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Chauffage en graphite personnalisé pour zone chaude
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Chauffage en graphite personnalisé pour zone chaude

Dans la fabrication de semi-conducteurs et le traitement avancé des matériaux, la stabilité et la pureté du champ thermique dictent directement la compétitivité fondamentale du produit final. VETEK se consacre à la R&D et à la fabrication de systèmes de chauffage au graphite haute performance, fournissant des solutions fiables pour le MOCVD, l'épitaxie SiC et divers fours sous vide à haute température.

Pourquoi choisir VETEK ?


  ●Uniformité thermique extrême: Les éléments chauffants VETEK sont soumis à une simulation structurelle et à une conception précises pour garantir une constance de température exceptionnelle même dans des environnements extrêmes jusqu'à 2 200 °C, augmentant ainsi efficacement le rendement des plaquettes.

  ●Assurance des matériaux de haute pureté: Nous sélectionnons strictement du graphite isostatique de haute pureté, en maintenant la teneur en cendres à des niveaux ultra-bas pour éliminer la contamination par les ions métalliques à haute température de la source.

  ●Technologie de revêtement avancée: Tirant parti des principaux atouts de VETEK, nous proposons des revêtements SiC (carbure de silicium) en option. Cela améliore considérablement la résistance à l'oxydation et à la corrosion, garantissant une durée de vie plus longue dans les environnements difficiles de gaz chimiques.

  ●Personnalisation de précision: Qu'il s'agisse de structures de disques cylindriques, en spirale ou complexes, VETEK réalise un usinage de haute précision basé sur vos dessins techniques pour garantir une parfaite adéquation avec votre équipement.

  ●Protection logistique complète: Conscient de la nature fragile du graphite, VETEK a amélioré son système d'emballage. Notre renfort anti-choc multicouche garantit « zéro dommage » pendant le transport international, éliminant ainsi les soucis liés aux retards de production.


Domaines d'application principaux

  ●Epitaxie de semi-conducteurs: Composants de champ thermique de base pour les équipements MOCVD (compatibles avec les modèles grand public comme le K465i).

  ●Croissance des cristaux SiC: Contrôle de précision du champ thermique pour la croissance du carbure de silicium et d'autres matériaux semi-conducteurs à large bande interdite.

  ●Équipement de vide à haute température: Largement utilisé dans les fours de frittage sous vide, le brasage de précision et les équipements de traitement thermique haut de gamme.

  ●Substrats pour revêtements avancés: Matériau de base idéal pour les revêtements CVD SiC, SiN ou SiO.


Spécifications techniques

Nous prenons également en charge des matériaux personnalisés avec des niveaux de pureté plus élevés pour des conditions de fonctionnement spécifiques.


Spécification technique
Valeur de référence
Densité apparente
≥1,85 g/cm3
Contenu en cendres
≤500 ppm
Dureté Shore
≥45
Résistance spécifique
≤12 \muΩ⋅m
Résistance à la flexion
≥40 MPa
Résistance à la compression
≥70 MPa
Max. Taille des grains
≤43 \maman
Coefficient de dilatation thermique (CTE)
≤4,4×10−6/∘C
Spécification technique
Valeur de référence

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