Anneau de guidage en graphite poreux

Avantages principaux du produit

1. Garantie de très haute pureté et de faibles défauts

Adopte un processus de purification à haute température sous vide de 3 000 ℃ pour éliminer en profondeur les impuretés non métalliques telles que l'oxygène et l'azote, augmentant ainsi la pureté du produit à ≥ 99,9995 %. Il élimine les défauts cristallins induits par les impuretés (par exemple, les microtubules, les dislocations) de la source, garantissant ainsi la cohérence et la stabilité des propriétés électriques des monocristaux de SiC et établissant une base solide pour une croissance cristalline de haute qualité.

2. Stabilité à très haute température et régulation précise du champ thermique

Peut résister à des températures extrêmement élevées de 2 200 ℃ dans un environnement d'argon ou de vide, fonctionnant en continu et de manière stable pendant plus de 1 000 heures sans ramollissement ni déformation. Le produit a un faible coefficient de dilatation thermique, ce qui peut efficacement éviter les fissures du matériau causées par les contraintes thermiques. Il prend en charge la conception de distribution de gradient de porosité (15-30 %) et optimise la taille des pores (10-200 μm) en combinaison avec la technologie de simulation CFD (Computational Fluid Dynamics), contrôlant la fluctuation du gradient de température dans une plage de ± 3 ℃ et améliorant considérablement l'uniformité du champ thermique et la cohérence de la croissance cristalline.

3. Adaptation personnalisée et satisfaction du scénario complet

• Adaptation de forme géométrique : peut traiter avec précision des formes complexes telles que des barils annulaires et des structures de bouclier multicouches en fonction des structures de four des clients pour obtenir une correspondance et une installation parfaites.
• Personnalisation du processus de surface : fournit des services de traitement de surface personnalisés tels qu'un polissage d'ultra-précision et des revêtements spéciaux, améliorant considérablement la résistance à la corrosion et la durée de vie du produit.

4. Performances vérifiées et efficacité améliorée

• Lorsqu'il est utilisé comme composant central du champ thermique dans le processus de cristallisation PVT SiC, il a été vérifié dans des scénarios pratiques :
• Le taux de croissance des cristaux est augmenté de 15 à 20 % par rapport aux produits en graphite traditionnels, raccourcissant considérablement le cycle de production.
• Le rendement des tranches monocristallines SiC de 4 pouces dépasse 90 %, réduisant efficacement les coûts de production.
• Le cycle de maintenance des équipements est prolongé de 3 mois conventionnels à 6 mois, réduisant ainsi la fréquence des arrêts de maintenance et améliorant l'efficacité de la production.
  
  

Scénarios d'application

• Ensemble de four de croissance PVT : sert de composant central pour la sublimation du matériau SiC et la croissance cristalline, fournissant une distribution de champ thermique stable et uniforme pour assurer le bon déroulement du processus de cristallisation.
• Composant de protection contre les champs thermiques : la structure poreuse unique peut efficacement amortir les contraintes thermiques, réduire l'usure de l'équipement et prolonger la durée de vie globale de l'équipement.
• Accessoire de support de cristaux de graines : possède une résistance mécanique élevée pour soutenir de manière stable les cristaux de graines, garantissant la précision de la croissance directionnelle des cristaux.
• Couche de diffusion de gaz : optimise l'efficacité du transfert en phase gazeuse, favorise la sublimation et le dépôt uniformes des matières premières et améliore encore la qualité et le taux de croissance des monocristaux.

Paramètres techniques

Faits saillants de la concurrence

• Performances extrêmes à haute température : maintient la stabilité structurelle à 2 200 ℃ sans ramollissement ni déformation, permettant un fonctionnement continu pendant plus de 1 000 heures pour répondre aux exigences extrêmes des processus.
• Solution de champ thermique personnalisée : s'appuie sur la technologie de simulation CFD pour optimiser la conception du gradient de pores, en répondant avec précision aux besoins des clients en matière de processus et en améliorant l'uniformité des cristaux et le rendement du produit.
• Service de réponse rapide : fournit des services de test de correspondance des paramètres de processus et fournit des solutions prototypes dans les 72 heures, aidant ainsi les clients à accélérer les processus de R&D et de production.