Anneau de couverture de plaquette de graphite enduit de TaC

Avantages techniques de base

• Résistance chimique exceptionnelle: Conçu pour résister aux gaz de gravure agressifs (H₂, NH₃, HCl) à des températures comprises entre 1 200°C et 2 000°C.

• Correspondance de dilatation thermique: Notre processus CVD exclusif garantit que le revêtement TaC a une correspondance CTE (coefficient de dilatation thermique) optimisée avec le substrat en graphite, empêchant ainsi le pelage ou la fissuration lors d'un cycle thermique rapide.

• Contrôle supérieur des particules: En scellant complètement le graphite poreux, la couche TaC élimine la perte de particules, augmentant directement le rendement de votre tranche et réduisant les temps d'arrêt du réacteur.

• Durée de vie prolongée: Surface hautement résistante à l'usure qui résiste aux cycles de nettoyage répétés, offrant un coût de possession (CoO) nettement inférieur par rapport aux alternatives non revêtues ou revêtues de SiC.

Revêtement en carbure de tantale (TaC) sur une coupe microscopique

Paramètre de produit de l'anneau de couverture de plaquette de graphite enduit de TaC

Pourquoi choisir nos anneaux de couverture TaC ?

Nous comprenons que dans la fabrication de semi-conducteurs, fiabilité est synonyme de rentabilité. Nos anneaux de couverture de plaquette de graphite enduits de TaC sont testés par lots pour la densité et la pureté du revêtement. Que vous passiez d'une production de tranches de 6 pouces à une production de tranches de 8 pouces ou que vous optimisiez un processus MOCVD à haute température, nos anneaux fournissent la protection thermique et chimique nécessaire à une épitaxie de classe mondiale.