Ainsi les frais de scolarité EPI revêtus

Vous pouvez être assuré d'acheter un suscepteur EPI enduit de sic de notre usine.

VETEK Semiconductor Sic revêtu EPI Soscepteur est le baril épitaxial est un outil spécial pour le processus de croissance épitaxiale des semi-conducteurs avec de nombreux avantages:

● Capacité de production efficace : Le suscepteur épi à revêtement SiC de VeTek Semiconductor peut accueillir plusieurs tranches, ce qui permet d'effectuer une croissance épitaxiale de plusieurs tranches simultanément. Cette capacité de production efficace peut considérablement améliorer l’efficacité de la production et réduire les cycles et les coûts de production.

● Contrôle de la température optimisé: Le Susceptor Epi revêtu de SiC est équipé d'un système avancé de contrôle de la température pour contrôler et maintenir avec précision la température de croissance souhaitée. Un contrôle stable de la température aide à obtenir une croissance uniforme de la couche épitaxiale et à améliorer la qualité et la cohérence de la couche épitaxiale.

● Distribution d'atmosphère uniforme: Le suscepteur épi revêtu de SiC offre une répartition uniforme de l'atmosphère pendant la croissance, garantissant que chaque tranche est exposée aux mêmes conditions atmosphériques. Cela permet d'éviter les différences de croissance entre les tranches et d'améliorer l'uniformité de la couche épitaxiale.

● Contrôle efficace des impuretés: La conception du suscepteur EPI revêtu de SIC aide à réduire l'introduction et la diffusion des impuretés. Il peut fournir un bon contrôle d'étanchéité et un bon contrôle de l'atmosphère, réduire l'impact des impuretés sur la qualité de la couche épitaxiale et ainsi améliorer les performances et la fiabilité des appareils.

● Développement de processus flexible: L'Epi Susceptor dispose de capacités de développement de processus flexibles qui permettent un ajustement et une optimisation rapides des paramètres de croissance. Cela permet aux chercheurs et aux ingénieurs de mener un développement et une optimisation rapides des processus pour répondre aux besoins de croissance épitaxiale de différentes applications et exigences.