Technologie de pulvérisation thermique semi-conductrice

La technologie de pulvérisation thermique semi-conductrice est un processus avancé qui pulvérise les matériaux dans un état fondu ou semi-mollé sur la surface d'un substrat pour former un revêtement. Cette technologie est largement utilisée dans le domaine de la fabrication de semi-conducteurs, principalement utilisée pour créer des revêtements avec des fonctions spécifiques à la surface du substrat, telles que la conductivité, l'isolation, la résistance à la corrosion et la résistance à l'oxydation. Les principaux avantages de la technologie de pulvérisation thermique comprennent une grande efficacité, une épaisseur de revêtement contrôlable et une bonne adhésion de revêtement, ce qui le rend particulièrement important dans le processus de fabrication de semi-conducteurs qui nécessite une haute précision et une fiabilité.

Application de la technologie de projection thermique aux semi-conducteurs

Gravure par faisceau de plasma (gravure sèche)

Se réfère généralement à l'utilisation d'une décharge luminescente pour générer des particules actives de plasma contenant des particules chargées telles que du plasma et des électrons et des atomes et molécules neutres hautement chimiquement actifs et des radicaux libres, qui diffusent vers la pièce à graver, réagissent avec le matériau gravé, forment des substances volatiles. produits et sont retirés, complétant ainsi la technologie de gravure de transfert de motif. Il s'agit d'un processus irremplaçable pour réaliser le transfert haute fidélité de motifs fins depuis des modèles de photolithographie vers des tranches dans la production de circuits intégrés à très grande échelle.

Un grand nombre de radicaux libres actifs tels que Cl et F seront générés. Lorsqu’ils gravent des dispositifs semi-conducteurs, ils corrodent les surfaces intérieures d’autres parties de l’équipement, notamment les alliages d’aluminium et les pièces structurelles en céramique. Cette forte érosion produit un grand nombre de particules, ce qui nécessite non seulement un entretien fréquent des équipements de production, mais provoque également une défaillance de la chambre de traitement de gravure et des dommages au dispositif dans les cas graves.

Y2O3 est un matériau aux propriétés chimiques et thermiques très stables. Son point de fusion est bien supérieur à 2400℃. Il peut rester stable dans un environnement fortement corrosif. Sa résistance au bombardement plasma peut prolonger considérablement la durée de vie des composants et réduire les particules dans la chambre de gravure.

La solution principale consiste à pulvériser un revêtement Y2O3 de haute pureté pour protéger la chambre de gravure et d’autres composants clés.