiale est nécessaire pour la fabrication de composants discrets semi-conducteurs et de circuits intégrés, car les impuretés contenues dans les semi-conducteurs comprennent le type n et le type p. Grâce à une combinaison de différents types, les appareils semi-conducteurs présentent une variété de fonctions.


La méthode de croissance de l'épitaxie du silicium peut être divisée en épitaxie en phase gazeuse, épitaxie en phase liquide (LPE), épitaxie en phase solide, méthode de croissance du dépôt de vapeur chimique est largement utilisée dans le monde pour répondre à l'intégrité du réseau.


L'équipement épitaxial de silicium typique est représenté par la société italienne LPE, qui a des crêpes épitaxiales hy pnotiques Tor, de type baril hy pnotique Tor, semi-conducteur hy-pnotique, porteuse de plaquette, etc. Le diagramme schématique de la chambre de réaction épitaxiale de la barille en baril est le suivant. Le semi-conducteur de Vetek peut fournir une plaquette épitaxiale en forme de baril. La qualité du peclector Hy enduit de SiC est très mature. Une qualité équivalente à SGL; Dans le même temps, le semi-conducteur de Vetek peut également fournir une buse de quartz de cavité de réaction épitaxiale de silicium, de chicane en quartz, un pot de cloche et d'autres produits complets.


Suscepteur épitaxial verte de l'épitaxie du silicium:


Schematic diagram of Vertical Epitaxial Susceptor for Silicon Epitaxy


Les principaux produits épitaxiaux verticaux de Vetek Semiconductor


SiC Coated Graphite Barrel Susceptor for EPI SIC enduit de baril graphite Suscepteur pour EPI SiC Coated Barrel Susceptor Sic en revêtement en revêtement CVD SiC Coated Barrel Susceptor CVD SIC revêtu de baril LPE SI EPI Susceptor Set LPE SI SEPTORT EPI SEPTORT



Suscepteur épitaxial horizonal pour l'épitaxie au silicium:


Schematic diagram of Horizontal Epitaxial Susceptor for Silicon Epitaxy


Produits épitaxiaux horizontaux de Vetek Semiconductor


SiC coating Monocrystalline silicon epitaxial tray Sic revêtement monocristallin silicium épitaxial plateau SiC Coated Support for LPE PE2061S Support enduit de sic pour le LPE PE2061 Graphite Rotating Susceptor Support rotatif de graphite



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Déflecteur de creuset en graphite enduit sic

Déflecteur de creuset en graphite enduit sic

Le déflecteur de creuset en graphite revêtu de SiC est un composant clé de l'équipement du four monocristallin. Sa tâche est de guider le matériau fondu du creuset vers la zone de croissance cristalline en douceur et d'assurer la qualité et la forme de la croissance monocristalline. Le semi-conducteur Vetek peut fournir un matériau de revêtement en graphite et en SiC. Bienvenue à nous contacter pour plus de détails.
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Suscepteur de crêpes à revêtement SiC pour plaquettes LPE PE3061S 6''

Suscepteur de crêpes à revêtement SiC pour plaquettes LPE PE3061S 6''

Le suscepteur de crêpes enduit SIC pour le LPE PE3061S 6 '' Wafers est l'un des composants principaux utilisés dans le traitement de la plaquette épitaxiale 6 ''. Vetek Semiconductor est actuellement l'un des principaux fabricants et fournisseurs de SIC Coated Pancake Suscepteur pour les plaquettes LPE PE3061S 6 '' en Chine. Le suscepteur de crêpes enduit SIC qu'il fournit a d'excellentes caractéristiques telles que une résistance élevée à la corrosion, une bonne conductivité thermique et une bonne uniformité. Dans l'attente de votre demande.
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Support enduit de sic pour le LPE PE2061

Support enduit de sic pour le LPE PE2061

Vetek Semiconductor est l'un des principaux fabricants et fournisseurs de composants en graphite enrobés de SiC en Chine. Le support enduit de SIC pour le LPE PE2061S convient au réacteur épitaxial du silicium LPE. En tant que bas de la base du baril, le support enduit de SiC pour les LPE PE2061 peut résister à des températures élevées de 1600 degrés Celsius, atteignant ainsi une durée de vie des produits ultra-longue et réduisant les coûts des clients. Dans l'attente de votre demande et de votre communication.
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Plaque supérieure enrobée de sic pour LPE PE2061

Plaque supérieure enrobée de sic pour LPE PE2061

VeTek Semiconductor est profondément engagé dans les produits de revêtement SiC depuis de nombreuses années et est devenu l'un des principaux fabricants et fournisseurs de plaques supérieures revêtues de SiC pour LPE PE2061S en Chine. La plaque supérieure à revêtement SiC pour LPE PE2061S que nous proposons est conçue pour les réacteurs épitaxiaux en silicium LPE et est située sur le dessus avec la base du baril. Cette plaque supérieure à revêtement SiC pour LPE PE2061S présente d'excellentes caractéristiques telles qu'une grande pureté, une excellente stabilité thermique et une excellente uniformité, ce qui contribue à la croissance de couches épitaxiales de haute qualité. Quel que soit le produit dont vous avez besoin, nous attendons votre demande avec impatience.
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Veteksemicon silicon epitaxy solutions are your strategic procurement choice for advanced semiconductor wafer processing, particularly in CMOS, power devices, and MEMS applications. As a key process in wafer engineering, silicon epitaxy (Si Epi) involves the precise deposition of a crystalline silicon layer on top of a polished silicon wafer, offering superior control of doping profiles, defect density, and layer thickness.


Veteksemicon provides epitaxy-ready susceptor parts and reactor components used in Epi CVD systems, supporting both atmospheric and reduced pressure processes. Our product lineup includes silicon epitaxy susceptors, carrier rings, and coated wafer holders, optimized for compatibility with tools from Applied Materials, ASM, and Tokyo Electron (TEL).


Silicon epitaxy plays a critical role in producing ultra-thin junctions, strained silicon layers, and high-voltage isolation structures. Our materials and parts are engineered for high-purity, uniform thermal distribution, and anti-contamination performance during n-type and p-type epitaxial growth.


Closely associated terms include epitaxial wafer, in-situ doping, epitaxy-ready SiC coatings, and epi reactor parts, which support the entire upstream and downstream process of silicon-based IC fabrication.


Discover more about Veteksemicon’s silicon epitaxy support solutions by visiting our product detail page or contacting us for technical consultation and part customization.


En tant que fabricant et fournisseur professionnel Épitaxie en silicium en Chine, nous avons notre propre usine. Que vous ayez besoin de services personnalisés pour répondre aux besoins spécifiques de votre région ou que vous souhaitiez acheter avancé et durable Épitaxie en silicium en Chine, vous pouvez nous laisser un message.
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