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Si le récepteur EPI
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Si le récepteur EPI

Vetek Semiconductor, la meilleure usine chinoise, combine des capacités d'usinage de précision et de revêtement de semi-conducteurs SiC et TaC. Le suscepteur Si Epi de type baril offre des capacités de contrôle de la température et de l'atmosphère, améliorant ainsi l'efficacité de la production dans les processus de croissance épitaxiale des semi-conducteurs. Dans l'attente d'établir une relation de coopération avec vous.

Ce qui suit est l'introduction du suscepteur Si Epi de haute qualité, dans l'espoir de vous aider à mieux comprendre le suscepteur Si Epi de type baril. Bienvenue aux nouveaux et anciens clients pour continuer à coopérer avec nous pour créer un avenir meilleur !

Un réacteur épitaxial est un appareil spécialisé utilisé pour la croissance épitaxiale de la fabrication de semi-conducteurs. Type de canon SI EPI S-S-S-S-S-Sousor fournit un environnement qui contrôle la température, l'atmosphère et d'autres paramètres clés pour déposer de nouvelles couches cristallines sur la surface de la tranche.LPE SI EPI Susceptor Set


Le principal avantage du suscepteur Barrel Type Si Epi est sa capacité à traiter plusieurs copeaux simultanément, ce qui augmente l'efficacité de la production. Il comporte généralement plusieurs supports ou pinces pour maintenir plusieurs tranches afin que plusieurs tranches puissent pousser en même temps au cours du même cycle de croissance. Cette fonctionnalité à haut débit réduit les cycles et les coûts de production et améliore l’efficacité de la production.


De plus, le suscepteur Barrel Type Si Epi offre un contrôle optimisé de la température et de l’atmosphère. Il est équipé d'un système avancé de contrôle de la température capable de contrôler et de maintenir avec précision la température de croissance souhaitée. En même temps, il offre un bon contrôle de l’atmosphère, garantissant que chaque copeau pousse dans les mêmes conditions atmosphériques. Cela permet d'obtenir une croissance uniforme de la couche épitaxiale et d'améliorer la qualité et la cohérence de la couche épitaxiale.


Dans le suscepteur Barrel Type Si Epi, la puce permet généralement d'obtenir une répartition uniforme de la température et un transfert de chaleur par le biais d'un flux d'air ou d'un flux de liquide. Cette répartition uniforme de la température permet d'éviter la formation de points chauds et de gradients de température, améliorant ainsi l'uniformité de la couche épitaxiale.


Un autre avantage est que le suscepteur SI EPI de type Barrel offre une flexibilité et une évolutivité. Il peut être ajusté et optimisé pour différents matériaux épitaxiaux, tailles de puces et paramètres de croissance. Cela permet aux chercheurs et aux ingénieurs de mener un développement et une optimisation rapides de processus pour répondre aux besoins de croissance épitaxiale des différentes applications et exigences.

Propriétés physiques de base du revêtement CVD SIC:

Propriétés physiques de base du revêtement CVD SiC
Propriété Valeur typique
Structure cristalline Phase β FCC polycristalline, principalement orientée (111)
Densité de revêtement CVD SIC 3,21 g/cm³
Dureté de revêtement sic Dureté Vickers 2500 (charge de 500 g)
Taille des grains 2 ~ 10 mm
Pureté chimique 99,99995%
Capacité thermique 640 J · kg-1· K-1
Température de sublimation 2700 ℃
Résistance à la flexion 415 MPA RT 4 points
Module de jeunes 430 GPA 4pt Bend, 1300 ℃
Conductivité thermique 300W · M-1· K-1
Expansion thermique (CTE) 4,5×10-6K-1


It semi-conducteur Si le récepteur EPIAtelier de production

Si EPI Susceptor


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