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Boue de polissage CMP
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Boue de polissage CMP

La pâte de polissage CMP (Chemical Mechanical Polishing Slurry) est un matériau haute performance utilisé dans la fabrication de semi-conducteurs et le traitement de matériaux de précision. Sa fonction principale est d'obtenir une planéité fine et un polissage de la surface du matériau sous l'effet synergique de la corrosion chimique et du meulage mécanique afin de répondre aux exigences de planéité et de qualité de surface au niveau nanométrique. Dans l’attente de votre prochaine consultation.

La pâte de polissage CMP de Veteksemicon est principalement utilisée comme abrasif de polissage dans la pâte de polissage chimico-mécanique CMP pour la planarisation des matériaux semi-conducteurs. Il présente les avantages suivants :

Diamètre des particules et degré d'agrégation des particules librement réglables ;
Les particules sont monodispersées et la répartition granulométrique est uniforme ;
Le système de dispersion est stable ;
L'échelle de production de masse est grande et la différence entre les lots est faible ;
Il n'est pas facile de se condenser et de s'installer.


Indicateurs de performance pour les produits de la série Ultra-Haute Pureté

Paramètre
Unitéé
Indicateurs de performance pour les produits de la série Ultra-Haute Pureté

UPXY-1
UPXY-2
UPXY-3
UPXY-4
UPXY-5
UPXY-6
UPXY-7
Taille moyenne des particules de silice
nm
35 ± 5
45 ± 5
65 ± 5
75 ± 5
85 ± 5
100 ± 5
120 ± 5
Distribution de la taille des nanoparticules (PDI)
1 <0,15
<0,15
<0,15
<0,15
<0,15
<0,15
<0,15
pH de la solution
1 7.2-7.4
7.2-7.4
7.2-7.4
7.2-7.4
7.2-7.4
7.2-7.4
7.2-7.4
Contenu solide
% 20,5 ± 0,5
20,5 ± 0,5
20,5 ± 0,5
20,5 ± 0,5
20,5 ± 0,5
20,5 ± 0,5
20,5 ± 0,5
Apparence
--
Bleu clair
Bleu
Blanc
Blanc cassé
Blanc cassé
Blanc cassé
Blanc cassé
Morphologie des particules X
X : S - sphérique ; B - Courbé ; P - En forme de cacahuète ; T - Bulbeux ; C - En forme de chaîne (état agrégé)
Ions stabilisants
Amines organiques/inorganiques
Composition des matières premières Y
Y : M-TMOS ; E-TEOS ; ME-TMOS + TEOS ; EM-TEOS + TMOS
Teneur en impuretés métalliques
≤ 300ppb


Spécifications de performances pour les produits de la série haute pureté

Paramètre
Unitéé
Spécifications de performances pour les produits de la série haute pureté
WGXY-1Z WGXY-2Z
WGXY-3Z
WGXY-4Z
WGXY-5Z
WGXY-6Z
WGXY-7Z
Taille moyenne des particules de silice
nm
35 ± 5
45 ± 5
65 ± 5
75 ± 5
85 ± 5
100 ± 5
120 ± 5
Distribution de la taille des nanoparticules (PDI)
1 <0,15
<0,15
<0,15
<0,15
<0,15
<0,15
<0,15
pH de la solution
1 90,5 ± 0,2
9,5 ± 0,2
9,5 ± 0,2
9,5 ± 0,2
9,5 ± 0,2
9,5 ± 0,2
9,5 ± 0,2
Contenu solide
% 30-40 30-40
30-40
30-40
30-40
30-40
30-40
Apparence
--
Bleu clair
Bleu
Blanc
Blanc cassé
Blanc cassé
Blanc cassé
Blanc cassé
Morphologie des particules X
X : S - sphérique ; B - Courbé ; P - En forme de cacahuète ; T - Bulbeux ; C - En forme de chaîne (état agrégé)
Ions stabilisants
M : amine organique ; K : hydroxyde de potassium ; N : hydroxyde de sodium ; ou d'autres composants
Teneur en impuretés métalliques
Z : série haute pureté (série H ≤ 1 ppm ; série L ≤ 10 ppm) ; série standard (série M ≤ 300 ppm)

Applications du produit de boue de polissage CMP :


● Matériaux ILD pour circuits intégrés CMP

● Circuit intégré Matériaux Poly-Si CMP

● Matériaux de plaquettes de silicium monocristallins semi-conducteurs CMP

● Matériaux semi-conducteurs en carbure de silicium CMP

● Circuit intégré STI matériaux CMP

● Matériaux de circuits intégrés métalliques et de couches barrières métalliques CMP


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